含固相反应的富金层银基导线制造方法

    公开(公告)号:CN105225964B

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201410289087.9

    申请日:2014-06-25

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明有关于一种含固相反应的富金层银基导线制造方法,首先,准备含钙、钛或锆离子其中之一金属离子的水溶液;接着,将纳米金粉加入水溶液内,纳米金粉于水溶液中形成多颗金粒子,利用水热法将金属离子吸附于金粒子表面,以形成纳米核壳复合金粒子;之后,过滤水溶液以获得固相纳米核壳复合金粒子;随后,将固相纳米核壳复合金粒子置入银熔液,搅拌均匀以形成银基材,藉此,纳米核壳复合金粒子均匀分布于银基材;之后,进行二阶段真空热处理,使银基材表面形成富金合金层;最后,将银基材进行抽线工艺以形成含固相反应的富金层银基导线。

    具电磁遮蔽的无镀层铜线及其制造方法

    公开(公告)号:CN104517687B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201310466029.4

    申请日:2013-09-30

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明是有关于一种具电磁遮蔽的无镀层铜线及其制造方法,所述方法是首先将钛锡合金层形成于铜芯线的表面,再将金镍合金层形成于钛锡合金层的表面,最后将铜芯线进行真空热处理,使得钛锡合金层以及金镍合金层可完全扩散至芯线的基地组织,并于芯线组织中形成均匀的Cu(TiSn)xAuyNiz合金层;藉此,本发明的无镀层铜线不仅具有抗电磁干扰以及改善高频的表面效应,亦可大幅提升线材拉伸强度与打线接合强度,进而提高接合线后续工艺的可靠度。

    耐磨抗蚀无镀层铜线及其制造方法

    公开(公告)号:CN104778992A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201410010037.2

    申请日:2014-01-09

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明提供了一种耐磨抗蚀无镀层铜线及其制造方法。该制造方法是先于一铜芯线的表面形成一厚度不超过30nm的镀碳层,再于镀碳层的表面形成一厚度为30nm-100nm的镀铬层,最后进行真空热处理,使镀碳层以及镀铬层完全扩散至铜芯线的基地组织中,并于铜芯线的基地组织表面形成一具耐磨抗蚀特性的碳化铬铜相渗透组织,其中碳化铬铜相包括有(CrCu)3C7与(CrCu)3C2。由此,本发明的制造方法不仅可增加铜芯线的表面硬度与表层纳米硬度,亦能提升线材的抗氧化性与耐腐蚀性。

    耐电热银基双相线及其制造方法

    公开(公告)号:CN104419843B

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201310368093.9

    申请日:2013-08-21

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明提供了一种耐电热银基双相线及其制造方法。该耐电热银基双相线的制造方法是先在银线中形成不超过8wt.%纳米铝粒,并使这些铝粒在银基底中均匀分布;接着,在银基线的表面镀上厚度不小于32nm的铬层;最后,再将镀有铬层的银基线进行热处理,使铬层的铬离子进入银基线,并在银基线的表面形成抗氧化层,其中抗氧化层包含有Ag2Cr相和AgAl7Cr相,即为耐电热银基双相线。

    耐磨抗蚀无镀层铜线及其制造方法

    公开(公告)号:CN104778992B

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:CN201410010037.2

    申请日:2014-01-09

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明提供了一种耐磨抗蚀无镀层铜线及其制造方法。该制造方法是先于一铜芯线的表面形成一厚度不超过30nm的镀碳层,再于镀碳层的表面形成一厚度为30nm‑100nm的镀铬层,最后进行真空热处理,使镀碳层以及镀铬层完全扩散至铜芯线的基地组织中,并于铜芯线的基地组织表面形成一具耐磨抗蚀特性的碳化铬铜相渗透组织,其中碳化铬铜相包括有(CrCu)3C7与(CrCu)3C2。由此,本发明的制造方法不仅可增加铜芯线的表面硬度与表层纳米硬度,亦能提升线材的抗氧化性与耐腐蚀性。

