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公开(公告)号：CN112063380A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010889666.2
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及核壳结构纳米材料领域，特别涉及一种有机发光材料包裹金属纳米线的复合材料及其制备方法，所述复合材料为核壳结构纳米线，以金属纳米线为内核，在金属纳米线表面包裹有机发光材料形成核壳机构。先以水热法合成纯金属纳米线，再将有机发光材料包裹到金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根金属纳米线上实现金属‑有机发光材料复合的核壳结构。这种新型的核壳结构的纳米材料将有机发光材料和金属整合在一起，可用于制作纳米级别的发光器件，进而实现纳米级别的类似OLED结构的发光器件，将给光电信息领域带来前所未有的新应用；不仅克服了成本高的问题，还满足发光器件具有柔性的特性要求。
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公开(公告)号：CN111063753A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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公开(公告)号：CN110484893A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910709300.X
申请日：2019-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线核壳结构的制备方法，本发明通过将金属纳米线样品及壳层前驱物用金属箔片密封，间歇性推入低压化学气相沉积系统，同时通入气体前驱物。使得金属纳米线在高温下保持形貌稳定，从而可以获得一种包裹有二维原子层六方氮化硼的金属纳米线，有助于大幅提高金属纳米线的稳定性，保护金属纳米线免受融化、氧化、钝化、刻蚀和腐蚀等损坏。
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公开(公告)号：CN110429159A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910611191.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件，实现色温可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制造方法。该LED器件为肖特基势垒的LED器件，透明电极材料作为金属层，超薄介质材料作为势垒绝缘层，n或p型GaN作为有源层。通过调节透明金属层功函数，使得载流子可以隧穿至有源层与不同能级载流子复合发出宽谱白光，以此可以获得一种结构简单，色温可调、显色性高的单芯片无荧光粉的白光LED器件。其具有体积小、寿命长、稳定性好、发光效率高、显色性高、响应速度快等优点，将成为未来高温工作、高稳定性、高性能的极简洁单芯片白光LED的重要器件结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106594678B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201611211603.1
申请日：2016-12-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种金属纳米线的透明薄膜LED调光器制备方法，涉及LED调光器。将硅胶弹性基体液和环氧树脂固化剂混合，再压制成弹性透明薄膜，固化后得可拉伸的弹性透明薄膜；将包裹合金的金属纳米线经过超声，离心，使金属纳米线分散在正己烷溶液中，离心后把附着在金属纳米线表面的附着杂物分离，再将得到的纳米线保存在正己烷溶液中备用；将包裹合金的金属纳米线均匀地分布于弹性透明薄膜表面，再将压有金属纳米线的弹性透明薄膜浸泡在乳酸溶液中，然后进行退火处理，即完成导电弹性透明薄膜的制作；将得到的具有导电性的弹性透明薄膜使用导线连接LED光源，即得金属纳米线的透明薄膜LED调光器。
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公开(公告)号：CN108519411A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810298037.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法，涉及III族氮化物半导体材料。设计三电极电化学处理装置；将p型掺杂的半导体晶片密封至容器底部，作为工作电极；设置辅助电极和参比电极，与工作电极构成电化学三电极系统；选择除氢电解液，加入容器中，并淹没三电极；于工作电极和辅助电极之间施加直流偏压，进行除H并激活p型杂质；激活处理完毕，取出p型半导体晶片，进行去离子水超声清洗；利用电学装置测试晶片的电学性质。操作简便、无需高温退火，可制备出具有良好导电特性的p型GaN和AlGaN材料，并且可对完整结构器件晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外的LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用。
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公开(公告)号：CN104959626B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510385468.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法，涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中；将反应容器加热，第一阶段，将反应容器内溶液温度加热至80～120℃后，通入N2，恒温加热10～20min；第二阶段，当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时，反应温度为180～210℃；当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时，反应温度为140～170℃；当反应溶液的温度由80～120℃达到设定温度后，恒温加热30～60min，反应结束；待反应溶液冷却，加入正己烷溶液，超声，将溶液转移至离心管中离心，纳米线固体沉积在离心管底部，将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
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公开(公告)号：CN103426991A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310373675.6
申请日：2013-08-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法，涉及透明薄膜电极。将Cu纳米分散于有机溶液中；通过真空抽滤，将分散于有机溶液中的Cu纳米线沉积于滤膜上；将沉积有Cu纳米线的滤膜覆盖在基片上，并在基片背面施加压力，再揭去滤膜后，Cu纳米线薄膜即被转移到基片背面，然后在真空气氛中退火，即完成金属纳米丝透明欧姆电极的压印。所制成的金属纳米丝的透明欧姆电极，具有良好的电导率和透光性，并能与半导体器件形成良好欧姆接触，可以提高器件电注入效率及其出光效率。制作灵活，易于图案化，可以在很多不规则的区域或者超大面积上形成透明导电电极。
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公开(公告)号：CN102590559B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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