公开(公告)号：CN1767203A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510116092.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边康子 ,  荒井康行 ,  安部宽子 ,  岩城裕司 ,  汤川干央 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/3216 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0251 ,  G11C13/0016

Abstract: 本发明提供一种包括非易失性存储器电路的显示器件和利用该显示器件的电子设备，能够在不增加制造步骤的数量的情况下将数据加入到该存储器电路中。本发明的显示器件具有存储器电路，该存储器电路包括具有简单结构的存储器元件，在该存储器元件中将有机化合物层插入一对导电层之间。根据具有上述结构的本发明，可在不增加制造步骤的数量的情况下提供一种具有可加入数据的易失性存储器电路的显示器件。

公开(公告)号：CN1735289A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091472.3

申请日：2005-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  濑尾哲史 ,  安部宽子

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/14 ,  G09G3/30 ,  G09G5/10

CPC classification number: G09G3/3258 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0885 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  H05B33/0896

Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种发光器件，其包括通过设计驱动装置具有较小亮度退化的发光元件。另外，本发明的一个目的在于提供一种用于减小发光元件的亮度退化的驱动方法。在本发明中，根据下面的公式(1)随着时间增加在发光元件中流动的电流的电流密度J，其中J0是发光元件中的电流密度的初值，t是发光时间，且k和β分别是由发光元件的特性确定的正参数。J＝J0·exp[(k·t)β]…(1)

公开(公告)号：CN1700286A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073701.9

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 早川昌彦 ,  山崎优 ,  安藤由香里 ,  宮川惠介 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  山崎舜平 ,  瀬尾哲史 ,  安部宽子

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08

Abstract: 一种显示装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。

公开(公告)号：CN1540819A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410035100.4

申请日：2004-04-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  下村明久 ,  濑尾哲史 ,  山崎舜平

IPC: H01S3/16 ,  H01S3/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01S5/041 ,  H01S3/14 ,  H01S3/1628

Abstract: 提供振荡波长在可见光范围内的激光振荡器并且增强光子输出的转换效率，进一步抑制能量消耗。该激光振荡器包含在基底上形成的发光元件和光谐振器。发光元件包括发光层、阳极和阴极，其中发光层夹在阳极和阴极之间。发光层包含主体材料和磷光材料，磷光材料以不小于10wt％的浓度分散在主体材料中。阳极和阴极包含透光性能。在来自磷光材料的受激准分子状态的发光中，与发光层相交的单向光被光谐振器放大。

公开(公告)号：CN101640254B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200910164536.6

申请日：2005-05-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 熊木大介 ,  池田寿雄 ,  安部宽子 ,  濑尾哲史

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5278 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。

公开(公告)号：CN102682837B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210068013.3

申请日：2005-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 守屋芳隆 ,  安部宽子 ,  汤川干央 ,  野村亮二

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/22 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。

公开(公告)号：CN101851499B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201010142556.6

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  下垣智子 ,  安部宽子 ,  高须贵子 ,  野村亮二

IPC: C09K11/06 ,  C09K11/69 ,  C09K11/67 ,  C09K11/66 ,  C09K11/08 ,  C09K11/02 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C09J133/10 ,  H01B1/12 ,  H01B1/127 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5052 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供了一种具有高传导性的复合材料、使用所述复合材料的发光元件和发光器件。此外，本发明提供了一种适于大量生产的发光元件的制造方法。本发明的发光元件包含在一对电极之间包含发光物质的层。包含发光物质的层含有包含有机化合物和对所述有机化合物显示给电子性能的无机化合物的复合材料。由于本发明的发光元件包含通过有机化合物和无机化合物组合制成的复合材料，因此其载流子注入性能、载流子传输性能和传导性优异，因此，可降低驱动电压。

公开(公告)号：CN102682837A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210068013.3

申请日：2005-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 守屋芳隆 ,  安部宽子 ,  汤川干央 ,  野村亮二

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/22 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。

公开(公告)号：CN1777592B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200480010414.7

申请日：2004-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下垣智子 ,  德田笃史 ,  安部宽子 ,  野村亮二 ,  濑尾哲史

IPC: C07D241/40 ,  C07D403/10 ,  C07D413/10 ,  C07D417/10 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L29/80 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: C07D403/14 ,  C07D241/42 ,  C07D401/10 ,  C07D401/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H05B33/14 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明提供一种具有双极性的有机化合物材料。具体地说，提供通式(1)所示的喹喔啉衍生物，式中，R1～R12各自独立，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、芳基、或杂环残基的任意一种，R9和R10、R10和R11、R11和R12各自独立，或分别互相键合而形成芳环。Ar1～Ar4各自独立，表示芳基、或杂环残基的任意一种，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立，或Ar1和Ar3、Ar3和Ar4分别互相直接键合，或者Ar1和Ar2、Ar3和Ar4通过氧(0)、硫(S)或者羰基中的任意一种进行键合。

公开(公告)号：CN101561996B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910140880.1

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 早川昌彦 ,  山崎优 ,  安藤由香里 ,  宮川惠介 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  山崎舜平 ,  瀬尾哲史 ,  安部宽子

IPC: G09G3/32

Abstract: 一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。