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公开(公告)号:CN103779470A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310487566.7
申请日:2013-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/3209 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L33/005 , H01L51/5044 , H01L51/5278 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置,该发光装置包括:形成于绝缘层上的下部电极;形成于所述下部电极彼此之间的部分之上,并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁;分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元;形成于所述第一发光单元上的中间层;形成于所述中间层上的第二发光单元;以及形成于所述第二发光单元上的上部电极,其中,所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。
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公开(公告)号:CN115605933A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202080100968.5
申请日:2020-05-28
Applicant: 夏普株式会社(JP)
Abstract: 显示装置具有显示面板,显示面板包括:发光元件、晶体管层,其设置有晶体管,晶体管用于切换施加至发光元件的电压;以及多个间隔物,其配置于晶体管层上,显示面板包含:显示区域,其配置有晶体管和发光元件;以及非显示区域,其设置于显示区域的外缘,非显示区域包含:边框区域;以及中间区域,其设置于显示区域与边框区域之间,当将显示区域中的多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第一面积比,将中间区域中的多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第二面积比,将边框区域中的多个间隔物的横截面所占的每单位面积的面积比例设为第三面积比时,多个间隔物配置成满足如下的关系:第一面积比
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公开(公告)号:CN110192432A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201780083911.7
申请日:2017-01-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的OLED面板的制造方法包括:在支承基板(50)的上侧,将树脂层(12)、平均应力(Px)为零或为拉伸应力的无机层(3)、TFT层(4)、OLED元件层(5)和密封层(6)依次层叠而形成层叠体(7)的工序;和将支承基板(50)从层叠体(7)分离的工序。
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公开(公告)号:CN107409455B
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201680014312.5
申请日:2016-03-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/10 , B23K26/064 , B23K26/402 , B23K26/57 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 具备:元件形成工序,在透明的支承基板8上形成基板层10之后,在该基板层10上形成薄膜元件;和元件剥离工序,通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb,使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离,在元件剥离工序中,从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。
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公开(公告)号:CN101002135A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200580027439.2
申请日:2005-06-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/133 , G02F1/1343 , G09F9/30 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F2001/134345 , G02F2201/52
Abstract: 本发明提供一种显示装置以及由此显示装置构成的液晶显示装置,该显示装置不仅通过采用多原色的图像显示来扩大色彩还原范围,而且很难识别构成像素的子像素间的颜色分离,且在显示白线时发挥容易识别作为1条线的作用效果,能够提高显示质量。本发明的显示装置是由每1个像素包含4色以上的子像素的像素构成图像的显示装置,构成该显示装置的像素是以将亮度值最高的颜色的子像素配置在像素的中央区域的像素为主而构成的。
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公开(公告)号:CN116250031A
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202080105624.3
申请日:2020-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 多个引绕布线(L)的至少一个具备:显示侧布线部(18nd),其设置在无机绝缘膜(11、13、15、17)的显示区域侧的一方的缘部上,通过与布线层相同的材料形成在同一层;端子侧布线部(18nt),其设置在无机绝缘膜(11、13、15、17)的端子部侧的另一方的缘部上,通过与布线层相同的材料形成在同一层;中间布线部(C),其经由形成在平坦化膜(19a)的第一接触孔(Ha)及第二接触孔(Hb)与显示侧布线部(18nd)及端子侧布线部(18nt)分别电连接。
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公开(公告)号:CN107710313B
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201680035119.X
申请日:2016-06-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的目的在于不使支承体露出地抑制覆盖层中的裂缝的发展。在防湿层(12)的端部与显示区域(2)之间的区域,以将防湿层(12)的端部与另一端部之间连接的方式,连续或断续地设置有改变在防湿层(12)的端部产生的裂缝的发展方向的凹状的波形凹状图案(7a、7b、7c)。
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公开(公告)号:CN107409455A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680014312.5
申请日:2016-03-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/10 , B23K26/064 , B23K26/402 , B23K26/57 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L51/56 , B23K26/064 , B23K26/57 , B23K2101/36 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L2251/56 , H05B33/10
Abstract: 具备:元件形成工序,在透明的支承基板8上形成基板层10之后,在该基板层10上形成薄膜元件;和元件剥离工序,通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb,使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离,在元件剥离工序中,从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。
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公开(公告)号:CN102884634B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201180023044.0
申请日:2011-04-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L29/41733 , H01L29/42384
Abstract: 半导体装置(18)具备:设于基板(101)上的栅极电极(102);半导体层(104),其设于栅极电极(102)的上方,包含源极区域、漏极区域以及沟道区域;源极电极(106),其在半导体层(104)的上方连接到源极区域;以及漏极电极(107),其在半导体层(104)的上方连接到漏极区域,半导体层(104)在与漏极电极(107)重叠的部分具有沿着从漏极电极(107)引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部,半导体层(104)在被漏极电极(107)和源极电极(106)夹着的沟道区域的外侧具有半导体层(104)的周缘位于比栅极电极(102)的周缘靠内侧的调整部。
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公开(公告)号:CN102884634A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201180023044.0
申请日:2011-04-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L29/41733 , H01L29/42384
Abstract: 半导体装置(18)具备:设于基板(101)上的栅极电极(102);半导体层(104),其设于栅极电极(102)的上方,包含源极区域、漏极区域以及沟道区域;源极电极(106),其在半导体层(104)的上方连接到源极区域;以及漏极电极(107),其在半导体层(104)的上方连接到漏极区域,半导体层(104)在与漏极电极(107)重叠的部分具有沿着从漏极电极(107)引出的漏极配线延伸的方向向外侧突出的凸部,半导体层(104)在被漏极电极(107)和源极电极(106)夹着的沟道区域的外侧具有半导体层(104)的周缘位于比栅极电极(102)的周缘靠内侧的调整部。
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