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公开(公告)号：CN118393726A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410652188.1
申请日：2024-05-24
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明提供一种离轴涡旋相位板设计方法、装置、电子设备及可读存储介质，将涡旋相位、透镜相位和离轴相位进行叠加，获得离轴涡旋相位板的相位，进而确定离轴涡旋相位板的高度，完成离轴涡旋相位板的设计，与现有技术相比，设计较为简单，降低了设计门槛，拓展了设计自由性，并且，基于衍射光学原理，将相位分布限制在2π的整数倍，可使微结构关键尺寸增大，从而降低了对生产设备的要求，同时，所设计的离轴涡旋相位板可应用于微光学系统，且结构形貌复杂度较低，利于制备。
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公开(公告)号：CN117973016A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410097115.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种空间光调控仿真方法、装置、电子设备及可读存储介质，其基于光调控仿真模型，模拟微反射镜阵列调控空间光线的过程，由光学探测器实时探测光分布数据，进而对光分布情况进行展示，在此过程中，用户可以根据需要调整占空比、排列间隔、排列方式和微反射镜的物理特性参数中的其中一项或者多项，以达到需要的空间光分布，能够快速、精确地对微反射镜阵列中单个微反射镜的占空比、排列间隔、排列方式和或物理特性参数进行调整，能够对基于微反射镜阵列的空间光调控起到指导作用，从而高效地获得符合空间光线调控要求的微反射镜阵列。
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公开(公告)号：CN113359385B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110709880.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。
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公开(公告)号：CN113359385A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110709880.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。
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公开(公告)号：CN119840327A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510098756.2
申请日：2025-01-22
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有变色效果的高精度3D浮雕图案制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤1，采用清洗液清洁玻璃基底表面；步骤2，将光刻胶旋涂至清洁后的所述玻璃基底表面；步骤3，将低频锯齿光栅和高频闪耀光栅组成灰度图，并将所述灰度图导入激光直写设备；步骤4，采用所述激光直写设备刻蚀所述光刻胶；步骤5，将刻蚀后的样品显影；以及步骤6，在显影后的样品表面镀金属薄膜。本发明制备的变色3D浮雕图案，其微纳米结构形貌精度高，立体效果明显，以及在不同视角下观察具有变色效果，且改变颜色均匀。本发明的制备方法对环境无污染隐患，为绿色制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119667832A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411847038.2
申请日：2024-12-16
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有疏水功能的辐射制冷薄膜，包括：光学微结构以及多级疏水结构，所述光学微结构包括微透镜阵列，所述多级疏水结构包括多个柱体，所述柱体位于所述微透镜阵列中的每个微透镜的周围，所述多级疏水结构高于所述光学微结构，以确保气液界面高度高于所述光学微结构的高度。所述柱体包括第一柱体和所述第一柱体顶部的多个第二柱体，所述第二柱体的尺寸小于所述第一柱体，所述第二柱体均匀地分布在所述第一柱体的顶部边缘位置。本发明的一种具有疏水功能的辐射制冷薄膜，在表面覆盖水分的时候也能实现制冷功能，具有良好的防水疏水功能，并且能够保护微结构的光学功能。
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公开(公告)号：CN119065189A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411399472.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
IPC: G03B21/602
Abstract: 本发明公开了一种基于随机微凸凹透镜阵列的投影幕布制备方法及投影幕布。本发明的制备方法包括如下步骤：步骤S1：制备微透镜阵列层，所述微透镜阵列层包括若干个随机位置分布、随机高度的凹透镜和凸透镜；步骤S2：将所述微透镜阵列层转印到PET基材层上；步骤S3：在所述微透镜阵列层表面形成金属反射层；以及步骤S4：在所述金属反射层上形成成像层。本发明方法制备过程简单高效，可用于大规模生产。本发明方法制备的投影幕布，由于微透镜阵列层采用了随机分布的凹透镜和凸透镜，相比于规则排列的微透镜阵列，可有效抵抗环境光对投影成像画面造成的干扰，使成像画面更清晰、对比度更高、增益更大，并且具有更大的视场角。
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公开(公告)号：CN114280706B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111681529.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于UV激光直写光刻的双胶合微阵列透镜的制备方法，包括以下步骤：步骤a：设计好构成双胶合微透镜的单个微透镜的尺寸，将每个所述单个微透镜分解为2个透镜，每个所述透镜的一面均为平面；步骤b：将分解后的每个透镜分别形成为微透镜阵列组，并在每个所述微透镜阵列组旁边形成一组或两组对准标记，并制作相应的灰度图；步骤c：根据所述灰度图基于UV激光直写光刻技术制作微透镜阵列组和相应的对准标记；以及步骤d：通过步骤c中制作好的所述对准标记将制作好的所述微透镜阵列组进行对准，并组成双胶合微阵列透镜。本发明方法的技术原理简单可行。另外，本发明方法对微阵列透镜进行拼接胶合，可有效减小透镜像的像差及色差。
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公开(公告)号：CN119479506A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411735339.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有微图文阵列凹槽的菲涅尔微透镜阵列结构成像薄膜，包括：透明薄膜基底；复合型微聚焦元件阵列层，由多个复合型微聚焦元件单元组成，设置于所述透明薄膜基底的一个表面；所述复合型微聚焦元件阵列层构造为：在菲涅尔微透镜阵列表面，叠加微图文阵列进行逻辑处理，形成具有微图文阵列凹槽的菲涅尔微透镜阵列结构；以及反射膜层，覆盖于所述复合型微聚焦元件阵列层表面。本发明中的成像薄膜可视角大，厚度薄，菲涅尔微透镜阵列与微图文阵列凹槽形成复合结构，优化了工艺流程，降低了生产成本，可以实现具有超薄柔性特性的薄膜型成像器件。本发明的成像薄膜通过复合型微聚焦元件阵列层、反射膜层共同作用，提供了多视角、高对比度、黑色效果的动态图像。
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公开(公告)号：CN114325902B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210024212.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于激光直写光刻技术的微棱镜阵列制造方法，包括以下步骤：步骤a：选择硅片作为衬底；步骤b：在硅衬底上旋涂光刻胶，并前烘；步骤c：将微棱镜阵列的灰度图输入激光直写设备，利用激光直写光刻技术对所述光刻胶进行曝光；步骤d：运用显影液对曝光后的光刻胶进行显影，获得光刻胶微棱镜阵列；步骤e：在所述光刻胶微棱镜阵列上旋涂材料并烘烤；步骤f：对所述材料进行脱模，获得期望的微棱镜阵列。本发明使用激光直写光刻技术可以有效地制作出具有期望尺寸的微棱镜阵列，生产灵活，大大提高了产品的性能。以及，本发明使用光刻胶作为转运模板，可以有效地对光刻胶模板上的产品进行剥离，较为完整地保存二次转运模板。
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