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公开(公告)号：CN114280706B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111681529.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于UV激光直写光刻的双胶合微阵列透镜的制备方法，包括以下步骤：步骤a：设计好构成双胶合微透镜的单个微透镜的尺寸，将每个所述单个微透镜分解为2个透镜，每个所述透镜的一面均为平面；步骤b：将分解后的每个透镜分别形成为微透镜阵列组，并在每个所述微透镜阵列组旁边形成一组或两组对准标记，并制作相应的灰度图；步骤c：根据所述灰度图基于UV激光直写光刻技术制作微透镜阵列组和相应的对准标记；以及步骤d：通过步骤c中制作好的所述对准标记将制作好的所述微透镜阵列组进行对准，并组成双胶合微阵列透镜。本发明方法的技术原理简单可行。另外，本发明方法对微阵列透镜进行拼接胶合，可有效减小透镜像的像差及色差。
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公开(公告)号：CN113359385B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110709880.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。
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公开(公告)号：CN113359385A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110709880.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。
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公开(公告)号：CN119805633A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510121835.0
申请日：2025-01-26
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于菲涅尔透镜化微图文阵列结构的成像薄膜，其特征在于，包括：透明薄膜基底；复合结构微聚焦元件阵列层，设置于所述透明薄膜基底的一个表面，包括多个复合结构微聚焦元件单元，每个复合结构微聚焦元件单元通过将微图文阵列进行菲涅尔透镜化得到，从而形成为菲涅尔透镜化微图文阵列结构，相邻的所述复合结构微聚焦元件单元之间具有紫外胶层，所述紫外胶层高于所述菲涅尔透镜化微图文阵列结构；以及反射膜层，覆盖于所述菲涅尔透镜化微图文阵列结构表面。本发明中的成像薄膜，可视角大，厚度薄，菲涅尔微透镜阵列与微图文阵列形成复合结构，优化了工艺流程，降低了生产成本，可以实现具有超薄柔性特性的薄膜型成像器件。
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公开(公告)号：CN114280706A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111681529.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于UV激光直写光刻的双胶合微阵列透镜的制备方法，包括以下步骤：步骤a：设计好构成双胶合微透镜的单个微透镜的尺寸，将每个所述单个微透镜分解为2个透镜，每个所述透镜的一面均为平面；步骤b：将分解后的每个透镜分别形成为微透镜阵列组，并在每个所述微透镜阵列组旁边形成一组或两组对准标记，并制作相应的灰度图；步骤c：根据所述灰度图基于UV激光直写光刻技术制作微透镜阵列组和相应的对准标记；以及步骤d：通过步骤c中制作好的所述对准标记将制作好的所述微透镜阵列组进行对准，并组成双胶合微阵列透镜。本发明方法的技术原理简单可行。另外，本发明方法对微阵列透镜进行拼接胶合，可有效减小透镜像的像差及色差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119479506A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411735339.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有微图文阵列凹槽的菲涅尔微透镜阵列结构成像薄膜，包括：透明薄膜基底；复合型微聚焦元件阵列层，由多个复合型微聚焦元件单元组成，设置于所述透明薄膜基底的一个表面；所述复合型微聚焦元件阵列层构造为：在菲涅尔微透镜阵列表面，叠加微图文阵列进行逻辑处理，形成具有微图文阵列凹槽的菲涅尔微透镜阵列结构；以及反射膜层，覆盖于所述复合型微聚焦元件阵列层表面。本发明中的成像薄膜可视角大，厚度薄，菲涅尔微透镜阵列与微图文阵列凹槽形成复合结构，优化了工艺流程，降低了生产成本，可以实现具有超薄柔性特性的薄膜型成像器件。本发明的成像薄膜通过复合型微聚焦元件阵列层、反射膜层共同作用，提供了多视角、高对比度、黑色效果的动态图像。
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公开(公告)号：CN114325902B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210024212.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于激光直写光刻技术的微棱镜阵列制造方法，包括以下步骤：步骤a：选择硅片作为衬底；步骤b：在硅衬底上旋涂光刻胶，并前烘；步骤c：将微棱镜阵列的灰度图输入激光直写设备，利用激光直写光刻技术对所述光刻胶进行曝光；步骤d：运用显影液对曝光后的光刻胶进行显影，获得光刻胶微棱镜阵列；步骤e：在所述光刻胶微棱镜阵列上旋涂材料并烘烤；步骤f：对所述材料进行脱模，获得期望的微棱镜阵列。本发明使用激光直写光刻技术可以有效地制作出具有期望尺寸的微棱镜阵列，生产灵活，大大提高了产品的性能。以及，本发明使用光刻胶作为转运模板，可以有效地对光刻胶模板上的产品进行剥离，较为完整地保存二次转运模板。
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公开(公告)号：CN116520464A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310412990.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种复眼透镜制备方法，包括：S101、在玻璃衬底上进行涂胶，形成光刻胶版；S102、激光直写设备根据导入的复眼透镜加工图对所述光刻胶版进行灰度曝光刻蚀；S103、对所述光刻胶版进行后烘；S104、通过显影机对所述光刻胶版进行多次旋涂浸泡式显影，在所述光刻胶版上获得复眼透镜结构；S105、对所述光刻胶版进行硬烘；S106、通过等离子刻蚀机对所述光刻胶版进行等离子干法刻蚀，移除所述玻璃衬底上的胶膜，在所述玻璃衬底表面形成玻璃材质的复眼透镜结构，得到复眼透镜模板；S107、对所述复眼透镜模板进行UV转印。本发明可保证复眼透镜整体结构的一致性和形貌完整性。
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公开(公告)号：CN114325902A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210024212.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于激光直写光刻技术的微棱镜阵列制造方法，包括以下步骤：步骤a：选择硅片作为衬底；步骤b：在硅衬底上旋涂光刻胶，并前烘；步骤c：将微棱镜阵列的灰度图输入激光直写设备，利用激光直写光刻技术对所述光刻胶进行曝光；步骤d：运用显影液对曝光后的光刻胶进行显影，获得光刻胶微棱镜阵列；步骤e：在所述光刻胶微棱镜阵列上旋涂材料并烘烤；步骤f：对所述材料进行脱模，获得期望的微棱镜阵列。本发明使用激光直写光刻技术可以有效地制作出具有期望尺寸的微棱镜阵列，生产灵活，大大提高了产品的性能。以及，本发明使用光刻胶作为转运模板，可以有效地对光刻胶模板上的产品进行剥离，较为完整地保存二次转运模板。
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公开(公告)号：CN217073733U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220791781.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种光学纳米级双面对准薄膜压印装置，包括：水平底座、溶剂槽、第一至第三机架、第一至第二上下导轨、刮刀头、从动轴、套筒、上轧辊、下轧辊、光学对准器件。水平底座上表面前端布置溶剂槽。水平底座上表面中后部分别设置第一至第三机架，第一机架上设置第一上下导轨及刮刀头。第二机架上设置从动轴，从动轴安装有套筒。第三机架上设置上轧辊、下轧辊，轧辊上、下轧辊贴合模板，模板上分别固设有对位标记，对位标记将用于校准上轧辊、下轧辊于水平、垂直两个方向上的位置误差，以及第三机架的顶部、底部各架设第二上导轨、第二下导轨，第二上导轨、第二下导轨成对安装四副光学对准器件，光学对准器件分别安装摄像头。
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