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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1214444C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01802037.2
申请日：2001-07-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；(2)用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到；(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法；(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气，可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。
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公开(公告)号：CN1386299A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01802037.2
申请日：2001-07-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气,通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体;(2)用于半导体生产设备的净化气,该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到;(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法;(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气,可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。
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公开(公告)号：CN1161952A
公开(公告)日：1997-10-15
申请号：CN97102131.7
申请日：1997-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/269
Abstract: 生产全氟化碳的方法，包括使氢氟化碳与氟气在汽相中、在较高的反应温度下在第一反应区中接触获得气态反应混合物的步骤；和将气态反应混合物作为稀释气体引入第二反应区中和将其在该区中于较高的反应温度下与必要时与氟气一起送入第二反应区的氢氟化碳接触的步骤，送入第二反应区的氢氟化碳与在第一反应区中的氢氟化碳不同。
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公开(公告)号：CN1085888A
公开(公告)日：1994-04-27
申请号：CN92112813.4
申请日：1992-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/395 , C07C19/08
Abstract: 在三氯乙烯与氟化氢反应制1，1，1，2-四氟乙烷的过程中，粗1，1，1，2-四氟乙烷经如下几个步骤高度提纯；对粗1，1，1，2-四氟乙烷进行初步提纯除去氯化氢至浓度不高于2％，将经过初步提纯的，含有一种或多种不饱和杂质及至少与不饱和杂质量等摩尔的氟化氢的1，1，1，2-四氟乙烷在汽相中与氟化反应催化剂接触，从而降低不饱和杂质的含量。
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公开(公告)号：CN1083037A
公开(公告)日：1994-03-02
申请号：CN93106510.0
申请日：1993-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B7/196 , C07C17/38 , C07C17/389 , Y02P20/582 , C07C19/08
Abstract: 纯化1，1，1，2-四氟乙烷的方法，它包括：使浓缩的含HF的1，1，1，2-四氟乙烷馏分于低温与作为萃取溶剂并且其HF浓度等于或高于在水-HF共沸点时的HF浓度的氢氟酸接触，从而进行两相分离并随后从被分离的下层中回收1，1，1，2-四氟乙烷，其中用作萃取溶剂的氢氟酸的浓度为38～70％(重量)并且该萃取和两相分离步骤均于-35～35℃温度进行。按照该纯化方法，可以从含少量HF的1，1，1，2-四氟乙烷馏分中经济地回收HF。
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