一种钙钛矿单晶膜的制备方法、钙钛矿单晶膜

    公开(公告)号:CN117758365A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311837718.1

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿单晶膜的制备方法、钙钛矿单晶膜,属于光电子材料领域。所述方法包括:S1、将钙钛矿前驱体溶液与辅助溶剂混合,得到混合溶液;S2、将两片基底组合形成具有设定厚度的二维限域空间;S3、将所述混合溶液加入至所述二维限域空间中,并将所述二维限域空间的四周封闭,后进行第一变温加热,使所述混合溶液在所述二维限域空间中生成籽晶;S4、向含有所述籽晶的所述二维限域空间中再次加入所述混合溶液,后进行第二变温加热;S5、多次重复步骤S4,以使所述籽晶持续生长至设定尺寸的单晶,以得到钙钛矿单晶膜。

    一种钙钛矿悬浊液及其制备方法
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115968244A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211730568.X

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本申请涉及一种钙钛矿悬浊液及其制备方法,属于X射线成像技术领域;该悬浊液的成分包括钙钛矿颗粒和聚合物,所述聚合物的配位能力足以使所述聚合物锚定于所述钙钛矿颗粒;通过在钙钛矿悬浊液中加入聚合物,该聚合物可以锚定在钙钛矿颗粒上,增大了钙钛矿颗粒的半径,进而增大了钙钛矿颗粒所收到的拽力,而钙钛矿颗粒在钙钛矿悬浊液中受到向下的重力和向上的浮力和拽力,本方案通过增大了拽力,相当于增大了向上的力,起到改善钙钛矿悬浊液沉降的效果,进而实现提高成像效果的目的。

    一种MAPbI3厚膜的表面处理方法

    公开(公告)号:CN112531110B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202011329619.9

    申请日:2020-11-24

    Abstract: 本发明特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法,属于钙钛矿膜制备技术领域,方法包括:获得MAPbI3厚膜初品;将MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面,压制后,获得MAPbI3厚膜;在压制过程中,保持MAPbI3厚膜初品的温度恒定,且MAPbI3厚膜初品的温度为25℃‑120℃。通过将PI膜对MAPbI3厚膜表面进行覆盖并施压,处理方法工艺简单、处理成本低,提高了MAPbI3厚膜的密度,降低了MAPbI3厚膜的表面粗糙度,减少了表面悬挂键,从而降低变质发黄的可能,提高MAPbI3厚膜表面的光响应和表面载流子寿命,使得表面载流子寿命与靠近基底的MAPbI3厚膜背面近视相等。

    一种闪烁体膜制备装置以及方法
    79.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115407384A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211054339.0

    申请日:2022-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种闪烁体膜制备装置以及方法,所述装置包括:蒸发模具,包括凹槽,凹槽内设置有格栅,原料粉填充于格栅内,其中,格栅为热导率材质;近空间升华炉,包括基底以及加热器,蒸发模具设置于近空间升华炉内,加热器用于对蒸发模具中格栅内的原料粉进行加热,使得原料粉升华,升华后的原料粉沉积到基底上形成闪烁体膜。该装置可以使得原料粉末在格栅中均匀、快速地受热,以解决原料粉末受热不均匀、速度过慢等问题,进而实现高效地制备大面积高均匀性的闪烁体厚膜。

    CsPbBr3膜及其热蒸发制备方法、X射线探测器

    公开(公告)号:CN115287591A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210920178.2

    申请日:2022-08-02

    Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3膜及其热蒸发制备方法、X射线探测器,其中的制备方法包括:提供基底、溴化铯和溴化铅;将所述基底固定至双源共蒸设备的蒸发腔内的样品台,所述溴化铯置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟,所述溴化铅置于所述蒸发腔内的第二蒸发舟;将所述基底加热至200~300℃;对所述第一蒸发舟施加第一电流,所述第二蒸发舟施加第二电流,以在所述基底上沉积所述溴化铯和所述溴化铅,获得CsPbBr3膜;其中,所述第一电流和所述第二电流使所述溴化铯和所述溴化铅具有相等的摩尔蒸发速率。上述方法解决了熔体法存在的难以大面积制备CsPbBr3膜和周期长的问题,以及采用溶液法存在的膜稳定性差、易产生孔洞的问题。

Patent Agency Ranking