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公开(公告)号：CN109031706A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810954973.7
申请日：2018-08-21
Applicant: 南通赛勒光电科技有限公司
IPC: G02F1/025 , H01L29/868 , H01L29/06
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0152 , H01L29/0684 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开一种硅基电光调制器的掺杂结构，包括脊型波导，包括平板部与位于平板部的中部的条形波导；脊型波导中形成第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域及第四掺杂区域；第二掺杂区域越过条形波导的中心与第三掺杂区域的交界处形成PN结掺杂耗尽区，PN结掺杂耗尽区包括依次排列的具有一PN结掺杂周期的圆弧状结构，PN结掺杂耗尽区与第二掺杂区域相通，PN结掺杂耗尽区的掺杂离子与第二掺杂区域的掺杂离子相同。有益效果：在不显著增加PN结电容的情况下，增加PN结耗尽区的宽度，改善PN结掺杂耗尽区与光模场的重叠因子，提高调制器的工艺容差，并且这种掺杂结构工艺简单，与传统工艺兼容，可用于大规模生产，成本较低，具有很高的产业利用价值。
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公开(公告)号：CN108780235A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017852.3
申请日：2017-03-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 在现有技术的具有CPW电极构造的双电极的Si光调制器中，调制频率特性会因在两个接地电极传输的返回电流相位差而劣化。为了防止该劣化，缩短调制器长度而在相位差产生前使信号传输结束、或减小光波导pn结部电容与不经由RF电极以及光波导的接地电极间电容的差，来减小相位差。但是，当调制器长度缩短时，向光波导的施加电场会减少，调制效率会降低。空气桥、电线布线与CMOS兼容处理不匹配。本发明的光调制器具备配置于基板内的RF电极与光波导之间的、连接两个接地电极的桥布线。通过桥布线，CPW的两个接地电极间的电位相等，会消除由向RF电极的高频电信号感应出的在两个接地电极传输的返回电流相位差。能制作抑制高频特性劣化的Si光调制器。也能解决制作工序的在注入时掩模偏离的问题。
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公开(公告)号：CN104932122B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510086888.X
申请日：2015-02-17
Applicant: 富士通株式会社 , 技术研究组合光电子融合基盘技术研究所
Inventor： 秋山知之
IPC: G02F1/025
Abstract: 公开了光学元件的控制方法，所述光学元件包括发射具有彼此不同的波长的光的光源以及沿着光波导以级联方式连接的环形调制器。每个环形调制器包括环形谐振器和调节环形谐振器中的谐振波长的波长调节电极，其中，来自光源的光被多路复用以进入光波导。所述方法包括：使光源发射光；调节至每个环形调制器中的波长调节电极的功率，以获得使环形谐振器的谐振波长与从光源发射的光的波长相等的功率值；获得光源与对应于环形调制器的功率值之间的关系；以及基于所述关系选择与光源相对应的环形调制器。
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公开(公告)号：CN103207464B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201210016037.4
申请日：2012-01-17
Applicant: 上海硅通半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电光开关或光衰减器，包括一个由并行的第一波导臂和第二波导臂构成的MZI结构，所述第一波导臂和第二波导臂均包括一个波导电容器结构。所述第一波导臂外接第一电信号源，所述第二波导臂外接第二电信号源。在外接电信号源作用下，所述第一波导臂的脊波导的本征区有较大量载流子注入，而所述第二波导臂的脊波导的本征区无注入载流子或较少量载流子注入；所接电信号源同时在两个波导臂引起温度变化，在所述第二波导臂所引起的温度变化和第一波导臂相同或无限接近。本发明公开的电光开关或光衰减器能减小由于两条波导臂温度差异所引起的热效应下折射率的变化差异，提高器件效率。
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公开(公告)号：CN107111169A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070569.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 莱恩尼克斯国际有限责任公司
Abstract: 公开了一种平面光波电路，其能够与具有低光损耗的外部设备光耦合，同时还提供了对传播通过PLC的光信号的低功率功能控制。PLC包括其中形成应力诱导(SI)移相器的高对比度波导区域，使得它能够控制光信号的相位。高对比度波导区域经由斑点尺寸转换器光耦合到低对比度波导区域，由此使到能够光耦合到具有低光损耗的芯片外设备。在高对比度波导区域中形成SI移相器使得能够有改进的响应性和相位控制、降低的电压以及更小的所需芯片占用面积。因此，本发明使得能够实现更低成本和更高性能的PLC系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107111168A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580067449.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 思科技术公司
Inventor： 唐纳德·本杰明·亚当斯 , 西恩·P·安德森 , 马克·安德鲁·韦伯斯特 , 马修·特拉韦尔索
