一种稀磁半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108707864A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201810560497.0

    申请日:2018-06-04

    CPC classification number: C23C14/352 C23C14/0036 C23C14/0641

    Abstract: 本发明公开一种稀磁半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质;S2、采用磁控溅射设备,以Cu靶和Al靶为溅射靶材,衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内,通入溅射气体Ar,反应气体N2,在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜;两个靶材相互独立,工艺参数可根据需要进行独立设定,可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备;整个镀膜过程只进行Cu膜与AlN薄膜的镀制,过程简单,变量较少;制备工艺简单,重复性好,并且可节约大量靶材的成本。

    一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108560051A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810560607.3

    申请日:2018-06-04

    CPC classification number: C30B29/16 C30B25/06 C30B25/18

    Abstract: 本发明公开一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗单晶硅衬底,去除单晶硅衬底表面的油污和杂质;S2、采用磁控溅射设备,以Al靶为靶材,将单晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内,通入溅射气体Ar以及反应气体N2,在单晶硅衬底表面溅镀AlN缓冲层;S3、以Al靶与ZnO靶为靶材,在AlN缓冲层表面溅镀由AlN与ZnO构成的复合缓冲层;S4、以ZnO靶为靶材,在复合缓冲层表面溅镀ZnO膜层,得到具有缓冲层的ZnO薄膜;避免了ZnO膜层直接与单晶硅衬底进行接触,提高了镀制的ZnO膜层的结晶质量;整个过程就是简单的磁控溅射镀膜,过程简单,可控性、重复性较高。

    一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法

    公开(公告)号:CN107611188A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710796298.5

    申请日:2017-09-06

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法,包括以下步骤:S1、在玻璃衬底表面室温下溅射生长下ZnO基薄膜;S2、采用线棒刮涂法,在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的聚苯乙烯小球掩膜层;S3、采用射频磁控溅射工艺,利用聚苯乙烯小球掩膜层作为掩膜,在下ZnO基薄膜表面室温下溅射生长上ZnO基薄膜;上ZnO基薄膜的厚度小于聚苯乙烯小球的直径;S4、通过乙醇浸泡处理,去除聚苯乙烯小球掩膜层以及聚苯乙烯小球掩膜层上方的ZnO基薄膜,使上ZnO基薄膜表面形成一组离散分布的球坑,得到表面呈凹凸织构化结构的多层膜透明导电玻璃;本方法能够得到高透过率、低电阻的透明导电玻璃,并且其表面微结构可控。

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