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公开(公告)号：CN118119195A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410336825.4
申请日：2024-03-22
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及电池技术领域，所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的第一电极、钙钛矿吸光层、界面修饰层、电子传输层和第二电极，所述界面修饰层包括无定形碳以及结合在所述无定形碳上的氢原子。本发明界面修饰层中的无定形碳是非晶态的，含有大量的二维石墨烯层或三维石墨微晶等，氢原子与无定形碳结合后，调控无定形碳的电学性能，降低无定形碳的导电性，控制钙钛矿吸光层和电子传输层之间的可发生非辐射复合的接触区域面积，同时结合有氢原子的无定形碳材料具有很好的耐湿性，且不与水发生反应，进而可替代LiF来减少钙钛矿太阳能电池界面的非辐射复合，提升钙钛矿太阳能电池的开路电压。
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公开(公告)号：CN117396006A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311120869.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，它涉及一种胍基氨基酸添加剂调控的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的基底电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、空穴阻挡层和金属电极；所述钙钛矿吸光层中含有胍基氨基酸添加剂，所述胍基氨基酸添加剂浓度为50mg/mL，所述胍基氨基酸添加剂溶解于DMF和DMSO的混合溶剂，所述混合溶剂的比例为DMF：DMSO＝3：1(vt％)，所述混合液与钙钛矿前驱体溶液混合，混合摩尔比为(0.1％～10％)：1，制得钙钛矿吸光层。提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率以及稳定性。
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公开(公告)号：CN118660601A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410420731.5
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。制备方法包括：提供带有沟道界面的钙钛矿太阳能电池组件半成品；采用紫外线和臭氧对所述钙钛矿太阳能电池组件半成品进行处理，在所述沟道界面处形成氧化铅薄膜，得到所述钙钛矿太阳能电池组件。本发明通过使用紫外和O3双重作用钝化界面，且促进生成氧化铅(PbOx)薄膜可抑制钙钛矿电池模的沟道界面的横向扩散，阻挡Pb+与I‑向Ag扩散以及Ag+向钙钛矿扩散，不仅能增强器件稳定性，同时通过减少电流泄漏损耗来提升开路电压Voc和填充因子FF，从而提升钙钛矿组件的性能，解决了钙钛矿太阳能电池组件的沟道界面横向互相扩散问题。
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公开(公告)号：CN117261002A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311090026.5
申请日：2023-08-28
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: B28D5/04 , C30B33/00 , C30B29/54 , C30B29/12 , C30B29/46 , B28D7/04 , B28D7/00 , B24B29/02 , B24B1/00
Abstract: 本申请涉及钙钛矿单晶制备技术领域，更具体地说，它涉及一种金属卤化物钙钛矿单晶的机械加工处理方法。所述金属卤化物钙钛矿单晶为金属卤化钙钛矿材料，所述金属卤化钙钛矿材料的化学结构式为ABX3，所述方法为对所述金属卤化物钙钛矿单晶的线切割、打磨、抛光，利用抛光膏和钻石油对所述金属卤化物钙钛矿单晶进行抛光处理。同时实现不损伤钙钛矿单晶表面和钙钛矿单晶的电荷收集效率的情况下，解决钙钛矿单晶在机械加工中的表面粗糙度需求，进而在提升相应光伏器件性能的同时并不增加钙钛矿单晶表面抛光的制备难度。
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公开(公告)号：CN118368954A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410409428.5
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H10K71/16 , H10K30/15 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池的制备方法包括：提供FTO衬底；在所述FTO衬底上采用原子层沉积技术制备氧化锡界面修饰层；在所述氧化锡界面修饰层上制备空穴传输层，所述空穴传输层包括单分子自组装材料；在所述空穴传输层上制备钙钛矿吸光层；在所述钙钛矿吸光层上制备电子传输层；在所述电子传输层上制备电极，得到所述钙钛矿太阳能电池。本发明使用氧化锡作为钙钛矿薄膜太阳能电池的界面修饰层，解决了SAMs覆盖不足导致的电压损失问题。该氧化锡界面修饰层通过原子层沉积方法生长在FTO衬底上，有效修饰并增强了SAMs材料的附着效果，提高了钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118317668A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410435581.5
