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公开(公告)号：CN117926422A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089684.0
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、快中子直接探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)4Pb3I14，所述金属卤化物单晶的晶体结构为零维结构，由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[Pb3I12]6‑组成，同时含有两个游离的I‑离子；其中，三个共面连接的Pb‑I八面体组成一个孤立的零维结构单元，(C10H26N2)2+位于任意两个无机结构单元[Pb3I12]6‑形成的空隙中。该金属卤化物材料由于其较高的氢原子密度而充当快中子敏感材料，同时充当产生电信号的半导体材料，可以将入射中子的能量转换为易于测量的电脉冲信号，进而实现直接探测。
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公开(公告)号：CN117947495A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410090268.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Sb基快中子闪烁体材料的制备方法、闪烁体及中子探测器，属于辐射探测领域。所述方法包括：将有机膦盐与锑盐溶解于良溶剂中，后进行搅拌及过滤，得到前驱体溶液；将籽晶加入至所述前驱体溶液中，并进行加热，用以溶解所述籽晶表面的杂晶，得到含纯净籽晶的前驱体溶液；将反溶剂挥发扩散并溶解于含纯净籽晶的所述前驱体溶液中，以从含纯净籽晶的所述前驱体溶液中析出Sb基快中子闪烁体单晶材料。通过优化晶体生长方案，采用籽晶诱导且有加热溶解步骤，在保留籽晶的基础上溶解掉了溶液中更为细小的额外晶体，可以稳定获得大尺寸的高质量Sb基快中子闪烁体材料。
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公开(公告)号：CN117926386A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410059855.5
申请日：2024-01-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Mn基快中子闪烁体材料的制备方法、闪烁体及中子探测器，属于辐射探测领域。所述方法包括：将C19H18PCl与MnCl2溶解于良溶剂中，后进行搅拌，得到前驱体溶液；将反溶剂在设定温度和时间条件下挥发扩散并溶解于所述前驱体溶液中，以从所述前驱体溶液中析出(MePh3P)2MnCl4单晶材料；将所述(MePh3P)2MnCl4单晶材料研磨，得到粉体；以及将所述粉体压制成片，得到Mn基快中子闪烁体材料。通过反溶剂扩散法可以生长出高纯度的Mn基单晶材料，压制后即得到在基体中分布均匀、量子产率较高、稳定性较高、成本低以及可大面积制备的Mn基快中子闪烁体。
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公开(公告)号：CN117867658A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410039248.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一维Bi基钙钛矿晶片的制备方法、晶片及X射线探测器，属于钙钛矿材料领域。将Bi2O3溶解于氢溴酸中，得到BiBr3溶液；将N,N,N,N‑四甲基‑1,6‑己二胺与氢溴酸混合，得到第一混合液；将所述第一混合液加入至所述BiBr3溶液中，得到含有不溶物的第二混合液；将含有不溶物的所述第二混合液进行纯化以及分离，得到(C10H26N2)BiBr5晶体；将所述(C10H26N2)BiBr5晶体研磨，得到粉体；将所述粉体压制成片，得到(C10H26N2)BiBr5钙钛矿晶片。从而解决了在满足无铅钙钛矿作为原料的基础上难以提升厚膜质量的技术问题，由此得到的Bi基钙钛矿晶片，具有良好的X射线探测性能。
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公开(公告)号：CN118207630A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410089793.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种铋基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器。所述铋基钙钛矿单晶的化学式为(C9H14N)3Bi2I9，所述铋基钙钛矿单晶为零维晶体结构；其中，所述铋基钙钛矿单晶的晶体结构由面共享的(BiI6)3‑八面体层组成，(C9H14N)+离子和I‑离子紧密排列，Bi3+离子占据了所述(BiI6)3‑八面体空隙的三分之二，层之间的空隙被(C9H14N)+离子填充，所述(BiI6)3‑八面体在空间上被两个(C9H14N)+离子隔离。本申请内容为现有钙钛矿X射线探测器提供了新的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117979777A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311796328.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了抑制探测器1/f噪声的方法、钙钛矿单晶、探测器，属于钙钛矿表面处理领域。所述方法包括：将氟代有机物溶解于溶剂中，得到含氟有机钝化剂；其中，所述含氟有机钝化剂中所述氟代有机物的质量浓度为0.5mg/mL～2mg/mL；将所述含氟有机钝化剂涂覆在钙钛矿单晶的至少部分表面，以形成钝化层，后进行退火，得到表面钝化的钙钛矿单晶。在有机钝化剂上引入F元素，通过F元素的强电负性，促使它们与钙钛矿中的金属元素形成较强的化学键，且F元素具有较强的极性，有助于产生较强的相互作用力，增强与钙钛矿中的元素之间的结合，从而提高含氟有机钝化剂与钙钛矿表面的结合力，钙钛矿的钝化效果更好。
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公开(公告)号：CN117926423A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089759.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种零维镉基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述零维镉基钙钛矿单晶的化学式为(C19H18P)2CdCl4，所述零维镉基钙钛矿单晶的晶体结构由有机阳离子(C19H18P)+和无机结构单元[CdCl4]2‑组成；其中，所述有机阳离子(C19H18P)+位于任意两个无机结构单元[CdCl4]2‑形成的空隙中。本申请内容为现有X射线探测器提供了新的材料，同时也为零维镉基钙钛矿材料的应用开辟了新的道路。
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公开(公告)号：CN117926421A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089556.6
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)SbBr5，所述金属卤化物单晶的晶体结构由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[SbBr6]3‑组成，晶体中(C10H26N2)2+与[SbBr6]3‑之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，Sb3+离子与6个Br‑离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1D链状结构，溴化锑链位于由(C10H26N2)2+阳离子组成的棱形柱状笼中，这些链沿着主轴方向，光轴处于解理面，这使得链内和链间具有很大的平面各向异性。
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公开(公告)号：CN117417374A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311377123.2
申请日：2023-10-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种闪烁体材料及其制备方法和应用，属于闪烁体材料技术领域；闪烁体材料包括零维有机无机杂化锰基金属卤化物，所述零维有机无机杂化锰基金属卤化物的化学式为(C19H18P)2MnBr4；该闪烁体具有大的斯托克斯位移，进而有较高的荧光量子产率，同时其不含有铅等毒性元素，具有环境友好的特点，并且其在空气中具有良好的稳定性，从而改善目前闪烁体难以商业化应用的问题。
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公开(公告)号：CN118374887A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410525271.2
申请日：2024-04-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及卤素钙钛矿单晶材料技术领域，尤其涉及一种钝化卤素钙钛矿单晶表面缺陷的方法；所述方法包括：在气态卤素的气氛中对卤素钙钛矿单晶材料进行退火，以实现卤素钙钛矿单晶材料的钝化，得到钝化后的单晶材料；其中，气态卤素与卤素钙钛矿单晶材料中含有同一种卤族元素；通过将卤素钙钛矿单晶材料在其对应的气态卤素的气氛中进行退火处理，此时气态卤素中的卤素原子会与卤素钙钛矿单晶材料表面的卤素空位缺陷进行结合，实现对卤素钙钛矿单晶材料表面的钝化，因此通过气态卤素可以对卤素钙钛矿单晶材料表面卤素空位缺陷的精准钝化，以此克服现有技术中有机长链铵盐无法针对性的钝化卤素钙钛矿表面的卤素空位缺陷的问题。
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