IPC: G02F1/025
Abstract: 在本公开中呈现的实施例大体上涉及包括一个或多个调制器部分和端接器部分的电光设备。每个调制器部分被沿着光信号的传播路径布置，并且包括相应的第一掺杂区域和一个或多个耦接的第一电触头。每个调制器部分操作以通过使用施加到电触头的第一电信号来调制穿过第一掺杂区域传播的光信号。端接器部分被沿着传播路径设置并邻近于至少一个调制器部分，并且可操作以减轻对传播的光信号的衰颓影响。
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公开(公告)号：CN105917257B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580002793.3
申请日：2015-02-24
Applicant: 洛克利光子有限公司
CPC classification number: H04Q11/0071 , G02B6/12019 , G02B6/12021 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/0157 , G02F2001/212 , G02F2001/213 , G02F2203/15 , H04B10/505 , H04J14/02 , H04Q11/0005 , H04Q2011/0016 , H04Q2011/0018 , H04Q2011/0032 , H04Q2011/0039
Abstract: 一种检测器重调器(DRM)，包括绝缘体上硅(SOI)波导平台，其包括：检测器，耦合到第一输入波导；调制器，耦合到第二输入波导和输出波导；以及将检测器连接到调制器的电路；其中检测器、调制器、第二输入波导和输出波导设置在彼此相同的水平平面中；并且调制器包括调制波导区，半导体结跨波导水平地设置在这里；以及光电子分组交换机包括：一个或多个交换机输入，用于接收光学分组信号；无源光学路由器，具有输入端口和输出端口，它们之间的光路是波长相关的；交换机控制单元；以及多个检测器重调器(DRM)，配置成接收来自一个或多个交换机输入的光学信号，并且生成调制光学信号供传送到无源光学路由器的输入端口，每个DRM包括：一个或多个检测器，用于将在一个或多个交换机输入所接收的光学分组信号转换为电分组信号；一个或多个调制器，用于生成调制光学信号，各调制器配置成：接收来自可调谐激光器的波长调谐激光输入；接收来自检测器之一的电分组信号；以及生成在调谐波长的调制光学信号，调制光学信号包含电分组信号的信息，并且调谐波长选定成，为调制光学信号选择无源光学路由器的期望输出端口；以及电子电路将一个或多个检测器的每个连接到对应调制器；其中一个或多个调制器的每个是与提供它的波长调谐激光输入的可调谐激光器分离的组件；并且其中交换机控制单元包括调度器，其在通信上连接到每个DRM的电子电路；电子电路配置成基于从交换机控制单元所接收的调度信息来控制由调制器进行的调制光学信号的生成。
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公开(公告)号：CN106873193A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610875466.5
申请日：2016-09-30
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/0123 , G02F1/2255 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/127 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供一种半导体光波导、半导体光调制器以及半导体光调制系统。将肋板型的芯线(11)的肋(12)分为p型半导体区域(12a)和n型半导体区域(12b)的边界面(12S)由成为第一横向pn结(J1)的接合面的第一平面(S1)、成为纵向pn结(J2)的接合面的第二平面(S2)、以及成为第二横向pn结(J3)的接合面的第三平面(S3)形成。
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公开(公告)号：CN106461985A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480075916.1
申请日：2014-05-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025
Abstract: 一种电光调制器(100)，用于将电信号调制到光载波中。所述电光调制器(100)包括：输入波导(g1)、分束器(g2)、两个对称的调制臂(e,f)、合束器(h2)、输出波导(h1)。所述调制臂(e,f)包括调制区波导、行波电极(190)和光栅结构(a,b)；所述调制区波导为金属-氧化物-半导体MOS结构；所述光栅结构(a,b)配置于所述调制区波导的两侧；所述电信号在所述行波电极(190)上的有效折射率，与所述光载波在两侧配置有所述光栅结构的调制区波导中的群折射率相匹配，从而能够增大电光调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN106133585A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016125.6
申请日：2015-01-23
Applicant: 思科技术公司
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02F1/011 , G02F1/2257 , G02F2001/0152
Abstract: 一种光调制器可包括下波导、上波导以及设置在这两者之间的电介质层。当在下波导和上波导之间产生电压电势时，这些层形成了硅‑绝缘体‑硅电容(也被称为SISCAP)导，该硅‑绝缘体‑硅电容导提供了对穿过调制器的光信号的高效、高速光学调制。在一个实施例中，至少一个波导包括各自在电荷调制区处对齐的脊部，脊部有助于将光学模式横向地(例如，在宽度方向上)限制在光学调制器中。在另一实施例中，脊部可在上波导和下波导二者上成形。这些脊部可在垂直方向(例如，厚度方向)上对齐以使脊部重叠，这样可通过将光学模式在电荷调制区中居中进一步提高光学效率。
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