一种绒面AZO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108165939A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201711415267.7

    申请日:2017-12-25

    CPC classification number: C23C14/086 C03B11/00 C23C14/35

    Abstract: 本发明公开一种绒面AZO薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、采用熔融法制备超白玻璃,在超白玻璃出炉过程中,采用表面具有绒面结构的模板对超白玻璃表面进行压模,得到表面具有绒面结构的超白玻璃;S2、将制得的超白玻璃进行钢化、切割、清洗工序得到表面具有绒面结构的玻璃基片;S3、将玻璃基片作为衬底,通过磁控溅射在玻璃基片的绒面沉积AZO,得到绒面AZO薄膜;本方法无需酸蚀刻步骤,降低薄膜的制备成本,避免环境污染;AZO薄膜的绒面由表面具有绒面结构的模板决定,能够有效地控制绒面;绒面AZO薄膜的质量容易控制,性能稳定,重复性好。

    一种氮掺杂p型ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108149196A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201711415408.5

    申请日:2017-12-25

    CPC classification number: C23C14/086 C23C14/35

    Abstract: 本发明公开一种氮掺杂p型ZnO薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗衬底;S2、使用磁控溅射镀膜设备,将ZnO陶瓷靶作为靶材,清洗后的衬底置入磁控溅射真空腔内,通入溅射气体氩气、氧气与氮气,通过磁控溅射制备得到氮掺杂p型ZnO薄膜;氩气、氧气与氮气的体积比为20:6:0.5;氮气的通入采用环形供气装置,环形供气装置包含水平设于磁控溅射真空腔内的环形饼柱,环形饼柱为空心,环形饼柱的内环壁设有一组出气孔,环形饼柱还连接有延伸出磁控溅射真空腔的供气管;磁控溅射时,环形饼柱环绕包围衬底;直接以氮气为掺杂源,同时改变氮气的供气方式,只需要少量的氮气就可达到氮的离子化,并且容易掺入到ZnO薄膜中实现p型转变,得到p型ZnO薄膜。

    一种低反射高分辨率玻璃
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107586046A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201710805841.3

    申请日:2017-09-08

    Abstract: 本发明公开一种低反射高分辨率玻璃,该玻璃包括基板玻璃(4),所述基板玻璃(4)上部依次层叠为上防眩层(3)、上减反增透层(2)、上保护层(1);该基板玻璃的下部依次层叠为下防眩层(5)、下减反增透层(6)、下保护层(7)。所述上、下保护层厚度为1-10nm,上、下减反增透层厚度为10-100nm,上、下防眩层厚度为100-200nm。所得玻璃镜面反射率≤0.1%,目视分辨率≥8 lp/mm。本发明生产良率高,产品质量稳定,生产过程环保无污染。

    一种高电阻率CN薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107475668A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710800979.4

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 本发明涉及一种高电阻率CN薄膜的制备方法,包括以下步骤:选用0.1-1.5mm的衬底材料;对衬底材料进行超声波清洗;在样品基架上放置C靶材;把清洗干净的衬底材料放置于样品基架上;使用氩离子轰击靶材,达到清洗和活化靶材的作用;把清洗后的衬底材料放入真空度抽至4.0×10-4—6.0×10-4Pa的溅射腔室内,通入氩气进行预溅射起辉,同时再通入氮气。本发明的优点:本方法通过氩气溅射起辉,同时通入氮气反应,采用直流溅射镀膜,在镀膜的过程中,引入变参数较少,薄膜质量容易控制,通过改变氩气和氮气的比例,能够制备适用不同器件使用的CN薄膜,本发明的制备工艺简单,重复性强。

    消影增透导电玻璃
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106587655A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611188163.2

    申请日:2017-01-23

    CPC classification number: C03C17/3417 C03C2217/73 C03C2217/94 G06F3/041

    Abstract: 本发明公开消影增透导电玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有上TiO2膜层、上SiO2膜层与ITO膜层,ITO膜层蚀刻有电极图案;玻璃基板底面由上至下依次层叠有第一下TiO2膜层、第一下SiO2膜层、第二下TiO2膜层与第二下SiO2膜层;所述上TiO2膜层的厚度为5~10nm、上SiO2膜层的厚度为40~60nm、ITO膜层的厚度为20~40nm;所述第一下TiO2膜层的厚度为12~18nm、第一下SiO2膜层的厚度为25~35nm、第二下TiO2膜层的厚度为95~135nm、第二下SiO2膜层的厚度为70~100nm;利用折射率不同的上TiO2膜层与上SiO2膜层起到消影作用,玻璃基板底部交错的四层介质层起到减反増透的效果,并由各膜层厚度的配合,提高产品的透过率,减少反射率,降低面电阻,使得触摸屏在强光下也可以清晰的显示。

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