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公开(公告)号：CN1265893C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410033075.6
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B05D1/40 , C04B35/628 , C04B35/462 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/65 , Y10T428/24926
Abstract: 一种陶瓷材料的涂覆方法，通过旋转涂覆在基体上涂覆含有复合氧化物的陶瓷材料而形成涂覆膜，其中包含在规定转数下，使前述的基体旋转的第1旋转工序、在小于前述第1旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第2旋转工序以及在大于前述第2旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第3旋转工序。
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公开(公告)号：CN1763957A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112895.9
申请日：2005-10-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器(1000)的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板(10)的上方依次层积下部电极层(20)、铁电体层(30)、以及上部电极层(40)，形成铁电体层积体；(b)对铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器(100)；(c)通过物理气相沉积法，形成覆盖铁电体电容器(100)的第一屏障膜(50)；(d)通过化学气相沉积法，形成覆盖第一屏障膜(50)的第二屏障膜(60)。
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公开(公告)号：CN1566024A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN200410071215.9
申请日：2001-06-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/624 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 陶瓷膜的制造方法，包括使原材料体20结晶化而下层陶瓷膜30的过程，原材料体20，以种类不同的原料混合存在的状态含有，种类不同的原料彼此存在在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方相互不同的关系。按照本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。
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公开(公告)号：CN1185365C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN01800693.0
申请日：2001-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 名取荣治
IPC: C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L27/10 , H01L41/22
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/452
Abstract: 本发明的陶瓷的制造方法包括：将至少形成陶瓷原材料一部分的原料材料微粒子和活性材料进行混合以后供给基体(10)，并在基体(10)上面形成陶瓷膜(20)的工序。制造设备具有：兼任基体(10)的加热部分的配置部分(40)、用于在微粒子的状态供给原料材料的原料材料供给部分(200)、用于供给活性材料的活性材料供给部分(100)、以及用于混合原料材料和活性材料的混合部分(300)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1551258A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007843.0
申请日：2004-03-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01G4/12 , C04B35/622 , H01L21/31 , H01L21/82 , H01L27/10
CPC classification number: H01L21/02356 , C04B35/491 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括在加压到2个大气压或2个大气压以上的状态下，对含有复合氧化物的原材料体进行热处理使结晶化的工序，作为构成元素，复合氧化物含有Pb或Bi，原材料体由溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物构成，该溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物，相对于上述复合氧化物的化学计算法的组成，至多5％过剩含有复合氧化物的构成元素中的至少Pb或Bi。
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公开(公告)号：CN1538523A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031478.7
申请日：2004-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C30/00 , C30B5/00 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1％以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔％以上、40摩尔％以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN1519941A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310124653.2
申请日：2003-12-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/31 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L41/08
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31691
Abstract: 一种强电介质薄膜，其特征在于，在薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域和90°区域按同一角度旋转，由高取向多晶体构成，所述高取向多晶体的特征在于，在同一电场中反转。
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公开(公告)号：CN1511340A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03800301.5
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L27/105 , H01L41/09 , H01L41/24
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供一种强电介体薄膜的制造方法。由两种以上的原料溶液构成的强电介体薄膜在基板的某一平面内在膜厚方向中使之均匀地混合。或者在一平面内在膜厚方向中使之具有原料溶液分布地混合。由具有两个以上的喷墨头的喷墨装置将两种原料溶液(105、106)由各自的喷墨头以一定的喷出量喷出，因此可以制作在一平面内均匀混合的强电介体薄膜，通过反复进行这个作业，在薄膜的膜厚方向也可以制作均匀混合的强电介体薄膜。而且，通过改变膜厚方向或面内方向的喷出量，可以制作具有原料溶液分布混合的强电介体薄膜。
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公开(公告)号：CN1388793A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN01802497.1
申请日：2001-06-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C01G1/00
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/624 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 陶瓷膜的制造方法,包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序,原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料,种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法,能够改善陶瓷膜的表面形态。
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