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公开(公告)号：CN107986285A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711265493.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C04B35/10 , C04B35/622 , C23C12/00 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种还原炉底盘及其涂层制备方法，还原炉底盘采用不锈钢制成，底盘表面具有银涂层，可以使底盘表面保持较低的温度，进而杜绝无定型硅在底盘表面形成黑色膜层，使无定型硅以颗粒形式富集在底盘表面；底盘电极卡槽以及底盘表面绝缘面喷涂有银/氧化铝复合膜层，复合膜层使得氧化铝与基体结合强度更强，不易造成应变破裂；将外置绝缘保护变为内置绝缘保护，大幅提高了底盘与电极之间的绝缘性能；筛网表面设置有银/氧化铝复合涂层，复合涂层具有耐腐蚀、热稳定性高、耐冲刷等优点；该底盘涂层喷涂方法的优点是，涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率可超过98％，且涂层制备过程的生产效率高。
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公开(公告)号：CN107961959A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711189046.2
申请日：2017-11-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种冷喷涂制备还原炉内壁涂层的方法，以拉法尔喷嘴加速经加热的压缩气体作为工作载气，高速的载气加速原材料粉末从喷枪喷出，以低温、高速和完全固态下碰撞还原炉内壁，原材料颗粒与还原炉内壁同时发生剧烈的塑性变形后沉积在内壁表面，进而通过颗粒的堆积效应形成涂层。该方法的优点是，涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率可超过98％；涂层制备生产效率高，每小时能制备20kg以上的涂层材料，一次喷涂厚度可超500μm；涂层粒子与周围气氛不发生反应，几乎完全保留了原材料相同的特性；允许粒径分布较广的材料作为涂层原料，提高了原料利用率；涂层与基体的结合强度高，高温运行过程中不容易脱落，具有较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107720759A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711115897.2
申请日：2017-11-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B3/50 , C01B7/07
CPC classification number: C01B33/10778 , C01B3/50 , C01B7/0706
Abstract: 本发明涉及电子材料生产技术领域，公开了一种光纤级四氯化硅的制备方法及多晶硅生产中还原尾气的处理方法。光纤级四氯化硅的制备方法包括从还原尾气中分离出氯硅烷混合液、从氯硅烷混合液中分离出初级四氯化硅以及对初级四氯化硅进行提纯。其最大限度地利用中间产物，极大地降低生产体系对外界的依赖程度，成本较低。多晶硅生产中还原尾气的处理方法包括利用上述的光纤级四氯化硅的制备方法对多晶硅生产中还原尾气进行处理，并将前两次分离步骤所得的氢气、氯化氢、二氯二氢硅及三氯氢硅作为多晶硅生产的原料进行贮存，较大的利用中间产物，生产的三废排放量显著减小，利用中间产物生产出光纤级四氯化硅，创造了较大的经济效益。
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公开(公告)号：CN107720756A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711067662.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉体、底盘和电极，还原炉的内部分成热气流层、晶硅生长区及冷气流层三个区域，冷气流层位于还原炉的底部，其与底盘相接；在底盘设置有氢气喷嘴，通过氢气喷嘴朝还原炉喷射氢气气流形成冷气流层；热气流层位于还原炉的顶部，热气流层底部与硅棒顶部的距离为100-500mm。本发明具有以下优点：第一，多晶硅硅棒高度低于还原炉顶部热气流层，避免硅棒暴露在顶部热气流层而导致硅棒横梁熔断、生长菜花料；第二，多晶硅生长区气相及多晶硅棒温度均保持在适合物料反应、沉积的温度，可以产出具有高品质的多晶硅整棒；第三，冷气流层可使还原炉底部始终保持在低温状态，阻止物料沉积在磁环、石墨底座及电极上。
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公开(公告)号：CN107601510A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710858917.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的装置及方法，其能够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的装置，其包括用于将经导流口流出的熔融液硅分散的旋转装置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；熔融多晶硅经导流口落在高速旋转的转盘上，高速转盘沿切向甩出分散多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的装置，因此也具备有上述的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106915746B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710218196.5
