一种高电阻率CN薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107475668A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710800979.4

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 本发明涉及一种高电阻率CN薄膜的制备方法,包括以下步骤:选用0.1-1.5mm的衬底材料;对衬底材料进行超声波清洗;在样品基架上放置C靶材;把清洗干净的衬底材料放置于样品基架上;使用氩离子轰击靶材,达到清洗和活化靶材的作用;把清洗后的衬底材料放入真空度抽至4.0×10-4—6.0×10-4Pa的溅射腔室内,通入氩气进行预溅射起辉,同时再通入氮气。本发明的优点:本方法通过氩气溅射起辉,同时通入氮气反应,采用直流溅射镀膜,在镀膜的过程中,引入变参数较少,薄膜质量容易控制,通过改变氩气和氮气的比例,能够制备适用不同器件使用的CN薄膜,本发明的制备工艺简单,重复性强。

    消影增透导电玻璃
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106587655A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611188163.2

    申请日:2017-01-23

    CPC classification number: C03C17/3417 C03C2217/73 C03C2217/94 G06F3/041

    Abstract: 本发明公开消影增透导电玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层,ITO膜层蚀刻有电极图案;玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层;所述上TiO2膜层的厚度为5~10nm、上SiO2膜层的厚度为40~60nm、ITO膜层的厚度为20~40nm;所述第一下TiO2膜层的厚度为12~18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25~35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95~135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70~100nm;利用折射率不同的上TiO2膜层与上SiO2膜层起到消影作用,玻璃基板底部交错的四层介质层起到减反増透的效果,并由各膜层厚度的配合,提高产品的透过率,减少反射率,降低面电阻,使得触摸屏在强光下也可以清晰的显示。

    一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法

    公开(公告)号:CN112626459A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011462996.X

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本发明公开一种电致变色复合膜系中氧化钨层的制备方法,包括以下步骤:S1、选用电阻率为20欧姆的ITO镀膜玻璃作为为衬底;S2、将衬底装入样品架,送入磁控溅射镀膜腔室中;S3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空,使真空度达到8.0*10‑6Pa;S4、当真空度达到10‑6Pa时,对衬底进行加热至300℃,并通入氩气,同时开启直流电源,使靶材进行预溅射;S5、预溅射完毕后,通入氧气,溅射氧化钨薄膜;S6、溅射完毕后,待磁控溅射镀膜腔室降温至室温后,取出氧化钨薄膜;该方法制备得到的氧化钨薄膜具有膜层厚度均匀、性能优良稳定的特点,且工艺简单、可控性强。

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