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公开(公告)号：CN102246311A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201080003575.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53233 , G02F1/13439 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示出与透明基板或半导体层的高密接性、低电阻率以及优越湿式蚀刻性的Cu合金膜。本发明的显示设备用Cu合金膜，所述Cu合金膜是满足下述(1)以及(2)的要件的含氧合金膜，(1)所述Cu合金膜含有合计为0.10原子％以上10原子％以下的、从由Ni、Al、Zn、Mn、Fe、Ge、Hf、Nb、Mo、W以及Ca构成的组中选择的至少一种元素，(2)所述Cu合金膜具有含氧量不同的衬底层和上层，所述衬底层与所述透明基板或半导体层接触，所述衬底层的含氧量多于所述上层的含氧量。
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公开(公告)号：CN100511690C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610114892.3
申请日：2006-08-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。
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公开(公告)号：CN100334239C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at%的Nd、和/或0.01～1.5at%的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at%的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
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公开(公告)号：CN1877428A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610091236.6
申请日：2006-06-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G09F9/00
Abstract: 一种显示装置，其中互连—包含Cu合金膜和透明导电膜的电极不经由难熔金属薄膜而直接连接，其中所述Cu合金膜含有总量为0.1原子％～3.0原子％的Zn和/或Mg或总量为0.1原子％～0.5原子％的Ni和/或Mn，从而不使用势垒金属，能够在Cu合金膜与透明电极之间低电阻率地直接连接，并且在例如应用到液晶显示器的情况中给出高的显示质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822372A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009047.X
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at％的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at％的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at％的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1719320A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510081886.8
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/1368
Abstract: 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子％的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。
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公开(公告)号：CN108780817B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780013390.8
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。
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公开(公告)号：CN106489209B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580035556.7
申请日：2015-08-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。
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公开(公告)号：CN105324835B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480035855.6
申请日：2014-06-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。
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