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公开(公告)号：CN112236858A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202080002344.X
申请日：2020-09-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本公开内容提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：面对面地键合第一管芯和第二管芯，第一管芯包括：衬底；在第一管芯的正面形成的在半导体层之上的晶体管，其中在衬底与半导体层之间具有绝缘层；以及在第一管芯的正面的延伸穿过绝缘层的第一接触结构。该方法还可以包括：使第一接触结构从第一管芯的背面暴露；从第一管芯的背面在绝缘层中形成接触孔以使半导体层暴露；以及在第一管芯的背面形成与第一接触结构连接的第一焊盘引出结构和在接触孔上与半导体层导电地连接的第二焊盘引出结构。
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公开(公告)号：CN112204734A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202080002320.4
申请日：2020-09-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本公开内容的方面提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括面对面键合的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：在半导体部分中的在第一管芯的正面侧上形成的第一晶体管、和布置在半导体部分外部的绝缘部分中的至少一个接触结构。第二管芯包括衬底和在第二管芯的正面侧上形成的第二晶体管。此外，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上的第一焊盘结构，并且第一焊盘结构与所述接触结构导电耦合。所述接触结构的端部从绝缘部分突出到第一焊盘结构中。此外，在一些实施例中，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上并且与半导体部分导电连接的连接结构。
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公开(公告)号：CN111785681A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010640621.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 肖亮
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请公开了一种存储器件及其制造方法。制造方法包括形成贯穿衬底的至少一个通孔，通孔沿衬底的第二表面延伸至衬底的第一表面；在衬底第二表面和通孔内部依次形成绝缘层、导电材料层；在导电材料层表面形成金属材料层；以及去除部分金属材料层、部分导电材料层以及部分绝缘层，使得位于通孔内部和位于部分衬底第二表面的导电材料层作为硅贯穿互连结构，位于硅贯穿互连结构表面的金属材料层作为背侧互连导电层，背侧互连导电层与硅贯穿互连结构接触且电连接。本申请采用一次刻蚀去除多余的导电材料层和金属材料层以同时形成硅贯穿互连结构和背侧互连导电层，使得背侧互连导电层和硅贯穿互连结构之间的接触部紧密配合，提升了存储器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN110970348A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911065482.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，第一基底包括半导体衬底及形成于半导体衬底表面的器件结构层，器件结构层中形成有互连结构，半导体衬底中形成有贯穿上下表面的贯穿接触孔，贯穿接触孔显露互连结构；基于氧化工艺于贯穿接触孔内壁表面形成隔离层；于贯穿接触孔中填充导电材料以形成贯穿接触部，贯穿接触部至少形成于隔离层的表面并与互连结构电连接，本发明的半导体结构及制备，采用氧化工艺形成隔离层，使隔离层的制备过程中无需采用刻蚀工艺，从而可以有利于减少电浆导致的器件结构的损害，采用本发明的工艺减少了一道刻蚀工艺，简化了半导体结构的制备工艺。
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公开(公告)号：CN108598081A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810378606.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及三维存储器件及其制造方法。公开了一种用于制造三维存储器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上定义核心区域和外围区域；在所述衬底的外围区域形成外围电路；在所述衬底的核心区域和外围区域共形地形成第一材料层，覆盖所述外围电路和所述衬底表面；在所述第一材料层上共形地形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述第一材料层；在所述第二材料层上形成第三材料层，所述第三材料层覆盖所述第二材料层，且所述第三材料层的上表面为平坦表面；在所述第三材料层上形成堆叠结构，所述堆叠结构至少覆盖所述衬底的核心区域；在所述衬底的核心区域上形成所述三维存储器件的存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119451116A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310970891.2
申请日：2023-08-01
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，用于改善半导体器件的漏电问题。一种半导体器件，具有第一区和第二区。半导体器件包括：源极层、叠层结构和多个沟道结构。叠层结构设置在源极层一侧，且包括交替层叠设置的栅介质层和栅极层。多个沟道结构贯穿叠层结构至源极层。沟道结构包括存储功能层和沟道层。多个沟道结构包括第一沟道结构和第二沟道结构。第一沟道结构位于第一区，第二沟道结构位于第二区。第一沟道结构中靠近源极层的沟道层与源极层直接接触，第二沟道结构中靠近源极层的沟道层与源极层之间设置有存储功能。上述半导体器件用于实现数据的读取和写入操作。
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公开(公告)号：CN119050087A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411172974.8
申请日：2020-09-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H10B43/20 , H10B43/35
Abstract: 本公开内容的方面提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括面对面键合的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：在半导体部分中的在第一管芯的正面侧上形成的第一晶体管、和布置在半导体部分外部的绝缘部分中的至少一个接触结构。第二管芯包括衬底和在第二管芯的正面侧上形成的第二晶体管。此外，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上的第一焊盘结构，并且第一焊盘结构与所述接触结构导电耦合。所述接触结构的端部从绝缘部分突出到第一焊盘结构中。此外，在一些实施例中，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上并且与半导体部分导电连接的连接结构。
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公开(公告)号：CN118676178A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310276033.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件、制备方法、存储器及系统，包括：堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的多个隔离层和栅极层；第一隔绝层，第一隔绝层位于隔离层或栅极层任意一层上；栅线隔离结构，栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构和第一隔绝层；第二隔绝层，第二隔绝层包裹栅线隔离结构；半导体层，半导体层覆盖第一隔绝层和第二隔绝层。本申请提供了第一隔绝层和第二隔绝层对栅线隔离结构进行了保护，从而防止激光照射的高温使栅线隔离结构内部的气泡产生裂痕，并刺穿覆盖的结构。
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公开(公告)号：CN118448437A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310099029.9
申请日：2023-02-03
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/762
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器和存储系统；该半导体器件包括存储阵列；所述存储阵列包括多个存储单元；沟槽隔离结构包括位于相邻两个存储单元之间且沿第一方向延伸的第一隔离结构，所述第一隔离结构的横截面呈凹凸形状。本申请刻蚀处理使得第一隔离结构的横截面呈凹凸形状，缓解应力集中的情况，从而提高了隔离沟槽的整体强度，大大降低断裂概率以改善半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118251001A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310815900.0
申请日：2023-07-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种存储器件。所述存储器件可以包括交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括在第一方向上堆叠的电介质层和导电层。所述存储器件还可以包括在第一区域中沿所述第一方向延伸穿过所述交替层堆叠体的沟道结构。第一材料层可以设置在所述沟道结构上。所述存储器件还可以包括在毗邻所述第一区域的第二区域中沿所述第一方向延伸穿过所述交替层堆叠体的第一虚设沟道结构。第二材料层可以设置在所述第一虚设沟道结构上。所述第一材料层和所述第二材料层可以是不同的材料。所述第一材料层可以在第二方向上与所述第一虚设沟道结构间隔开。所述第一方向可以垂直于所述第二方向。
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