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公开(公告)号：CN117348152A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311431913.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种氮化硅/聚合物基无热化AWG与聚合物基VOA阵列混合集成芯片，属于氮化硅/聚合物平面光波导混合集成器件及其制备技术领域。由在同一衬底上制备的氮化硅/聚合物基无热化AWG、中间连接器波导和聚合物基VOA阵列三部分组成，聚合物基VOA阵列由聚合物基VOA单元按照等间距排布构成，AWG的输出通道波导、中间连接器波导与聚合物基VOA单元的数量相同，输出通道波导通过中间连接器波导与聚合物基VOA单元一一连接；输出通道波导的芯层为氮化硅，中间连接器波导的芯导为氮化硅与聚合物的双芯层结构；当波分(解)复用器输出通道间功率不平衡时，通过调谐各个聚合物基VOA单元，可以达到实现输出通道功率均衡的功能。
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公开(公告)号：CN117270105A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210681326.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于飞秒激光湿法刻蚀和液体灌注的光波导制备方法及光波导，以解决现有三维波导工艺制备的三维波导精度较差、损耗高、加工粗糙度大、灵活度小、可修饰性较差的技术问题。该方法包括：1、采用飞秒激光对透明基底进行改性；2、采用HF酸溶液进行刻蚀；3、制备有机聚合物包层；4、制备复合树脂芯层。该光波导包括复合树脂层构成的波导芯层、有机聚合物包层构成的波导包层和透明基底层构成的外壳，复合树脂层与有机聚合物包层的光折射率不同。
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公开(公告)号：CN117264256A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310739758.6
申请日：2023-06-21
Applicant: 味之素株式会社
Inventor： 入泽真治
IPC: C08J7/04 , G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/136 , C08L67/02 , C09D163/10 , C09D163/00 , C09D7/65
Abstract: 提供具有更优异的芯材形成性，并且能够形成可抑制光传输损耗的光波导的带有支承体的树脂片材。带有支承体的树脂片材，其是具有支承体和设置在该支承体上的树脂组合物层的带有支承体的树脂片材，其中，树脂组合物层是由含有(A)环氧树脂、(B)含有羧基的光聚合性树脂和(C)光聚合引发剂的树脂组合物形成的树脂组合物层，满足条件(1)和(2)中的至少1个条件。条件(1)：依据JIS K6714测定的支承体的雾度为10％以下。条件(2)：支承体的与树脂组合物层的接触面的算术平均粗糙度(Ra)为50nm以下。
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公开(公告)号：CN117192688A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311237273.3
申请日：2023-09-25
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于MIM波导内嵌一维光子晶体等离子体带阻滤波器，主要包括金属薄膜，在金属薄膜上通过刻蚀的方式，形成波导，且波导贯穿整个金属薄膜；波导内填充有一维光子晶体，一维光子晶体由高折射率介质层和低折射率介质层周期排列而成；所述波导包括入射波导和出射波导，入射波导的前端延伸至金属薄膜的边缘处形成光的入射端口；出射波导的后端延伸至金属薄膜的尾部形成光的出射端口；出射端口和入射端口在同一水平线。本发明通过在入射波导中设置一维光子晶体，利用一维光子晶体的禁带效应实现带阻滤波器的功能，具有结构简单、性能优异、结构尺寸小等优点。
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公开(公告)号：CN117130094A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310903018.1
申请日：2023-07-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种低损耗传输的三维直角弯曲波导，所述三维直角弯曲波导为波导高度发生变化的三维结构，包括至少一个90°弯曲部；所述90°弯曲部的波导截面为非对称结构，波导截面从内向外的高度为渐变型且波导传输中心外侧大于波导传输中心内侧的高度；该三维高度变化的设计可降低导模在高度固定的二维平面弯曲波导中传输时产生的传输中心内外侧相速度差导致的有效折射率差，提高对光传输时导模的限制，降低弯曲波导的辐射泄漏损耗；还公开对应设计方法及加工工艺；此三维弯曲波导制作工艺简单，可降低弯曲波导的制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117092752A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311036275.6
申请日：2023-08-16
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种锗波导的制备方法，包括:S1、在硅衬底上外延生长锗，再在锗上沉积掩膜层，并图形化光阻掩膜；S2、干法蚀刻掩膜层，并去除光阻掩膜；S3、对锗进行蚀刻，整个表面形成一层氯化锗聚合物；S4、采用包含氟和氧的自由基去除氯化锗聚合物，并采用稀氢氟酸溶液清洗；S5、去除掩膜层，形成锗波导。本发明通过在锗波导刻蚀阶段控制聚合物的生成以及刻蚀后灰化过程中的特殊处理，后续通过现有常规的DHF清洗就可以去除反应副产物，不需采购新设备新材料，降低了成本，同时扩展现有工艺能力。
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公开(公告)号：CN117092751A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311011608.X
申请日：2023-08-11
Applicant: 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种波导制备工艺，该工艺包括：预设波导结构掩膜版图、波导端面修整的套刻掩模版图并准备衬底；在衬底上制备波导材料层；根据所述波导结构掩膜版图，采用光刻工艺在所述波导材料层表面形成第一掩膜层以及波导材料层的第一待刻蚀区域；采用刻蚀工艺刻蚀所述波导材料层的第一待刻蚀区域，以形成波导；根据波导端面修整的套刻掩模版图，采用光刻工艺在所述波导材料层表面形成第二掩膜层以及波导材料层的第二待刻蚀区域；采用刻蚀工艺刻蚀所述波导材料层的第二待刻蚀区域，以形成新的波导端面。在刻蚀出波导之后，再对波导的端部进行一次刻蚀，将缺损较多的端部去除，从而形成更加平整的端面，降低波导的插损。
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公开(公告)号：CN117055160A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310965109.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
Abstract: 本申请实施例涉及一种制备模斑转换器和光芯片的方法。根据本申请的一些实施例，一种制备模斑转换器的方法包括在波导层上制备保护层；图案化保护层以在波导层的表面形成保护区和暴露区，保护区被保护层所覆盖；以及对带有保护层的波导层的表面进行抛光以使暴露区形成厚度渐变的渐变区。本申请另一些实施例还提供了一种制备光芯片的方法，其包括上述制备模斑转换器的方法。本申请实施例提供的制备模斑转换器和光芯片的方法可有效解决传统技术中遇到的问题。
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公开(公告)号：CN114815048B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210229813.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
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公开(公告)号：CN117031628A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311017448.X
申请日：2023-08-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了飞秒激光直写偏移对接波导实现模式转换的方法及应用，属于激光加工技术领域，该方法采用将单模波导与多模波导直接对接的方式，解决了利用飞秒激光进行波导直写时的模式转换问题。其主要原理是当一束单模光束以偏移多模波导的中心位置或传输方向入射进多模波导时，会在多模波导中激发出高阶模式，通过改变单模光的入射位置或角度，可实现低损耗的模式转换。将单模波导与多模波导进行对接，改变对接时二者间的位置关系，可将单模波导中原有的单模传输光束转化为多模波导中的高阶模式，并通过对单模波导与多模波导的加工参数与对接时的位置进行精细控制，可有效降低波导器件的插入损耗，实现片上低损耗，低成本，占用面积小的模式转换。
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