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公开(公告)号：CN103081019B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201280001911.5
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法具有：基于第一电极（1），对第二电极（2）施加负第一电压，而使电阻变化层（3）成为低电阻状态的步骤（S11）；以及使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）。其中，使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）具有：基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压的步骤（S121）；在基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压步骤（S121）之后，通过基于第一电极（1），对第二电极施加使电阻变化层（3）从高电阻状态变化为低电阻状态的比负的阈值电压的绝对值小的负的第三电压，从而使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S122）。
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公开(公告)号：CN102473457B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180002514.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及的非易失性存储装置的驱动方法，包括：从多个存储单元(11)中检测过低电阻单元的步骤(S101)；将负载电阻(121)的电阻值变更为比第一电阻值低的第二电阻值的步骤(S103)；以及，通过向由过低电阻单元和具有第二电阻值的负载电阻(121)构成的串联电路施加电压脉冲，从而将过低电阻单元中包括的电阻变化元件(105)成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态的步骤(S104)。
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公开(公告)号：CN103650142A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280001934.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种电阻变化元件，具有第1电极（107）、第2电极（105）、以及介于第1、第2电极（107、105）间并与第1、第2电极（107、105）相接而设置、基于施加的电信号而电阻值可逆地变化的电阻变化层（106）；电阻变化层（106）通过由氧不足型的第1金属氧化物构成的第1电阻变化层（106b）、和由氧不足度比第1电阻变化层（106b）的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成的第2电阻变化层（106a）的层叠构造而构成；第2电极（105）在与第2电阻变化层（106a）之间的界面处仅具有一个针状部；第2电阻变化层（106a）介于第1电阻变化层（106b）与第2电极（105）之间并与第1电阻变化层（106b）和第2电极（105）相接、并且覆盖上述针状部而设置。
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公开(公告)号：CN102301425B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201180000965.5
申请日：2011-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 提供能够稳定地工作的电阻变化元件的驱动方法以及实施其方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，通过提供第一极性的电压脉冲，从而使由含氧率不同的两个金属氧化物层层叠而构成的电阻变化层成为低电阻化；以及消去过程，通过提供与第一极性不同的第二极性的电压脉冲，从而成为高电阻化，在第一次至第N次的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw1、第(N+1)次以后的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw2、第一次至第M次的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te1、第(M+1)次以后的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te2的情况下，满足|Vw1|＞|Vw2|且te1＞te2，在第M次的消去过程之后，接着执行第(N+1)次的所述写入过程。
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公开(公告)号：CN101627438B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200880007464.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质。在以往的ReRAM结构中，存在电阻值的保持时间短的问题，但若为了改善此保持特性而进行二阶段写入，则存在写入速度变慢的问题。本发明的非易失性存储装置，具备实行第一写入的第一写入电路和实行第二写入的第二写入电路。第一写入通过向非易失性存储元件施加第一电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第一电阻值变化到第二电阻值；通过施加与第一电脉冲相反极性的第二电脉冲，从第二电阻值变化到第一电阻值；通过向非易失性存储元件施加第三的电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第三电阻值变化到第四电阻值，通过施加与第三电脉冲同极性的第四电脉冲，从第四电阻值变化到第五电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103250252A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201280004074.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
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公开(公告)号：CN103180948A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201280003077.3
申请日：2012-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2211/5648 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非挥发性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。
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公开(公告)号：CN102612716A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201180004518.7
申请日：2011-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2213/56 , G11C2213/76
Abstract: 非易失性存储装置(800)具备电阻变化型的非易失性存储元件(100)和控制电路(810)。控制电路(810)，判断高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值是否为预先规定的阈值以上。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值小于阈值的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加第一电压(VL1)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值为阈值以上的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加绝对值比第1电压(VL1)小的第2电压(VL2)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。
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公开(公告)号：CN101689548B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
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公开(公告)号：CN101828262B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880111811.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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