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公开(公告)号：CN101836296B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
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公开(公告)号：CN102017145B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
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公开(公告)号：CN101981695B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN101542729B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880000315.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极(2)；第二电极(4)；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层(3)。上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN1938781B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200480042767.5
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102099863A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080001956.3
申请日：2010-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种能够使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件的适当的写入方法。该写入方法是对根据被施加的电压脉冲的极性而可逆地转变为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，包括准备步骤(S50)和写入步骤(S51、S51a、S51b)；在准备步骤(S50)中，通过一边对电阻变化元件施加电压逐渐变大的电压脉冲一边测量电阻变化元件的电阻值，决定高电阻化开始的第1电压V1以及电阻值为最大的第2电压V2；在高电阻化步骤(S51a)中，通过对电阻变化元件施加具有第1电压V1以上且第2电压V2以下的电压Vp的电压脉冲，使电阻变化元件从低电阻状态(S52)转变为高电阻状态(S53)。
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公开(公告)号：CN101569011A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780048350.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1625 , G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 提供电阻变化型元件(10)、电阻变化型存储装置以及电阻变化型装置，其包括第一电极(2)、第二电极(4)、和配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其具有如下性质，即，电阻变化层(3)包含具有用(NiXFe1－X)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，X大于等于0.35小于等于0.9，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻降低，通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加具有极性与第一电压不同的第二电压的第二电压脉冲，使第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN101568971A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001228.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C7/1006 , G11C13/0007 , G11C2013/0076 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。
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公开(公告)号：CN101542729A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000315.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种电阻变化型元件，它具有：第一电极(2)；第二电极(4)；和配置在上述第一电极和上述第二电极之间，与上述第一和上述第二电极电气上连接的电阻变化层(3)。上述电阻变化层由包含TaOx(1.6≤X≤2.2)的材料构成；通过在第一电压的第一电压脉冲加在上述第一电极和第二电极之间施加具有第一电压的第一电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻降低；通过在上述第一电极和上述第二电极之间施加具有与上述第一电压的极性相同的第二电压的第二电压脉冲，使上述第一电极和上述第二电极之间的电阻上升。
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公开(公告)号：CN101501851A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1－x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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