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公开(公告)号：CN102971832A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032349.8
申请日：2011-05-31
Applicant: 默克专利有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/368 , C23C18/00 , H01L31/00
CPC classification number: H01L31/1828 , C23C18/1204 , C23C18/1275 , C23C18/1295 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及包含各种金属（Cu/In/Zn/Ga/Sn）、硒和/或硫的半导体无机薄膜的制备方法。该方法使用包含具有肟根配体的金属络合物的分子前体。在环境条件下在低温下以高纯度制备I-III-IV2-类型的铜基黄铜矿。该薄膜可用在光伏板（太阳能电池）中。
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公开(公告)号：CN102017163B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980116052.2
申请日：2009-03-09
Applicant: 斯里克材料公司
Inventor： 卡梅尔·奥纳德杰拉 , 让·帕特里斯·拉科托尼爱纳 , 马丁·卡斯 , 迪尔克·齐克克尔曼 , 阿兰·布洛斯 , 阿布德尔拉蒂夫·策尔加 , 马蒂亚斯·霍伊尔 , 弗里茨·基尔施特
IPC: H01L31/00
CPC classification number: C23C18/1692 , C23C18/1603 , C23C18/1605 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C25D7/12 , H01L31/02168 , H01L31/02245 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明披露了由升级的冶金级硅形成太阳能电池器件，其已接受至少一种缺陷设计工艺，并包括低接触电阻电路径。抗反射涂层形成于发射极层上而背接触形成于本体硅衬底的背面上。该光伏器件可以在可避免先前缺陷设计工艺逆转的足够低的温度下烧制形成背面电场。该工艺进一步在抗反射涂层中形成开口并在该涂层中的开口上形成低接触电阻金属层，如镍层。该工艺可以对低接触电阻金属层退火而形成n-掺杂部分并完成n-掺杂层的电传导路径。这种低温金属化(例如，＜700℃)支持使用UMG硅用于太阳能器件形成而不存在逆转早期缺陷设计工艺的风险。
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公开(公告)号：CN102859706A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180012910.6
申请日：2011-01-01
Applicant: TRI阿尔法能源公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/0725 , G01T1/28 , G21H1/04 , G21H1/06 , H01L31/0352 , H01L31/115 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供了用于将高能光子的能量转换成电力的系统和方法，所述系统和方法采用带有不同原子电荷的一系列材料，以利用通过单个高能光子经一连串俄歇电子发射的大量电子发射。在一个实施例中，高能光子转换器优选地包括由夹在第二材料的层之间的第一材料的层构成的线性分层纳米级晶圆，其中所述第二材料的原子电荷数不同于所述第一材料的原子电荷数。在其他实施例中，纳米级的层以管状或壳状构型被构造和/或包括第三绝缘材料的层。
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公开(公告)号：CN102822985A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015387.2
申请日：2011-04-06
Applicant: 高菲欧股份有限公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02628 , H01L21/02661 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明披露了外延结构、产生外延结构的方法、以及含有此外延结构的器件。该方法与结构使用了液相IVA族半导体元素前体油墨(例如含有环硅烷和/或聚硅烷)且具有较良好的薄膜质量(例如纹理、致密度和/或纯度)。当沉积在(多)晶性基板表面上并经由加热足以使该IVA族半导体前体薄膜或特征部采取基板表面的(多)晶性结构时，IVA族半导体元素前体油墨会形成外延薄膜或特征部。相较于那些含有以非本发明的外延结构制成的选择性发射体的器件而言，含有具有本发明的外延结构的选择性发射体的器件会呈现出较佳的能量转换效率，这是因为其薄膜质量较佳和/或其外延薄膜与形成于该薄膜上的接点之间的区域中形成了完美的界面。
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公开(公告)号：CN102822984A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180006800.9
申请日：2011-01-27
Applicant: 索莱克山特公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/073 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种新的薄膜光电器件和制造方法。该器件包括位于吸收剂层与电极之间且使背接触和器件效率提高的界面层。界面层包括含有Ma-（VIA族）b化合物的材料，其中M是过渡金属，VIA族是指Te、Se和/或S。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822983A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080061700.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 纳比尔·M·劳安迪
Inventor： 纳比尔·M·劳安迪
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01G9/2004 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2068 , H01G9/209 , Y02E10/542
Abstract: 本发明揭示一种使用染料敏化太阳能电池的方法，所述方法包含提供染料敏化太阳能电池，所述染料敏化太阳能电池具有：第一电极，其具有第一折射率的透明衬底；第二电极，其具有与所述第一折射率相当的第二折射率的第二透明衬底；及电解质溶液，其在所述第一电极与所述第二电极之间的间隙中。从所述间隙移除且用具有与所述第一折射率及所述第二折射率相当的第三折射率的惰性流体更换所述电解质溶液，以允许光实质上无折射地穿过所述电池。或者，所述惰性流体在所述第一电极与所述第二电极之间的所述间隙中，且从所述间隙移除且用电解质溶液更换所述惰性流体。
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公开(公告)号：CN101277004B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810087482.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 冈瑟斯佩尔斯堡有限责任两合公司 , 多接触股份公司
Inventor： W·格鲁尔 , A·布鲁格-艾伦斯帕克
IPC: H02G3/08 , H02G3/18 , H01R13/11 , H01L31/00 , H01L31/048
CPC classification number: H02S40/34
Abstract: 本发明涉及一种配电盘，用于太阳能装置所用的一种光电模块的电连接，它配有一个基本部分(1)，以用于安装在光电模块上和用于光电模块的联接导线的电连接；还配有另外的部分，用于安装到基本部分(1)上。依本发明，该另外的部分是作为功能部分(2)设计的，它具有至少一个承担着一种电功能和/或电子功能的功能装置。依此提供这样一种配电盘，它可以简单地实现安装、还可在出现毛病的情况下简单地实现有毛病的部件的更换。
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公开(公告)号：CN102770969A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080064460.0
申请日：2010-12-21
Applicant: 第一太阳能有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/00
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/0392 , H01L31/073 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造结构的方法可包括在透明导电氧化物层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括含有锌和锡的层，所述透明导电氧化物层包括含有镉和锡的层。
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公开(公告)号：CN101821854B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880110922.0
申请日：2008-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/46 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明大体包括一种在微晶硅沉积期间用以动态控制太阳能电池基板的温度的方法。在非晶硅/微晶硅串接太阳能电池中，微晶硅可以使用比非晶硅更高的功率密度来沉积，并且被沉积到比非晶硅更厚的厚度。所施加的功率密度越高，沉积速度越快，但沉积温度可能也会增加。在高温时，掺杂质扩散进入太阳能电池的本征层且破坏太阳能电池的可能性更大。通过动态控制载座的温度，基板以及因此掺杂质都可以被维持在掺杂质会扩散进入本征层的温度以下的实质恒定温度。动态温度控制允许微晶硅能以高功率密度来沉积而不会破坏太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102695776A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080053368.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 艾尼股份公司
CPC classification number: H01L31/0256 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1051 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及包括具有通式（I）或（Ia）的并苯化合物和具有通式（II）的苯并噻二唑化合物的光致发光组合物及其作为光谱转换器中的光致发光组合物的相关用途。还描述了包括上述定义的包括具有通式（I）或（Ia）和（II）的上述化合物的光致发光组合物的光谱转换器和包括该光谱转换器的太阳能装置。
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