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公开(公告)号：CN118867072A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411339121.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微LED发光显示装置及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的微LED发光显示装置的制备方法中，采用氧化锆作为微LED单元的保护层，由于氧化锆的密度较高，进而可以更加有效的保护微LED单元，且在本申请中，通过设置每个所述微LED单元具有上表面、下表面以及倾斜的侧表面，所述微LED单元的所述侧表面与所述微LED单元的所述下表面的夹角为50‑60度，通过优化所述微LED单元的所述侧表面与所述微LED单元的所述下表面的夹角，便于氧化锆保护层和第一金属层的制备，且有效提高微LED单元的侧面的反射性能，进而可以提高微LED单元的出光效率。
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公开(公告)号：CN118866888A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310467047.8
申请日：2023-04-27
Applicant: 青岛海信商用显示股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：驱动背板，用于提供驱动信号；多个第一发光单元，第一发光单元包括第一发光芯片、第二发光芯片和第一粘合层，第一粘合层位于第一发光芯片和第二发光芯片之间，第一粘合层用于粘合并电连接第一发光芯片和第二发光芯片；多个第二发光单元，第二发光单元包括第三发光芯片；各第一发光单元、各第二发光单元与驱动背板电连接；第一发光芯片、第二发光芯片、第三发光芯片的出射光颜色不同。第一发光芯片和第二发光芯片通过第一粘合层粘合在一起形成一个发光单元，有利于减小显示装置中一个像素的体积，缩小相邻像素之间的间距，进而有利于增加显示装置中像素的数量，提高显示装置的分辨率。
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公开(公告)号：CN118866827A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410897846.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 新确有限公司
Inventor： 龙见翔太
Abstract: 本发明涉及汇流条组件及半导体模块。汇流条组件具有：多个汇流条，在同一平面内以存在间隙的状态并列配置；及绝缘性树脂层，包括填充于所述间隙且将多个汇流条以绝缘状态连结的连结部及设置于多个汇流条由所述连结部连结而成的汇流条连结体的第1面的第1面侧层叠部。绝缘性树脂层具有：第1面侧中央开口，使多个汇流条的第1面露出；第1面侧中央覆盖区域，包围第1面侧中央开口；第1面侧周缘开口，在包围第1面侧中央覆盖区域的区域中使汇流条连结体的第1面露出；及第1面侧周缘覆盖区域，包围所述第1面侧周缘开口。
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公开(公告)号：CN118866699A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410895695.8
申请日：2024-07-04
Applicant: 深圳市新透显视科技有限公司
Abstract: 一种柔性PET透明显示屏及其制作工艺，它涉及显示屏技术领域。制作工艺包括以下步骤：S1：按照设定尺寸剪取多个PET基质；S2：在PET基质上进行磁控溅射；S3：对磁控溅射后的PET基质进行钻孔；S4：对钻孔后的PET基质进行沉铜电镀，形成电路结构；S5：对电镀后的PET基质进行蚀刻，以形成所需的电路图案；S6：在蚀刻后的PET基质上覆盖保护膜；S7：在覆盖保护膜后PET基质表面进行沉锡处理；S8：将RGB芯片和驱动IC分别倒装连接至PET基质的电路图案的设定位置；S9：对贴装RGB芯片和驱动IC后的PET基质进行AOI检测；S10对检测合格的PET基质进行回流焊处理，形成小显示屏；S11：对多个小显示屏进行拼装，组成显示屏。采用上述方案，具有提高显示效果、便于电路焊接等优势。
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公开(公告)号：CN114420716B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210028457.8
申请日：2022-01-11
Applicant: TCL华星光电技术有限公司
Inventor： 周世新
Abstract: 本申请实施例公开了一种微型发光二极管背板及其制备方法，微型发光二极管背板包括：背板；微型发光二极管，微型发光二极管在背板上呈阵列排布；第一接触电极，第一接触电极设置于微型发光二极管远离背板的第一表面；第二接触电极，第二接触电极设置于微型发光二极管中与第一表面相对的第二表面；键合金属层，键合金属层设置于第二接触电极与背板之间；在微型发光二极管的侧面上设置有纳米粒子层，且在纳米粒子层上还设置有聚电解质层。通过在微型发光二极管的侧壁上设置纳米粒子层以及聚电解质层，以达到在微型发光二极管的侧壁上形成双层侧壁保护层，从而使微型发光二极管的侧壁保护层不易剥落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118825178A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410705332.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 湖北三安光电有限公司
