公开(公告)号：CN1885550A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610090815.9

申请日：2006-06-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田隆彦 ,  山口琢己 ,  春日繁孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641

Abstract: 通过使R(红色)分量光所进入的孔径13a大于其它孔径(孔径12a，14a和15a)，和各个孔径具有相同尺寸的情形相比可减小R分量光的衰减率。因此，可以抑制对R分量光的灵敏度的恶化，并降低图像质量的恶化。

公开(公告)号：CN1828918A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006244.6

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  内田干也 ,  藤原一夫 ,  山口琢己

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02164

Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。

公开(公告)号：CN1638136A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410090889.3

申请日：2004-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  春日繁孝 ,  村田隆彦

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种光电探测器，包括具有光敏单元(1a，1b，1c)的半导体衬底。每个光敏单元设有，透射光敏单元预定波长范围内光的滤光层20，和光电转换单元17，可操作用于根据透射通过滤光层20的光的强度产生信号电荷。滤光层20的厚度(ta，tb，tc)相应于各个光敏单元预定的波长范围。通过这种结构，可以提供成本有效的光电探测器，其在制造滤色片时，可以不需要对不同颜色的颜料和染料的材料进行管理。

公开(公告)号：CN1591888A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410075208.6

申请日：2004-09-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  森三佳 ,  山口琢己

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，漏电流小，并具有元件分离结构。该固体摄像器件，形成在硅片上，还包括具有与各个像素相对应的摄像区，其中包括具有第1导电型电荷存储区的光电二极管，晶体管和元件隔离部，上述元件隔离部的深度小于其杂质浓度最大的上述第1导电型电荷存储区的深度。

公开(公告)号：CN1591551A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410064495.0

申请日：2004-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日繁孝 ,  山口琢己 ,  村田隆彦

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G11C19/28

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/184 ,  G11C19/28

Abstract: 提供一信号传输电路，所述信号传输电路即使在低电压的电源和快速操作的情况下，也能稳定操作。信号传输电路包括多级电路，在每一级中，顺序地输出根据驱动脉冲的脉冲电压。每级电路包括：用于根据驱动脉冲，向源极输出脉冲电压的输出晶体管T12、连接在输出晶体管的栅极和源极间的自举电容器C1、用于充电自举电容器的第一充电晶体管T11、用于放电自举电容器的电荷的第一和第二放电晶体管T13和T14，以及该逻辑电路(i)根据用于其他级的每个电路的驱动脉冲，导通第一和第二放电晶体管，以及(ii)根据充电晶体管的栅极信号，截止第一和第二放电晶体管。

公开(公告)号：CN1585460A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410076626.7

申请日：2004-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  村田隆彦 ,  春日繁孝

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/357 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，是MOS型的固体摄像器件，通过延长VDD电源的电压从低电平到高电平所需要的期间，将不会出现因VDD电源侧和复位单元的栅极之间的耦合电容、造成以前那样的复位单元的栅极电压同时向正方向振动的情形。因此，用于使存储单元不被选择的电子不会从存储单元向VDD电源侧溢出，阻止了非选择行的存储单元的电位电平变为正电位，检测单元不会导通，可防止非选择行被选择的误动作。

公开(公告)号：CN1518341A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310123289.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田隆彦 ,  山口琢己 ,  藤井俊哉

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/14

CPC classification number: H04N5/335

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像装置，其目的在于：减少积累像素信号的电容器的数量。多个像素沿行方向及列方向二维排列，这多个像素中与行方向或者列方向相邻的像素拥有颜色各异的滤色器。给由多个像素中含在成为像素信号混合对象的像素混合单元中且位于同一行又具有同种颜色的滤色器的像素构成的同一行且同种颜色的像素组1、2、3设置了信号混合器件。各信号混合器件由电容器16和传达开关19、电容器17和传达开关20、电容器18和传达开关21构成，各信号混合器件存储来自含在同一行且同种颜色的像素组1、2、3中的像素的像素信号并将其相互混合起来。

公开(公告)号：CN1374702A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN02106736.8

申请日：2002-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  菰渕宽仁

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/335 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3741

Abstract: 一种固体摄象装置,在将浮动扩散(FD)型放大器内藏于像素中的MOS型传感器中,削减脉冲配线数,据此来提高开口率。因此,使用共用的栅极线,向第1像素的读出晶体管供给读出脉冲,向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲,将连接第2像素复位时的第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的漏极线的LOW电平电位,设定为比第1像素的光电二极管的电位深度更高的电位,并且,将把LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管的栅极中时的该栅极下的电位,设定为比所述漏极线的LOW电平电位更高的电位。