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公开(公告)号：CN117130094A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310903018.1
申请日：2023-07-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种低损耗传输的三维直角弯曲波导，所述三维直角弯曲波导为波导高度发生变化的三维结构，包括至少一个90°弯曲部；所述90°弯曲部的波导截面为非对称结构，波导截面从内向外的高度为渐变型且波导传输中心外侧大于波导传输中心内侧的高度；该三维高度变化的设计可降低导模在高度固定的二维平面弯曲波导中传输时产生的传输中心内外侧相速度差导致的有效折射率差，提高对光传输时导模的限制，降低弯曲波导的辐射泄漏损耗；还公开对应设计方法及加工工艺；此三维弯曲波导制作工艺简单，可降低弯曲波导的制备成本。
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公开(公告)号：CN114815057A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479856.6
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种聚焦型垂直光栅耦合器及其制备方法，扇形聚焦光栅结构位于SOI基片顶部的顶硅层，顶硅波导层包括扇形聚焦光栅波导结构和条形波导结构。制备时，先在顶部硅层上沉积一层多晶硅；然后涂覆光刻胶；之后对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶层聚焦光栅波导结构图形；通过反应离子刻蚀，将光刻胶层聚焦光栅波导结构图形转移到顶部硅层上，得到扇形聚焦光栅波导结构和条形波导结构；并在顶硅波导层上方沉积二氧化硅包覆层；在扇形聚焦光栅波导结构上方的二氧化硅包覆层上蚀刻出聚焦凸透镜，得到带透镜聚焦型垂直光栅耦合器。本发明改变了垂直光栅耦合器的结构，增大了耦合光源，增强了光栅上衍射光的干涉，提高了对准容差和耦合效率。
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公开(公告)号：CN110838390B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201911149767.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 武汉大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：1)清洗基底；2)在基底上面旋涂光刻胶，烤干；3)使用激光直写设备设计图案并在覆盖有光刻胶的基底上曝光图案化的区域，然后用显影液去除对应图案化区域的光刻胶；4)将银纳米浆料涂至图案化区域，占据去除光刻胶后的区域，再使用研磨的方法，保证银纳米浆料与剩余光刻胶厚度均匀一致；5)把透光片压在步骤4)得到的图案化区域上，然后激光穿过透光片扫描基底的图案化区域，烧结固化银纳米浆料；6)去除剩余光刻胶，即得图案化透明导电薄膜。本方法可以任意设计图案，方便快捷地实现透明导电薄膜的图案化，灵活性强，可重复性好。
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公开(公告)号：CN111003683B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201911037821.1
申请日：2019-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC高温压力传感器及其封装方法，传感器包括SiC MEMS芯片、AlN载体、弹性金属膜、支撑管壳、导热基座和多根导电接线柱，导热基座安装在支撑管壳内，所述AlN载体固定安装在导热基座上，所述SiC MEMS芯片固定安装在AlN载体上，所述弹性金属膜设于SiC MEMS芯片上方的支撑管壳上，SiC MEMS芯片与AlN载体相贴的一面刻蚀有减薄的自密封空腔，所述导电接线柱从支撑管壳下端贯穿导热基座后与SiC MEMS芯片的电极相连，且导电接线柱与导热基座之间设有绝缘层。将上述装配结构放入导热硅油中，利用环形塞帽将弹性金属膜压配到支撑管壳中，完成SiC高温压力传感器封装。本发明封装成本低廉，可靠性好，将芯片与介质完全隔离，可在500℃以上高温条件下连续工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114815053A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479861.7
