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公开(公告)号：CN113668052B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110931253.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN113668052A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110931253.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN106080676B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610614083.2
申请日：2016-08-01
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明涉及一种上楼助力购物车及使用方法,包括基架，基架上部后侧设置有上层挂轮组件，基架下部后侧设置有下层支承轮组件，下部前侧设置有载货支架，基架底部有转动轮，上层挂轮组件包括挂轮轴、穿设于基架上的第一长销轴、穿设于基架上的第二长销轴、第一连杆、第二连杆，下层支承轮组件包括两个套管，两个套管之间通过支撑管相连接，支撑管后部设置有支撑板，支撑管中部与支撑板中部铰接，支撑板后侧面设置有支撑轮，支撑轮经支承轮架与支撑板相连接，本发明具结构简单，使用方便，依靠挂接在楼梯扶手的钢管上承受物品重力以及居民的推动实现向上滑动，能够减轻居民日常购物以及搬运较重物品时的劳动强度。
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公开(公告)号：CN101621108A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910112318.8
申请日：2009-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。
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公开(公告)号：CN111029449B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107009321A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710403251.8
申请日：2017-06-01
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
CPC classification number: B25B27/14 , B01D46/0005 , B01D46/023
Abstract: 本发明涉及一种长金属滤袋对接结构及其辅助安装工具与安装方法，该长金属滤袋对接结构包括分别设于金属滤袋端口处、相对接的对接卡管口和对接套管口，对接卡管口的端面上设有与对接套管口内腔相对接的圆环状凸部，对接卡管口和对接套管口的端面边缘处沿圆周均分别设有弧形凸部和弧形凹部，对接卡管口和对接套管口的外壁上沿圆周均设有环形槽，弧形凹部与环形槽连通，弧形凹部包括相连通的第一弧形凹槽和第二弧形凹槽，第一弧形凹槽与弧形凹部呈轴对称分布，第二弧形凹槽与弧形凹部呈中心对称分布，弧形凸部包括上下设置的第一弧形凸起和第二弧形凸起。与现有技术相比，本发明具有较好的密封性，拆卸简单快速，工作效率高。
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公开(公告)号：CN106638330A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710080706.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明提供一种桥墩建筑滑模自升降装置及其方法，包括位于桥墩旁侧的升降液压装置，所述升降液压装置的上下端分别连接有环绕于桥墩外周的上部攀爬台面及下部攀爬台面，所述上部攀爬台面置有用于使上部攀爬台面紧固于桥墩外周的上部锁紧装置，所述下部攀爬台面置有用于使下部攀爬台面紧固于桥墩外周的下部锁紧装置。本发明升降液压装置及锁紧装置带动上部攀爬台面及下部攀爬台面交替锁紧与上升实现建筑操作平台与建筑滑模自升降运动，替代了传统的搭建脚手架构建操作平台，大大提高桥墩及类似的建筑物的施工效率，减少搭建脚手架所用的钢材和时间，节省建筑成本，缩短建筑周期。
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公开(公告)号：CN106080676A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610614083.2
申请日：2016-08-01
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明涉及一种上楼助力购物车及使用方法,包括基架，基架上部后侧设置有上层挂轮组件，基架下部后侧设置有下层支承轮组件，下部前侧设置有载货支架，基架底部有转动轮，上层挂轮组件包括挂轮轴、穿设于基架上的第一长销轴、穿设于基架上的第二长销轴、第一连杆、第二连杆，下层支承轮组件包括两个套管，两个套管之间通过支撑管相连接，支撑管后部设置有支撑板，支撑管中部与支撑板中部铰接，支撑板后侧面设置有支撑轮，支撑轮经支承轮架与支撑板相连接，本发明具结构简单，使用方便，依靠挂接在楼梯扶手的钢管上承受物品重力以及居民的推动实现向上滑动，能够减轻居民日常购物以及搬运较重物品时的劳动强度。
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公开(公告)号：CN104833450A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510288699.0
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 一种原位测试LED应力的拉曼测试系统及其测试方法，测试系统设有激光器、光路系统、长波通或带通滤波片、拉曼滤镜、显微镜、CCD；长波通或带通滤波片设在拉曼光路中的显微镜光路前端、显微镜光路后端、拉曼滤镜前端、拉曼滤镜后端或CCD前端等，并与波长远离LED发光光谱的激光器结合。测试方法：首先采用显微镜进行调节样品的位置，使样品处理聚焦状态；关闭显微镜的光源，打开激光器，激光器用来发射拉曼测试需要的激光光线，光路系统传输激光的输入和输出信号，反射光线经过拉曼滤镜进行信号处理和过滤，最终的信号被CCD所探测。提升拉曼信号的信噪比，实现不同电流注入条件下的LED应力的原位测试。
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公开(公告)号：CN101503826A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910111002.7
申请日：2009-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/40 , C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/08
Abstract: AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料AlxInyGa(1－x－y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有AlxInyGa(1－x－y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。
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