场致发射电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109585238B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811468465.4

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种场致发射电极,包括基底以及形成在基底上的金属电极层,所述金属电极层上设置有呈阵列排布的多个铟柱,每一铟柱的顶面设置有多条纳米线。其制备方法包括步骤:S10、提供基底并基底上沉积形成金属电极层;S20、在金属电极层上制备形成具有孔洞阵列的光刻胶掩膜板;S30、在光刻胶掩膜板上沉积铟材料然后剥离光刻胶掩膜板,获得呈阵列排布的多个铟柱;S40、将制备形成铟柱后的基底置于反应炉中,在每一铟柱的顶面上生长形成多条纳米线。本发明中的场致发射电极具有优异的场发射性能,其制备工艺简单,纳米线的生长可以在低温低压的条件下进行,生长条件简单温和、易于控制,能够有效地提高产品的品质并降低生产成本。

    基于超表面的太赫兹滤波器及其制作方法

    公开(公告)号:CN110571501A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910870387.9

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的太赫兹滤波器及其制作方法。该方法包括:提供衬底并对所述衬底进行预处理;在所述衬底上形成第一谐振层;在所述第一谐振层上形成第一介质层;对所述第一介质层的部分区域进行激光诱导处理,以在所述第一介质层中形成第二谐振层,其中,所述第二谐振层厚度小于所述第一介质层的厚度。该太赫兹滤波器包括:第一谐振层;第一介质层,设置于所述第一谐振层上;第二谐振层,形成于所述第一介质层中,且所述第二谐振层的厚度小于所述第一介质层的厚度。利用激光直写的方法制作第二谐振层与传统的光刻方法相比程序简单,可以有效地提高效率;同时激光直写设备与光刻系统相比节约很多的成本,有利于大范围推广。

    一种负极材料、负极及钾离子电池

    公开(公告)号:CN110336029A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910516308.4

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种负极材料、负极及钾离子电池。该负极材料包括活性物质,活性物质为芳烃或芳烃基复合材料。芳烃类有机材料具有丰富微孔结构、层间距较大、具有旋转通道,非常适合应用于钾离子电池中。负极包括集流体和涂覆在集流体上的负极材料,本发明提供的负极结构稳定性好、倍率性能优异,其制备方法也简单。钾离子电池,包括上述负极、正极和电解液,电解液包括钾盐和溶剂。本发明提供的由芳烃有机材料和对应的电解液体系组装的钾离子电池,具有良好的结构稳定性以及优异的倍率性能。

    一种硅橡胶泡沫的表面活化方法及硅橡胶泡沫

    公开(公告)号:CN117510974A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311499661.9

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 本申请提供的硅橡胶泡沫的表面活化方法及硅橡胶泡沫,将硅橡胶泡沫在氮气等离子体中进行处理,使硅橡胶泡沫的表面充分活化,经过氮气等离子体活化后,所述硅橡胶泡沫表面形成了N‑H键,C‑H及C=O键伸缩振动。在氮气等离子体处理过程中,高能粒子轰击硅橡胶泡沫,使其表面上层的C‑H键断裂后,氮原子与聚合物产生交联,从而产生N‑H键。硅橡胶表面上新产生的氨基活性基团能够改变材料的性能,提高其湿润性和黏着性等,加强了聚合物活性,为有机‑无机复合材料的制备打下了基础。

    大量程耐高温高压电阻式压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114112128B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202111203275.1

    申请日:2021-10-15

    Abstract: 本发明公开了一种大量程耐高温高压电阻式压力传感器及其制备方法,它包括导电纤维布,所述导电纤维布由方形纤维布和对称设置在方形纤维布一侧的两个电极安装纤维布组成,所述方形纤维布和两个电极安装纤维布形成倒U型结构,所述电极安装纤维布的端部表面黏附有电极。该方法将改性纳米导电材料与无水乙醇混合并进行超声处理,得到分散液;将绝缘纤维布粘在一片不锈钢片上,与另一片不锈钢片一同平行放入分散液中,在两片不锈钢片间通电进行电泳;烘烤,得到导电纤维布;加装黏附电极,得到具有耐高温、耐高压和测量范围大的特点的压力传感器。本发明的结构简单、其制备工艺难度低,易于大规模生产。

    一种直接型电磁辐射探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN113035900B

    公开(公告)日:2023-02-10

    申请号:CN202110216562.X

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 本发明适用于电磁辐射探测器领域,公开了一种直接型电磁辐射探测器及制备方法,直接型电磁辐射探测器包括电极层、封装层、N型半导体层、吸光层、P型半导体层、透明导电层和基底,透明导电层、P型半导体层、吸光层、N型半导体层、封装层和电极层从下至上依次设于基底上,透明导电层沿垂直于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的像素区域,电极层沿平行于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的光电信号采集区域,透明导电层和电极层电性连接,该探测器能够同时利用若干个光电信号采集区域同时对若干个像素区域进行信息采集,从而能够提高探测器的灵敏度,因此,只需要少量的电磁辐射的使用剂量就能够实现高灵敏度探测。

    光电探测器
    70.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111312836B

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202010112946.2

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中,所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器,可提高光电探测器膜结构的阻抗,有效降低光电探测器的暗电流,并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应,提高光电探测器的灵敏度。

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