集成光学中用的消色差器件

    公开(公告)号:CN1071029C

    公开(公告)日:2001-09-12

    申请号:CN95116768.5

    申请日:1995-10-13

    CPC classification number: G02B6/125 G02B6/2813

    Abstract: 一种消色差器件,包括一双模波导和两对分别用于入射和出射的单模波导。适当选择双模波导的长度和宽度,可在该波导中使1260至1360纳米窗口中的光耦合大于1480至1580纳米窗口中的光耦合,从而补偿在这两个窗口中其变化显著地与此相反的邻近耦合,这邻近耦合是指单模入射波导作为一方与单模出射波导作为另一方之间产生的光耦合。本发明可应用于2×n耦合器,在1260至1360纳米和1480至1580纳米的频谱窗口能获得低的介入损耗,并能消色差。

    双工光通信集成耦合线路的线路配置

    公开(公告)号:CN87108355A

    公开(公告)日:1988-08-10

    申请号:CN87108355

    申请日:1987-12-30

    CPC classification number: H04B10/2504 G02B6/125 G02B6/2804

    Abstract: 一种平面集成光路,包括与第二和第三平面组合元件105,106连接的第一平面分支元件103。第二平面分支元件107与第二平面组合元件105并与第一平面组合元件104连接。第三平面分支元件108则与第三平面组合元件106并与第一平面组合元件104连接。要扩充平面集成线路时,可将第三平面输入口/输出口113,114连接到互连方式与第一平面双工组合/分支线路1完全相同的第二平面组合/分支线路2的第一输出口/输入口210,209上。

    一种阵列激光诱导荧光波导芯片及制作工艺

    公开(公告)号:CN108508533A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810310306.5

    申请日:2018-04-09

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: G02B6/125 G02B6/132 G02B6/136 G02B6/138

    Abstract: 本发明涉及一种阵列激光诱导荧光波导芯片及制作工艺,其中,波导芯片包括基底;基底顶部开设第一Y型分支结构,第一Y型分支结构的两个分支处均开设有第二Y型分支结构形成四个分支作为分光区域;第一Y型分支结构和第二Y型分支结构前段以及底层波导芯层构成低折射率差的单条形波导结构形成光的单模传输,第二Y型分支结构后段、底层波导芯层和顶部波导芯层构成高折射率差的双条形波导组合结构形成光的多模传输;每一第二Y型分支结构顶部后段的包覆层上间隔开设若干凹槽并裸露顶部波导芯层作为传感窗口。

    光电器件
    79.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107580686A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201680026789.5

    申请日:2016-05-03

    Abstract: 本发明涉及一种光电器件(5),其包括集成到器件的平面(EB)中的光波导(10),所述光波导能够在平面中引导光辐射,以及耦合元件(20),其连接到波导并且能够将在波导中被引导并且从其馈送到耦合元件中的光辐射,沿主耦合路径(HKS)耦合离开平面,和/或将以一定角度馈送到平面中的光辐射,沿主耦合路径(HKS)耦合到波导中并且从而耦合到器件的平面中。根据本发明提供了,耦合元件相对于主耦合路径的耦合效率度小于1并且对于耦合元件-当辐射入光辐射时-沿次级耦合路径(NKS)输出光损耗辐射(D),所述光损耗辐射与沿主耦合路径传送的辐射成比例或至少近似成比例,对于光电器件具有检测器(30),其连接到耦合元件(20)并且完全或至少部分地记录光损耗辐射,并产生检测器信号(DS),并且对于光电器件具有连接到检测器的控制单元,所述控制单元基于检测器信号影响光电器件的至少一个操作变量。

Patent Agency Ranking