公开(公告)号：CN106187155A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610561773.6

申请日：2016-07-18

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 徐敏育 ,  段炼 ,  李纯纯

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/634

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3286

Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiInSn2O6及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、In2O3和SnO2的原始粉末按LiInSn2O6的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在1000℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1050～1100℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明制备的陶瓷在1100℃以下烧结良好，介电常数达到14.1～14.8，其品质因数Qf值高达76000-101000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

公开(公告)号：CN105439555A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410395331.X

申请日：2014-08-12

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 黄传德 ,  王晓东 ,  张涛

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/626 ,  C01G19/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种高比表面积纳米锡酸钡的制备方法，选用SnCl4·5H2O为锡源，将其溶解在10％～70％的过氧化氢溶液中，用氨水调节pH为7～12，加入碳酸钡为钡源，在20～100℃条件下反应0.5～24h；过滤、洗涤、干燥，将得到的粉体经500℃煅烧即可制得高纯锡酸钡纳米颗粒。本发明所用原料廉价易得，操作方法简单，可重复性好，对反应条件要求低，易于大规模工业化生产；所得产品纯度高、结晶度好、粒径小且分布窄，内部富含介孔结构，比表面积可达80m2/g以上，填补了市场空白，具有很好的市场前景。

公开(公告)号：CN105236956A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510630201.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 臧国忠 ,  李立本 ,  王晓飞 ,  周锋子 ,  王丹丹

IPC: C04B35/457

Abstract: 一种Ni2O3-SnO2-Zn2SnO4压敏复合陶瓷材料，由SnO2粉料、Zn2SnO4粉料和Ni2O3粉料经混合压制，并烧结制成，所述SnO2粉料、Zn2SnO4粉料和Ni2O3的摩尔比为80：20：x，其中x的取值为0.15-0.6；本发明通过Ni2O3的掺杂，可以有效调节SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的压敏电压梯度，使得其在不改变器件尺寸的条件下能够在低电压范围内大多数电压保护领域得到应用。

公开(公告)号：CN104150897B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410446361.9

申请日：2014-09-03

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 徐金宝 ,  张家齐 ,  边亮 ,  王磊

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高能高电位梯度型二氧化锡压敏电阻复合粉体及制备方法，该复合材料各组分是由SnO2，Co2O3，TiO2，Sb2O5，Nb2O5，Pr6O11，Y2O3制成，采用在亚微米级的二氧化锡粉末中掺入二氧化钛、五氧化二锑、三氧化二钴、五氧化二铌、十一氧化六镨、三氧化二钇，其中，十一氧化六镨和三氧化二钇作为电位梯度增强剂，二氧化钛和五氧化二锑均为单分散的纳米级颗粒，纳米五氧化二锑在烧结过程中可与二氧化锡反应转变为尖晶石相并均匀分布于晶界中，通过晶界扎钉效应抑制二氧化锡晶粒异向生长。五氧化二锑的加入还可用来控制晶粒的平均粒径，使单位体积内的晶粒和晶界密度增强，使得最终产品具有能量密度大、电位梯度高、漏电流小、批量生产一致性较好等特点。该制备方法简单，可控，可用于大批量工业化生产。

公开(公告)号：CN105198404A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510630140.1

申请日：2015-09-29

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 臧国忠 ,  李立本 ,  王晓飞 ,  周锋子 ,  王丹丹

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SnO2-Zn2SnO4压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料由80mol%的SnO2粉料、20mol%的Zn2SnO4粉料和（0.2-0.8）mol%的SiO2粉料经混合压制，并烧结制成；本发明解决了现有SnO2-Zn2SnO4压敏-电容双功能陶瓷非线性系数相对较低的问题，使用本工艺得的陶瓷具有良好电流电压非线性关系。

公开(公告)号：CN104692792A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510066789.5

