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公开(公告)号:CN119936952A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202411916375.2
申请日:2024-12-24
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: G01T1/204
Abstract: 本申请涉及生物医学X射线成像技术领域,特别涉及一种基于钙钛矿量子点/b‑PBD液体闪烁体屏的X射线探测器,包括:基体以及设置在基体上的液体闪烁体屏;液体闪烁体屏包括液体闪烁体面板;液体闪烁体面板为中空的圆柱体,液体闪烁体面板内部通过环氧树脂胶封装有钙钛矿量子点/b‑PBD溶液;钙钛矿量子点/b‑PBD溶液中的钙钛矿量子点的分子式为CsPbX3,其中X为Cl,Br或I中的一种或多种混合;基体为CMOS图像传感器或硅基光电二极管。本申请将钙钛矿量子点/b‑PBD液体闪烁体屏和CMOS图像传感器或硅基光电二极管封装集成,工艺流程简单,且闪烁体面板高度可灵活调制,最终集合成一种高稳定性的X射线探测器。
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公开(公告)号:CN118213417A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410264810.1
申请日:2024-03-08
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,本发明提供了一种CIGS太阳能电池栅电极、CIGS太阳能电池及其制备方法。本发明提供的CIGS太阳能电池栅电极的制备方法,利用丝网印刷法固化得到二维材料层(如氧化石墨烯层),再固化得到导电银浆层,二维材料层(如氧化石墨烯层)作为导电银浆层与窗口层的界面层,从而可以避免银浆从多晶的晶界面处渗入直接与背电极Mo接触造成电池短路的问题;利用丝网印刷两步法制备栅电极,可以降低电阻,提升太阳能电池的开路电压和短路电流,并进一步提高载流子的收集能力以及填充因子FF值;且丝网印刷法制备栅电极成本低廉、工艺简单、制作周期短、节省原料。
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公开(公告)号:CN118166321A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410264811.6
申请日:2024-03-08
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明涉及靶材生产加工技术领域。本发明提供了一种铜铟镓硒四元靶材的绑定工艺。本发明提供的铜铟镓硒四元靶材的绑定工艺,通过使用低熔点铟锡合金和高熔点铟双层材料对铜背板和四元材料靶材CIGS进行绑定,有效避免在加热过程中高熔点金属产生的残余应力对靶材造成的影响,大大提高了靶材绑定过程中的稳定性和准确性,有效消除了在使用过程中靶材开裂的可能性;同时避免了低熔点金属在溅射过程中出现熔化的问题,对靶材的使用造成不良的影响。
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公开(公告)号:CN117144476A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311110666.8
申请日:2023-08-31
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及钙钛矿单晶制备技术领域,更具体地说,它涉及一种溶液法在玻璃衬底上生长金属卤化钙钛矿单晶的方法。所述方法通过在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上旋涂聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)薄膜,滴加卤化物钙钛矿溶液,进行温度调控,以生长出卤化物钙钛矿单晶,制得生长卤化物钙钛矿单晶。由于本申请中所生长出的是卤化物钙钛矿单晶,相较与卤化物钙钛矿多晶薄膜,缺陷会比后者低好几个数量级,大幅改善光电性能,直接在玻璃衬底上进行卤化物钙钛矿单晶的生长,以便于后续进行一系列的异质结调控。
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公开(公告)号:CN117100295A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202310887509.1
申请日:2023-07-19
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 深圳市卓茂科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿量子点/CdS/PPO液体闪烁体屏的高稳定性X射线探测器及其制备方法,该X射线探测器包括设置在基体上的液体闪烁体屏。其中,液体闪烁体屏包括闪烁体面板、钙钛矿量子点/CdS/PPO溶液以及环氧树脂胶。PPO可以显著增强量子点在X射线下的发光强度。环氧树脂胶具有良好的粘接强度和耐化学性能,且固化条件为常温固化,固化后不仅具有良好的透光性能,而且能够很好地隔绝水和氧气。因此用环氧树脂密封注射小孔,可以提高量子点的稳定性。工艺流程简单,且闪烁体面板高度可灵活调制,最终集合成一种高稳定性的X射线探测器。
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公开(公告)号:CN113690482A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202110884496.3
申请日:2021-08-03
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01M10/0562 , H01M10/052
Abstract: 本申请提供的固态电解质晶界面的处理方法,对固态电解质的表面进行处理,使其表面光滑,将表面处理过的所述固态电解质于H2Se气体中进行退火处理,对退火处理后的所述固态电解质进行清洗,本申请提供的固态电解质晶界面的处理方法,通过对固态电解质晶界处的修饰,使其电势差降低,既得到的固态电解质将拥有更大的临界电流密度,更难以生成枝晶,即拥有更高的循环寿命。该方法实现了创新且快速高效的制备工艺,可做到规模化制备样品。另外,本申请还提供了一种固态电解质及固态电池。
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公开(公告)号:CN113206120A
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN202110488819.7
申请日:2021-04-30
Applicant: 深圳先进技术研究院 , 深圳市卓茂科技有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , A61B6/00 , G01T1/20 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种多光谱型X射线探测器及其制备方法,该X射线探测器包括:信号采集基底,与光电转换单元电连接,用于采集光电转换单元的电信号;光电转换单元,设置于信号采集基底上,用于对闪烁体层转换出的荧光进行光电转换;闪烁体层,设置于光电转换单元上,用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元;其中,所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层;所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面,所述出光面连接至所述光电转换单元,所述入光面为与出光面相交的侧面。本发明的多光谱型X射线探测器具有高灵敏度和高能谱分辨率的优良特性。
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公开(公告)号:CN113035900A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110216562.X
申请日:2021-02-26
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明适用于电磁辐射探测器领域,公开了一种直接型电磁辐射探测器及制备方法,直接型电磁辐射探测器包括电极层、封装层、N型半导体层、吸光层、P型半导体层、透明导电层和基底,透明导电层、P型半导体层、吸光层、N型半导体层、封装层和电极层从下至上依次设于基底上,透明导电层沿垂直于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的像素区域,电极层沿平行于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的光电信号采集区域,透明导电层和电极层电性连接,该探测器能够同时利用若干个光电信号采集区域同时对若干个像素区域进行信息采集,从而能够提高探测器的灵敏度,因此,只需要少量的电磁辐射的使用剂量就能够实现高灵敏度探测。
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公开(公告)号:CN112820751A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202110180980.8
申请日:2021-02-09
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L27/146 , G01T1/20
Abstract: 本发明公开一种基于钙钛矿量子点的阵列式X射线探测器及其制备方法。所述阵列式X射线探测器包括:阵列式闪烁体屏,具有阵列分布的若干密封孔,每个所述密封孔中填充有钙钛矿量子点液体,所述密封孔的密封端透光且所述密封孔的侧壁不透光;图像传感器,设置于所述阵列式闪烁体屏的一端,用于接收钙钛矿量子点液体在X射线辐照下产生的可见光。通过将闪烁体层进行像素化处理,形成多个独立的探测单元,可以避免可见光相互干扰,在不增加探测器整体面积的前提下,可以探测更多束X射线,以提升成像的空间分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号:CN112054074A
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN202010908886.5
申请日:2020-09-02
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法,光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层,CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7~1;和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48~0.52,通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流,从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器,相对于整面探测器降低了有效接触面积,进一步提升了光电探测性能。
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