-
公开(公告)号：CN106747412B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201611149340.6
申请日：2016-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/462 , C04B35/634 , C04B35/626 , C04B35/64 , C03C3/066
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Ti基LTCC微波介电陶瓷材料及其制备方法。本发明首先将(Mg0.95Co0.05)2TiO4与Li2TiO3进行复合，然后再借助LMZBS玻璃掺杂助熔来实现整个材料体系的900～950℃低温烧结。最终实现在900℃低温烧结下最佳性能可达到介电常数：εr＝16.6,Q×f＝125800GHz，τf＝1.4ppm/℃。本发明兼具超低损耗、近零谐振频率温度系数以及低温烧结的高性能，其介电常数εr为16.6～17.1，Q×f值为88400～125800GHz，谐振频率温度系数τf为1.3～5.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。
-
公开(公告)号：CN109856821A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910240257.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用，可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20％左右的调制深度。
-
公开(公告)号：CN109809807A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910237811.6
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01Q1/38 , H01Q21/06
Abstract: 一种基于M型钡铁氧体材料的小型化阵列天线，属于天线基板材料技术领域。所述阵列天线的基板材料为镧(La)和钴(Co)取代的M型钡铁氧体，配方为BaFe(12-5x)(LaCo)3xO19，其中，0＜x≤0.12。本发明通过镧和钴在M型钡铁氧体中的占位和离子磁矩的大小，可以使得M型钡铁氧体的相对磁导率得到提升，缺少一个铁的(BaFe(12-5x)(LaCo)3xO19)配方可以使得M型钡铁氧体的相对介电常数降低。
-
公开(公告)号：CN105576327B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510963086.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/19
Abstract: 一种基于LTCC技术的基片集成波导式铁氧体移相器，属于微波通信器件领域。包括介质基板、铁氧体块和介质块，所述铁氧体块嵌入介质基板中且沿基片集成波导的传输方向贯穿介质基板，所述介质块嵌入铁氧体块中且沿基片集成波导的传输方向贯穿铁氧体块，介质基板、铁氧体块和介质块的中心相同；所述铁氧体块上绕制n匝螺线管线圈，螺线管线圈的两个端口之间施加电压脉冲。本发明基于LTCC技术的基片集成波导式铁氧体移相器与传统矩形波导式铁氧体移相器相比，体积大大减小，同时可以通过微带线等结构与有源电路连接，有利于实现移相器的小型化以及与其他微波有源电路的集成；且得到的铁氧体移相器具有插入损耗低和平均功率容量大的优异性能。
-
公开(公告)号：CN106229649B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610584976.7
申请日：2016-07-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于天线技术领域，提供一种基于LTCC技术的基因组单元紧凑共形阵列天线，用于克服现有圆极化微带贴片阵列天线在兼顾其低剖面、圆极化、高增益以及宽频带方面的不足。该天线包括从下往上依次层叠的接地金属层、下层介质基板、下层金属贴片天线、上层介质基板、上层金属贴片天线，下层金属贴片天线由呈阵列排布的下层金属贴片单元构成，所述上层金属贴片天线由与下层金属贴片单元对应设置的上层金属贴片子阵构成，每个上层金属贴片子阵与其对应的下层金属贴片单元中心重合、共同构成一个基因组单元。本发明能够在相同阵元数目限制下尺寸更小、增益更高、圆极化性能更好，而且频率带宽也更宽，并且结构简单易于加工。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545956A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811308918.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。本发明提供的一种电压可调控的各向异性磁阻传感器在实现良好的传感特性的同时，还具有磁场探测范围和磁电阻变化率同时可调的特性，可广泛应用于转速控制、角度控制、磁场探测和磁开关等智能控制领域。
-
公开(公告)号：CN109445514A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811126473.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度随机跳频DDS频率合成器，属于信号源技术领域。本发明包括FPGA主控模块、DDS芯片、PLL参考源模块、电源管理模块、低通滤波器。本发明能够很快的得出所需频率控制字，将跳频时间减少至百纳秒内，大大提升性能，并通过在FPGA内实现伪随机序数，实现随机跳频；采用DDS芯片AD9914的可编程调制模式提高频率精度；让需要更新的频率控制字计算更快，寄存器个数变少，并通过并行口下发控制字，实现快速频率跳变；通过利用LFSR线性反馈移位寄存器产生伪随机数，计算得到随机频率点，通过FPGA内部运算得到随机频率控制字，从而实现随机跳频。
-
公开(公告)号：CN106025464B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610392532.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 一种基片集成波导式腔体滤波器，属于微波通信器件技术领域。包括输入馈电线、输出馈电线和多个基片集成波导谐振腔，所述基片集成波导谐振腔的个数为m×n×p，其中，m、n、p分别为三维坐标系中x方向、y方向、z方向上的基片集成波导谐振腔的个数；所述输入馈电线、输出馈电线与基片集成波导谐振腔之间采用共面波导和金属柱的方式进行耦合，相邻的基片集成波导谐振腔之间通过金属柱的方式、或者通过开窗的方式进行耦合，叠层的基片集成波导谐振腔之间通过开窗的方式进行耦合。本发明提供的基片集成波导式腔体滤波器有利于实现滤波器的小型化以及与有源电路的集成，同时还具有一体化制作、可靠性高等优点。
-
公开(公告)号：CN105810708B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610142101.1
申请日：2016-03-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/20 , H01L27/22 , H01L41/187 , H01L43/12
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚度10nm～500微米，上电极厚度10‑500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm。使用时，将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上，PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好，使用方便；节约能源；中心频率连续可调。
-
公开(公告)号：CN108560035A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810015175.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 一种低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法，属于异质结薄膜制备技术领域。本发明以TiO2纳米管阵列为基底，通过浸泡的方式使醋酸锌前驱液进入纳米管内部，再经热处理使醋酸锌在纳米管内原位热分解，并以TiO2纳米管为模板在管壁内外形成ZnO&TiO2异质结。本发明方法操作简单，成本低，可实现大规模工业化生产，得到的异质结的光催化性能相对于TiO2纳米管阵列薄膜有显著地增强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
607
records
(took 0.049 seconds)