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI基锥形结构的边缘耦合器及其制备方法，边缘耦合器是位于SOI基片顶部硅层上的锥形结构；顶部硅层的锥形结构包括入射锥形波导和出光波导，锥形波导从入射端开始在平行于SOI基片的方向和垂直于SOI基片两个方向尺寸缩小渐变。制备时，首先在SOI基片顶部均匀涂覆光刻胶，然后曝光、显影，在光刻胶上得到锥形结构图案，之后利用干法刻蚀技术将光刻胶上的图案转移至顶部硅层，利用聚焦离子束对锥形结构的入射端进行降低粗糙度处理，并沉积二氧化硅作为包覆层；最后对入射端进行抛光处理后完成边缘耦合器的制备。本发明结构简单、使用方便、耦合效率高。
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公开(公告)号：CN111003683A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911037821.1
申请日：2019-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC高温压力传感器及其封装方法，传感器包括SiC MEMS芯片、AlN载体、弹性金属膜、支撑管壳、导热基座和多根导电接线柱，导热基座安装在支撑管壳内，所述AlN载体固定安装在导热基座上，所述SiC MEMS芯片固定安装在AlN载体上，所述弹性金属膜设于SiC MEMS芯片上方的支撑管壳上，SiC MEMS芯片与AlN载体相贴的一面刻蚀有减薄的自密封空腔，所述导电接线柱从支撑管壳下端贯穿导热基座后与SiC MEMS芯片的电极相连，且导电接线柱与导热基座之间设有绝缘层。将上述装配结构放入导热硅油中，利用环形塞帽将弹性金属膜压配到支撑管壳中，完成SiC高温压力传感器封装。本发明封装成本低廉，可靠性好，将芯片与介质完全隔离，可在500℃以上高温条件下连续工作。
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公开(公告)号：CN117092749A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310951412.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开一种高效率光波传输的弯曲波导，其特征在于：包括从下到上依次布置的硅基衬底、氧埋层、顶硅波导层及包覆层；顶硅波导层内设置三维结构的90°直角弯曲波导，90°直角弯曲波导位于顶硅波导层并与其底部的氧埋层和其上方的包覆层接触；所述90°直角弯曲波导的传输中心内外侧的高度不同,内侧高度小于外侧高度,90°直角弯曲波导的截面设计为台阶状六边形截面或非对称半圆截面；可减少弯曲波导向周围包层的辐射损耗，从而有效提高光波的传输效率；还公开对应设计方法及加工工艺；此弯曲波导的制作工艺成本低，易于实现；容易推广到其在模分复用器和模解复用器的工程应用。
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公开(公告)号：CN110838390A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911149767.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 武汉大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：1)清洗基底；2)在基底上面旋涂光刻胶，烤干；3)使用激光直写设备设计图案并在覆盖有光刻胶的基底上曝光图案化的区域，然后用显影液去除对应图案化区域的光刻胶；4)将银纳米浆料涂至图案化区域，占据去除光刻胶后的区域，再使用研磨的方法，保证银纳米浆料与剩余光刻胶厚度均匀一致；5)把透光片压在步骤4)得到的图案化区域上，然后激光穿过透光片扫描基底的图案化区域，烧结固化银纳米浆料；6)去除剩余光刻胶，即得图案化透明导电薄膜。本方法可以任意设计图案，方便快捷地实现透明导电薄膜的图案化，灵活性强，可重复性好。
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公开(公告)号：CN215005943U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202121277696.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本实用新型提供了一种用于微透镜阵列制造的一体化装置，包括：用于光刻的激光直写腔、第一真空过渡舱门、用于光刻胶显影的显影转运腔、第二真空过渡舱门以及用于刻蚀加工的等离子体刻蚀腔，所述激光直写腔与所述显影转运腔通过所述第一真空过渡舱门转运样品并实现彼此隔离，所述显影转运腔与所述等离子体刻蚀腔通过第二真空过渡舱门转运样品并实现彼此隔离。本实用新型将激光直写光刻设备、显影设备、等离子体刻蚀机的多个功能集成于一体，能够实现微透镜阵列的一体化制造。由于本实用新型装置集成度高，中间步骤少，洁净度高，有效减少了芯片制造工艺中的风险。另外，本实用新型所述的装置自动化程度高，结构简单，节省了人工成本和设备成本。
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