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开一种自组装单分子层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。自组装单分子层的制备方法包括步骤：将以膦酸为锚定基团的自组装分子材料和/或以羧酸为锚定基团的自组装分子材料，与N，N‑二甲基甲酰胺进行混合，得到混合液；将混合液涂覆在衬底上，退火后，得到自组装单分子层。相比于醇类溶剂，N，N‑二甲基甲酰胺更适合溶解自组装分子材料，能够打散自主装分子材料形成的胶束，使得制备得到的自组装单分子层表面的聚集得到缓解，得到质量良好的自组装单分子层的同时提高自组装分子层在大面积衬底上的覆盖度，进而提升钙钛矿前驱体溶液在衬底上的浸润性，使得钙钛矿薄膜的结晶度更好，进一步提高器件性能。
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公开(公告)号：CN117241594A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311090086.7
申请日：2023-08-28
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及太阳能电池制备技术领域，更具体地说，它涉及一种钙钛矿太阳能电池组件及大面积均匀钙钛矿薄膜的制备方法。所述的钙钛矿薄膜太阳能电池组件结构由下至上可分为衬底、空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿吸收层、电子传输层、空穴阻挡层、背电极；所述钙钛矿吸收层通过增加DMF预浸润制得。解决了在p‑i‑n反式结构大面积钙钛矿薄膜溶液法制备过程中的薄膜均一性需求和孔洞缺陷问题。
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公开(公告)号：CN117144476A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311110666.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及钙钛矿单晶制备技术领域，更具体地说，它涉及一种溶液法在玻璃衬底上生长金属卤化钙钛矿单晶的方法。所述方法通过在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上旋涂聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)薄膜，滴加卤化物钙钛矿溶液，进行温度调控，以生长出卤化物钙钛矿单晶，制得生长卤化物钙钛矿单晶。由于本申请中所生长出的是卤化物钙钛矿单晶，相较与卤化物钙钛矿多晶薄膜，缺陷会比后者低好几个数量级，大幅改善光电性能，直接在玻璃衬底上进行卤化物钙钛矿单晶的生长，以便于后续进行一系列的异质结调控。
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公开(公告)号：CN118317665A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410416565.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。钙钛矿太阳能电池组件的制备方法包括步骤：在基底电极上涂覆空穴传输层的前驱体溶液，经退火，得到空穴传输层；其中空穴传输层的前驱体溶液包括[2‑(3,6‑二甲氧基‑9H‑咔唑‑9‑基)乙基]膦酸；在空穴传输层上涂覆钙钛矿薄膜的前驱体溶液，经退火，得到钙钛矿薄膜。本发明通过调控选择MeO‑2PACz空穴传输层作为大面积钙钛矿薄膜的衬底，可以显著改善组件的空穴传输层的功函数均一性，还可以提升衬底表面浸润性，从而提升钙钛矿薄膜的前驱体溶液在该衬底上的铺展能力，进而获得均一、无孔洞的大面积钙钛矿薄膜，以确保大面积钙钛矿太阳能电池组件的性能。
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公开(公告)号：CN117794333A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311114648.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，它涉及一种柔性高效率大面积钙钛矿太阳能电池的空穴传输层优化结晶方法。采用刮涂法在氧化铟锡(ITO)和掺氟氧化锡(FTO)透明导电玻璃上制备空穴传输层、界面修饰层、金属卤化钙钛矿层、电子传输层、空穴阻挡层和电极层，选取NiOx溶解于超纯水中用来界面修饰层，所述NiOx溶解于超纯水用于大面积钙钛矿层抑制结晶。利用NiOx对其衬底进行修饰，抑制钙钛矿薄膜在衬底上结晶析出来提升器件的效率，并影响钙钛矿薄膜生长过程以改善薄膜顶界面光电性质均一性。
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