公开(公告)号：CN1249529C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02119275.8

申请日：2002-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。

公开(公告)号：CN1221831C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02118611.1

申请日：2002-04-25

Applicant: 株式会社尼康 ,  株式会社东芝

Inventor： 鹤旨笃司 ,  水野次郎 ,  伊藤信一 ,  高桥理一郎 ,  江间达彦

IPC: G02B21/16

CPC classification number: G02B21/16

Abstract: 一种紫外线显微镜，具有用紫外光观察样品的紫外光观察装置；气体供给装置，在用紫外光进行观察中，向样品附近供给非活性气体；定时控制装置，控制通过气体供给装置进行的非活性气体的定时供给。定时控制装置控制气体供给装置，以在用紫外光进行样品的观察前，使非活性气体被预供给，同时至少在用紫外光进行观察中，使非活性气体被正式供给。

公开(公告)号：CN1199234C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00137613.6

申请日：2000-12-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B05D3/02 ,  B05D1/02 ,  B05D1/26

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，对于具有校正因液状膜中所包含的溶剂挥发生成汽化热而产生的液状膜的温度分布那样温度分布的被处理衬底，采用扫描涂敷方法形成液状膜之后，除去液状膜的溶剂，形成涂敷膜。可以使采用扫描涂敷方法形成的涂敷膜膜厚分布均匀。

公开(公告)号：CN1497662A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100255.7

申请日：2003-10-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  盐原英志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67115 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。

公开(公告)号：CN1442885A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03105143.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN1371121A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN02103561.X

申请日：2002-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/38

Abstract: 包含前处理工序、显影工序、及清洗工序;在该前处理工序中,将具有氧化作用的氧化性液体涂覆到曝光后的感光性抗蚀剂膜301a、b的表面,由该氧化性液体氧化该抗蚀剂膜的表面,形成氧化层310;在该显影工序中,向氧化了表面的上述感光性抗蚀剂膜供给显影液302,进行该抗蚀剂膜的显影;在该清洗工序中,向上述被处理基板的表面供给清洗液,对该基板进行清洗。这样,可抑制形成于抗蚀剂的图形的基板整个区域和微小区域的尺寸差,减少在显影工序中产生的缺陷。

公开(公告)号：CN1304167A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00137613.6

申请日：2000-12-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B05D3/02 ,  B05D1/02 ,  B05D1/26

Abstract: 本发明可使采用扫描涂敷方法形成的涂敷膜膜厚分布均匀。对于具有校正因液状膜中所包含的溶剂挥发生成汽化热而产生的液状膜的温度分布那样温度分布的被处理衬底,采用扫描涂敷方法形成液状膜之后,除去液状膜的溶剂,形成涂敷膜。