IPC: H01L33/62 , H01L33/44 , H01L25/075 , H01L33/36 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，半导体发光元件自发光外延层向第一表面投影，第一半导体层的下边缘具有第一投影线，第二导电类型半导体层的上边缘具有第二投影线，第一投影线位于第二投影线的外围，并且焊盘电极靠近发光外延层的边缘的投影边界线位于第一投影线和第二投影线之间。上述第一导电类型半导体层的下边缘为第一台面的边界，第二导电类型半导体层的上边缘为第二台面的边缘，因此，在发光外延层向第一表面的投影中，焊盘电极盖过第二台面的边缘，进一步地，相比于第二台面的边缘，使得焊盘电极的边缘更加靠近第一台面的边缘。由此，可以大大增加焊盘电极与固晶的基板之间的结合力。
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公开(公告)号：CN118825171A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410865043.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
Inventor： 尹炳坤
Abstract: 本申请公开了本申请提供了一种阵列基板及显示面板，包括基板、薄膜晶体管、第一垫高部、第二垫高部、封装层、第一导电部以及第二导电部，薄膜晶体管设于基板上；第一垫高部设于基板上，且第一垫高部位于薄膜晶体管的一侧；第二垫高部设于基板上，且第二垫高部与第一垫高部间隔；封装层设于基板上，且封装层覆盖薄膜晶体管；第一导电部设于第一垫高部远离基板的一表面；第二导电部设于第二垫高部远离基板的一表面；其中，第一导电部的顶面所在平面不低于封装层的顶面所在的平面，第二导电部的顶面所在平面不低于封装层的顶面所在的平面。
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公开(公告)号：CN118825165A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410893420.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
IPC: H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种发光芯片、显示芯片及其制作方法。该发光芯片包括发光单元和至少一层电极层；发光单元包括层叠设置的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层；发光单元在第一类型半导体层远离发光层的一侧具有第一表面，发光单元在第二类型半导体层远离发光层的一侧具有第二表面；电极层与第一类型半导体层连接，并延伸至第二表面，且与第二类型半导体层绝缘；和/或，电极层与第二类型半导体层连接，并延伸至第一表面，且与第一类型半导体层绝缘。本发明降低了发光芯片在巨量转移过程中的制程要求，降低了巨量转移的成本，同时有利于提高巨量转移的制程良率。
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公开(公告)号：CN118825148A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310462257.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 深超光电(深圳)有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/62 , H01L33/44 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种显示装置、LED模块及其制造方法。所述LED模块的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成第一线路层；通过结合部将多个发光元件设置在所述第一线路层上，以使各所述发光元件的第一电极与所述第一线路层电连接；在所述基板上形成保护层以覆盖所述多个发光元件，其中所述保护层的厚度大于或等于所述多个发光元件的高度；移除覆盖各所述发光元件的第二电极的所述保护层，以在各所述多个发光元件和所述保护层之间形成开口；以及在所述保护层上形成第二线路层，其中所述第二线路层通过所述开口电连接至各所述发光元件的所述第二电极。
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公开(公告)号：CN118825049A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411072075.0
申请日：2024-08-06
Applicant: 诺视科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开一种具备不同粗化程度表面的微显示器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该微显示器件，包括：驱动晶圆；显示模组，所述显示模组包括设于所述驱动晶圆上，所述显示模组包括至少一个像素单元，所述像素单元远离所述驱动晶圆的一面为外延层表面，所述外延层表面包括具备第一粗化程度的第一部分表面、以及具备第二粗化程度的第二部分表面，所述第一部分表面、所述第二部分表面之上覆设有连续的共阴极层；其中，所述第一粗化程度大于所述第二粗化程度。基于上述技术方案，可以通过粗化程度较轻的这一部分外延层表面，与共阴极层形成良好的欧姆接触，从而提升器件的光电转化效率。
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