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公开(公告)号：CN109709152A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910094589.9
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于fA～pA量级微弱电流的绝缘薄膜测量系统，其中的电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个CMOS传输门、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。绝缘薄膜的漏电流大小通常介于数十fA（10-15A）至数十pA（10-12A），通过合理选择外围元件，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明的ASIC独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。
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公开(公告)号：CN105676153B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610003869.0
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种低内存需求的批量获取磁性材料的M‑T曲线、ΔS‑T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变‑温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以获取磁性材料的磁熵变的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
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公开(公告)号：CN107460452A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710579305.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/45561
Abstract: 一种用于制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的装置，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，铝、镓有机源混合溶解在溶剂中。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的装置，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN107460450A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710579317.9
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/40 , C23C16/45544 , C23C16/52
Abstract: 一种用于制备组分渐变的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的装置，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的装置制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
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公开(公告)号：CN105420695B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510765158.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种铝镓有机源混溶式自限制性表面吸附反应制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910993A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710148880.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 南通大学 , 南通先进通信技术研究院有限公司
Abstract: 一种微流体控制的频率可调微带贴片天线，包括两个正对设置的基板以及可注入微流体的微流体通道，一个基板上设置一贴片形式的辐射单元，另一个基板上的覆铜作为反射地，馈电结构垂直穿设两个基板并给辐射单元馈电，微流体通道设置在两个基板之间且位于辐射单元所对应的电场分布区域内，且微流体通道与馈电结构所在的辐射单元的中分面垂直。本发明通过向微流体通道注入微流体，即可增大辐射单元和反射地之间的有效介电常数，实现天线工作频率向低频段的可调，可调的频率范围可通过加载微流体通道的位置来控制，且这种调节可通过抽空微流体通道实现可逆，本发明低成本、安全、有效实现天线频率可调，并且不增加天线的尺寸，不破坏天线贴片的完整性。
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公开(公告)号：CN106409939A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610998201.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1868
Abstract: 本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域，可有效地减少扩散带来的热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流和盲元率、提高探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN105676153A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610003869.0
申请日：2016-01-05
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/0023
Abstract: 一种低内存需求的批量获取磁性材料的M-T曲线、ΔS-T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变-温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以获取磁性材料的磁熵变的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
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公开(公告)号：CN105274492A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510766708.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN102583536A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210023058.9
申请日：2012-02-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种具有大比表面积的五氧化二钒材料及其制备方法。所述五氧化二钒V2O5材料，由若干管状纳米晶体无规则地交织连接形成，所述管状纳米晶体的管壁由单晶颗粒相互连接而成，所述颗粒间存有孔洞。上述材料的制备是采用化学气相沉积法，通过CVD制备系统，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，放入蒸发器使其形成的蒸汽与载气中氧气在一定温度下反应合成V2O5多孔纳米结构。其优点是所述V2O5材料具有大的比表面积；作为Li电池阴极材料具有很好的循环性、快速的Li离子电化学动力学行为和大存储容量；其合成的工艺简单，但材料纯度提高，且产量大、能耗低，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。
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