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公开(公告)号：CN100573326C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200410042367.6
申请日：2004-05-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/039 , H01L21/027 , H01L21/47
CPC classification number: G03F7/70608
Abstract: 提供高精度的光刻胶灵敏度的评价方法。包括：在检查对象光刻胶膜上借助于曝光装置用检查曝光量使曝光量监控标记曝光的步骤，根据已复制到检查对象光刻胶膜上的曝光量监控标记的检查复制像测定要变动的检查特征量的步骤，根据检查特征量用灵敏度校正数据计算检查对象光刻胶膜的检查光刻胶灵敏度的步骤。
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公开(公告)号：CN101005015A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710004308.3
申请日：2007-01-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , Y10S430/162
Abstract: 一种基板处理方法，包括：在供于使液体介于要实施曝光处理的被处理基板与进行上述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间并且进行上述曝光处理的液浸曝光的上述被处理基板的要实施上述曝光处理的一侧的第1主面上设置抗蚀剂膜之前，至少对与上述第1主面相反侧的第2主面之中从周边部分开始的规定范围内的区域选择地实施疏水化处理。
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公开(公告)号：CN1311522C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410091568.5
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11-S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN1294624C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN03105143.X
申请日：2003-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。
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公开(公告)号：CN1877457A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610094255.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1282991C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN01121300.0
申请日：2001-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 提供一种成膜方法、半导体器件的制造方法、记录媒体的制造方法。在向被处理衬底上涡旋状供给药液进行成膜的技术中，抑制向被处理衬底外排出药液，同时形成均匀薄膜。所述被处理衬底与所述滴下部之间的相对移动是边旋转该衬底，边从该衬底的大约中心向该衬底的外周相对地移动所述滴下部，随着从所述被处理衬底的大约中心向外周的所述滴下部的相对移动，降低该衬底的转速，同时增加该滴下部来的所述液体的供给速度v，使该液膜不因滴下的液膜受到离心力而引起该液膜移动，并在被处理衬底上形成液膜。
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公开(公告)号：CN1841213A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610076499.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法，包括：对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理；对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜，提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的，或者是碱性的洗净液，进行第1洗净处理；对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理；对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。
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公开(公告)号：CN1276306C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03131416.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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公开(公告)号：CN1825209A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610058208.4
申请日：2006-02-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/2028 , G03F7/70341 , G03F7/7045
Abstract: 抗蚀剂图形形成方法，包括以下的工序：在衬底上形成抗蚀剂膜；通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光，在外缘部分的抗蚀剂膜上形成潜像；清洗外缘部分被照射了光的抗蚀剂膜；对清洗后的抗蚀剂膜的所希望的曝光区域，在曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过投影光学系统照射所希望的图形的光；对刻胶膜的曝光区域进行显影。
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公开(公告)号：CN1261976C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN03102108.5
申请日：2003-01-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , B05C9/12 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/288 , H01L21/31633
Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。
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