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公开(公告)号：CN106953006A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710101641.X
申请日：2017-02-24
Applicant: 江苏理工学院
CPC classification number: H01L45/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途，所述SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料的化学组成为(SiO2)xSb1‑x，其中0.22≤x≤0.40；采取磁控溅射的方法沉积而成，制备出的SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够有效改善PCRAM的热稳定性；具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度。
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公开(公告)号：CN106485623A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610920167.9
申请日：2016-10-21
Applicant: 江苏理工学院
CPC classification number: G06Q50/205 , G06K17/00
Abstract: 本发明涉及管理系统技术领域，尤其是一种实验室开放实验管理系统及方法，该实验管理系统包括后台服务器、客户端、标签卡和门禁系统，后台服务器用于后台管理员录入课程信息、学生信息和教师信息；客户端用于学生查询课程信息、学生信息、课程选择以及将课程选择信息通过网络传到门禁系统中，或者用于教师查询学生选课情况和录入学生成绩，标签卡用于录入卡编号，门禁系统用于识别标签卡的卡编号，门禁系统确认卡编号匹配后放行并将进入者的信息和进入时间传到客户端。本发明的实验室开放实验管理系统可由电脑直接登录和选择课程，摒弃纸质登记模式，同时利用RFID射频技术实现实验室门禁管理，选课系统和管理系统集于一身，方便管理。
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公开(公告)号：CN106374042A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610851635.1
申请日：2016-09-26
Applicant: 江苏理工学院
CPC classification number: H01L45/145 , B82Y30/00 , H01L45/1625
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbNx，其中Sb代表锑元素，N代表氮原子，x代表不同的掺氮量标记，x＝1、2或3；经EDS测定，x＝1时掺入的氮原子百分比为9.6％,x＝2时掺入的氮原子百分比为15.3％；x＝3时掺入的氮原子百分比为22.5％。本发明的掺氮的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氮原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
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公开(公告)号：CN106206942A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610620373.8
申请日：2016-07-30
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y、i、j都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，0＜i≤0.50，0.50＜y≤1，x+y＝1.00。本发明具有相变速度快、热稳定性好、数据保持力好、低功耗的特点，可以应用于相变存储器和相变显示器等。
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公开(公告)号：CN105870323A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610363525.0
申请日：2016-05-26
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种可用于相变存储器的相变速率、热稳定性优秀的复合相变薄膜材料(Ge/Ge2Sb2Te5)n及其制备方法。薄膜材料为(Ge/Ge2Sb2Te5)n，其由n组Ge/Ge2Sb2Te5复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括一层Ge纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜；除最外层Ge2Sb2Te5薄膜外，其余Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面均处于富Ge环境，使得Ge2Sb2Te5更有可能处于四面体结构而不是缺陷的八面体结构，从而有效的调控其相变特性。与现有的相变存储材料Ge2Sb2Te5相比，本发明提供的Ge/Ge2Sb2Te5新型复合相变薄膜能够实现更高的、可调控的结晶温度，更快的、可调控的结晶速率以及良好的热稳定性与数据保持力，同时还可以提供较高的晶态电阻。
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公开(公告)号：CN105489758A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510889657.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 江苏理工学院
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/14 , H01L45/04 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低47%以上，说明本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。
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公开(公告)号：CN104934533A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510206563.0
申请日：2015-04-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低30%以上，说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。
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公开(公告)号：CN104795494A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510205799.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 江苏理工学院
Abstract: 本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。经试验证实，本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为5.3ns，而单层Ge2Sb2Te5传统相变薄膜材料反射率发生突变的时间约为39ns；说明与传统单层Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的相变薄膜材料具有更快的相变速度，从而使得用其制备的相变存储器具有更快的操作速度，有利于提高PCRAM信息读写的速度。
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公开(公告)号：CN104681720A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510067737.X
申请日：2015-02-09
Applicant: 江苏理工学院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，纳米薄膜材料的化学组成通式为（Sb70Se30）xN1-x，其中x=0.69～0.75。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制SbSe基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。
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