申请日：2017-04-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种48对棒还原炉底盘，包括有底盘本体和电极，电极具有48对，分列成四道圆环状结构设置于底盘上形成四圈电极环，从内往外依次为电极一环、电极二环、电极三环和电极四环；每一圈电极环的两侧均设有一圈由若干出气口构成的出气环和一圈由若干进气口构成的进气环；进气环共设置有三圈，其中电极一环的内侧和电极四环的外侧各设有一圈。本发明的主要有益效果有：可以促进硅棒表面的物料气循环，获得优质的多晶硅棒；可以实现钟罩内壁的内部冷却，缩减钟罩内壁的清洁频次，降低炉内热辐射损失并提高生产效率；可以提高物料转化率，降低生产能耗。
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公开(公告)号：CN106809840A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710185867.2
申请日：2017-03-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10721
Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的制备方法，属于有机硅和多晶硅技术领域。分别将氯气和聚氯硅烷通入反应器中，在紫外光照射和/或催化剂作用下反应得到四氯化硅。此制备方法清洁环保、条件温和、环境安全、能耗较低、工艺简便，易于实现，可实现产业化推广运用。
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公开(公告)号：CN106748647A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611035803.6
申请日：2016-11-23
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C07C29/152 , C07C29/153 , C07C31/04
CPC classification number: Y02P20/52 , C07C29/152 , C07C29/153 , C07C31/04
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳低温等离子氢化法甲醇制备工艺，按以下步骤进行，预混合；预加热：加热温度为15～50℃；反应：导入至DBD集成反应器中进行反应；分离：将反应后所得产物，包括甲醇、水以及未反应的二氧化碳和氢气在分离单元中进行分离；提纯，纯甲醇以液体形式进入产品罐中。本发明具有以下优点和有益效果：第一，可以将二氧化碳高效地转化为甲醇，驱动能源可以选择太阳能等清洁能源；第二，可以在接近室温条件下完成反应，反应条件温和，二氧化碳转化效率高，对设备要求低，成本更低；第三，气体放电过程中会产生大量的光辐射，当DBD与催化剂协同使用时，可以有效利用光辐射，极大促进二氧化碳的转化。
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公开(公告)号：CN106744685A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611020410.8
申请日：2016-11-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B3/50
Abstract: 本发明提供一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法，属于电子级多晶硅生产中尾气的提纯技术领域。将含有Cl2、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使Cl2活化得到氯自由基，氯自由基与氢化物反应得到含氯化合物，将含氯化合物与循环氢气分离。此深度净化方法中，循环氢气中含有微量Cl2，微量Cl2在等离子体装置中由于强电磁场作用会充分活化，形成具有强取代活性的氯自由基，氯自由基会优先与氢化物发生取代反应，使其转变高沸点、强极性的物质，容易与循环氢气分离；不引入外杂质、反应副产物只有微量HCl，容易与循环氢气分离；等离子体活化可使Cl2活化更加充分，达到循环氢气深度净化的目的。
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公开(公告)号：CN106449343A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610783573.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
CPC classification number: H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明属于等离子体掺杂领域，尤其涉及粉体材料的等离子体掺杂方法。其特征是将受主粉体材料加入至等离子体掺杂腔室中，然后向等离子体掺杂腔室导入施主气，通过控制施主气的流量，使受主粉体材料处于稳定流化态，之后，启动激励电源通过介质阻挡放电使施主气活化并形成非平衡等离子体，非平衡等离子体中的活性粒子会进入至受主粉体材料中，完成掺杂，受主粉体材料在电场和磁场作用下活化，其本征性能亦会得到加强。本发明方法工艺简单、灵活度好、掺杂效率高，可以在温和条件下获得掺杂均匀性高、缺陷丰富的粉体材料，其应用前景十分广阔。
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