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公开(公告)号：CN100362582C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200410056457.0
申请日：2004-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/08 , C23C14/205 , C23C14/542 , C23C14/568 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种即使在对半透明的信息层进行高密度记录时信号品质也良好的光学信息记录介质及其制造方法以及制造装置。本发明的光学信息记录介质，在圆盘状的透明基板以及保护基板之间至少设有半透明的信息层，该信息层具有光束引导用的螺旋状沟槽，还包括通过在能由来自所述透明基板侧的光束的照射光学检测出来的至少2个状态之间呈现变化、从而能够进行记录及再生的记录膜，并且在进行记录以及再生的全部区域上，所述沟槽的内周侧以及外周侧的斜面部分的膜厚的差在±10%以内。
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公开(公告)号：CN1897132A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610100347.9
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1244098C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02803191.1
申请日：2002-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 通过照射波长λ为450nm以下的激光束来进行信息的记录与再现的光学信息记录媒体，其中设有：基片(14)和多个信息层。多个信息层中与激光束的入射侧最近的第一信息层(8)，含有记录层(4)、反射层(6)以及透射率调整层(7)。然后，记录层(4)为晶相时的第一信息层(8)对波长λ的透射率Tcl(%)和记录层4为非晶相时的第一信息层(8)对波长λ的透射率Tal(%)满足46＜Tcl且46＜Tal。并且，透射率调整层(7)对波长λ的折射率n1与衰减系数k1和反射层(6)对波长λ的折射率n2与衰减系数k2满足1.5≤(n1-n2)且1.5≤(k2-k1)。
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公开(公告)号：CN1734608A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510084499.X
申请日：2002-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种通过照射波长λ为450nm以下的激光束来进行信息记录与再现的光学信息记录媒体，其中：设有基片和在所述基片上形成的多个信息层，所述多个信息层中，与所述激光束的入射侧最近的第一信息层，从所述入射侧起依次含有记录层、反射层与透射率调整层，所述记录层，通过所述激光束的照射，在晶相和非晶相之间发生可逆性相变，将所述记录层为晶相时的所述第一信息层对所述波长λ的透射率设为Tc1，将所述记录层为非晶相时的所述第一信息层对所述波长λ的透射率设为Ta1时，所述Tc1和Ta1满足46％＜Tc1且46％＜Ta1；并且，所述Tc1和Ta1满足－5≤(Tc1－Ta1)≤5。
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公开(公告)号：CN1698204A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000648.3
申请日：2004-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1227653C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01135703.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1682299A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822063.6
申请日：2003-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光学信息记录媒质包括基底以及设置在该基底上的至少m(m是2或大于2的整数)个信息层，m个信息层中的每一个包括记录层，并且如果将m个信息层按照从激光束入射侧开始的顺序称作第一到第m信息层，那么当把包含在第j(j是满足1≤j≤m－1的整数)信息层中的记录层当作第j记录层时，并且在第j记录层处于状态A时第j信息层的透射率为TAj(％)，以及在第j记录层处于状态B时第j信息层的透射率为TBj(％)时，在第j信息层中满足以下关系式：0≤|TAj－TBj|/(TAj，TBj)max≤0.10其中(TAj，TBj)max是Taj和TBj中较大的值，并且第一到第(m－1)记录层中的至少一个记录层由复折射率与第m记录层的复折射率不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN1682297A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1670848A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052928.5
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1670831A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052932.1
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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