固体摄象装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100347859C

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN02106736.8

    申请日:2002-03-05

    Abstract: 一种固体摄象装置,在将浮动扩散(FD)型放大器内藏于像素中的MOS型传感器中,削减脉冲配线数,据此来提高开口率。因此,使用共用的栅极线,向第1像素的读出晶体管供给读出脉冲,向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲,将连接第2像素复位时的第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的漏极线的LOW电平电位,设定为比第1像素的光电二极管的电位深度更高的电位,并且,将把LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管的栅极中时的该栅极下的电位,设定为比所述漏极线的LOW电平电位更高的电位。

    固体摄象装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1374702A

    公开(公告)日:2002-10-16

    申请号:CN02106736.8

    申请日:2002-03-05

    Abstract: 一种固体摄象装置,在将浮动扩散(FD)型放大器内藏于像素中的MOS型传感器中,削减脉冲配线数,据此来提高开口率。因此,使用共用的栅极线,向第1像素的读出晶体管供给读出脉冲,向在列方向上与此相邻的第2像素的复位晶体管供给复位脉冲,将连接第2像素复位时的第1像素的漏极区域(用于通过复位晶体管向FD部供给脉冲电压的区域)的漏极线的LOW电平电位,设定为比第1像素的光电二极管的电位深度更高的电位,并且,将把LOW电平电压供给到第1像素的复位晶体管的栅极中时的该栅极下的电位,设定为比所述漏极线的LOW电平电位更高的电位。

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