申请日：2015-02-09

Applicant: 陕西师范大学

Inventor： 刘鹏 ,  付志粉 ,  马建立 ,  赵小刚 ,  李晶 ,  冯琴琴

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种低温烧结温度稳定型锡酸盐微波介质陶瓷材料，该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Li2SnO3，其中Li2Mg3SnO6的含量为35.1wt％～79.1wt％，其余为Li2SnO3；该陶瓷材料的介电常数为14.2～14.7，品质因数为51300～78300GHz，谐振频率温度系数为-9.1～4.6ppm/℃。本发明低温烧结温度稳定型锡酸盐微波介质陶瓷材料的烧结温度为840～920℃，克服了陶瓷材料烧结温度高、谐振频率温度系数偏大的缺点，保证了材料的温度稳定性，且制备该陶瓷材料所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可广泛应用于低温共烧陶瓷系统、GPS天线、无限局域网用滤波器、多层介质谐振器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN103482998B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210197233.6

申请日：2012-06-15

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 刘晓东 ,  顾芸 ,  林娟 ,  韩卫清 ,  王连军 ,  孙秀云 ,  李健生 ,  沈锦优

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡管式陶瓷膜的制备方法，包括配料、造粒、静压成型、干燥及烧结、SnO2溶胶的制备、涂膜、烧结等步骤，本发明的方法能形成大颗粒的连接并形成良好贯通的孔径，从而能降低氧化锡陶瓷膜的烧结温度，并能增强支撑体的机械性能；因为SnO2具有导电性，SnO2管式陶瓷膜具有传统陶瓷膜所有没的特性，不仅具有良好的过滤性能，还能解决自身膜污染问题。

公开(公告)号：CN104310989A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410515318.3

申请日：2014-09-29

Applicant: 青岛康合伟业商贸有限公司

Inventor： 王玉静 ,  刘永祥

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658

Abstract: 本发明提供一种导电陶瓷材料的制备方法，该材料由组分重量比分别为86-96％∶0-0.5％∶0.5-1％∶0.5-2％∶0-0.5％∶0-1％∶0.5-2％∶2-4％∶0.5-3％的由二氧化锡、氧化铜、三氧化二铝、三氧化二铁、氧化锌、氧化钴、氧化铅、氧化镁、三氧化二镍组成，其特征在于首先将纯净的二氧化锡进行球磨30-40小时，其中二氧化锡∶球∶水为2∶4∶1，接着进行烘干和500目筛处理，接着按照以上组分配比混合配料，将上述配料研磨3-5小时后，加入5-15wt％的PVA水溶液进行造粒、过70-90目筛和干燥处理，接着以5-8吨的压力挤压成型，然后将其放入烧结炉中在氧化气氛和烧成温度1600-1800℃下进行烧结，随后保温4-8小时后自然冷却。

公开(公告)号：CN104193322A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410425954.7

申请日：2014-08-27

Applicant: 宁波今心新材料科技有限公司

Inventor： 张建荣 ,  谭芳 ,  方曙光

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/626

Abstract: 一种高致密度二氧化锡单相陶瓷的制备方法，包括下列步骤：A.将聚乙二醇600、锡箔在压缩氧气气氛下反应得到含有锡、锰离子的稳定的混合溶液；B.将步骤A制备得到的含有锡、锰离子的稳定的混合溶液加入油酸油酸反应，反应产物进行粉碎即得到锰掺杂二氧化锡单相纳米粉体；C.将获得的锰掺杂二氧化锡单相纳米粉体和聚乙烯醇、去离子水混合，搅拌得到稳定浆料；将浆料泵入到压力喷雾干燥机进行喷雾造粒，将经压力喷雾干燥机喷雾造粒得到的粉体进行模压成型二氧化锡陶瓷坯体，将该陶瓷坯体于900~1000℃烧结保温5~7小时即获得高致密度二氧化锡单相陶瓷。本发明生产成本低、粉体烧结性能佳、获得的二氧化锡陶瓷致密度高。

公开(公告)号：CN103201232B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201180054499.9

申请日：2011-11-11

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  米田阳一郎

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C04B35/457

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。