    适用锂电池阴极材料的含硅双相粉末及其制造方法

    公开(公告)号:CN105226265A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201410279176.5

    申请日:2014-06-20

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明是有关一种适用锂电池阴极材料的含硅双相粉末及其制造方法,首先,混合锂锰氧化物粉末与硅铁粉末,并进行煅烧程序;然后,将硫粉末混合上述完成后的产物,再进行煅烧程序;最后,研磨上述的产物,以获得适用于锂电池阴极材料且包括有LiMnFeSiO相与LiMnSiS相的LiMnFeSiSO粉末;其中以阴极材料的含硅双相粉末所含原子总数为100at.%,阴极材料的含硅双相粉末是包含0.21at.%~2.89at.%硅铁粉末、1.35at.%~4.58at.%硫粉末,以及其余原子总数百分比的锂锰氧化物粉末。

    适用锂电池阴极材料的含硅双相粉末及其制造方法

    公开(公告)号:CN105226265B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201410279176.5

    申请日:2014-06-20

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明是有关一种适用锂电池阴极材料的含硅双相粉末及其制造方法,首先,混合锂锰氧化物粉末与硅铁粉末,并进行煅烧程序;然后,将硫粉末混合上述完成后的产物,再进行煅烧程序;最后,研磨上述的产物,以获得适用于锂电池阴极材料且包括有LiMnFeSiO相与LiMnSiS相的LiMnFeSiSO粉末;其中以阴极材料的含硅双相粉末所含原子总数为100at.%,阴极材料的含硅双相粉末是包含0.21at.%~2.89at.%硅铁粉末、1.35at.%~4.58at.%硫粉末,以及其余原子总数百分比的锂锰氧化物粉末。

    具电磁遮蔽的无镀层铜线及其制造方法

    公开(公告)号:CN104517687A

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201310466029.4

    申请日:2013-09-30

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    Abstract: 本发明是有关于一种具电磁遮蔽的无镀层铜线及其制造方法,所述方法是首先将钛锡合金层形成于铜芯线的表面,再将金镍合金层形成于钛锡合金层的表面,最后将铜芯线进行真空热处理,使得钛锡合金层以及金镍合金层可完全扩散至芯线的基地组织,并于芯线组织中形成均匀的Cu(TiSn)xAuyNiz合金层;藉此,本发明的无镀层铜线不仅具有抗电磁干扰以及改善高频的表面效应,亦可大幅提升线材拉伸强度与打线接合强度,进而提高接合线后续工艺的可靠度。

    半导体封装用的铜合金线

    公开(公告)号:CN103824833A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201210466370.5

    申请日:2012-11-16

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明有关于一种半导体封装用的铜合金线,其主要由铜合金材质制成,以100%的总组成成份重量百分比计算,该铜合金材质包括有0.01-0.65wt.%的贵金属、0.05wt.%以下的稀土元素,以及剩余重量百分比的铜。藉此,以熔融状的铜合金制成的铜合金线不仅具有较佳的焊接成球性与接合性,亦具有高温抗氧化的能力,同时通过贵金属(较佳为钯)以及稀土元素(可包含有镧与铈)使得本发明的铜钯稀合金线于无尘室中可达到28天无氧化的功效,避免传统接合铜线易氧化缺失。

    耐磨耗高强度无镀层的铝基线材及其制备方法

    公开(公告)号:CN106282619A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201510252518.9

    申请日:2015-05-18

    Inventor: 吕传盛 洪飞义

    CPC classification number: H01L2224/45124

    Abstract: 本发明有关于一种耐磨耗高强度无镀层的铝基线材及其制备方法。该制备方法包括:首先准备Zn-8Cr合金,通过真空高周波熔解方法形成含锌母合金,含锌母合金包括有CrZn13与CrZn17;研磨含锌母合金,并加入铝汤中,以形成铝锌铬合金,铝锌铬合金包括有铝基地组织、富锌相、Al7Cr/AlCr2相,以及CrZn13/CrZn17相;将镀铟层形成于铝锌铬合金表面;将镀金层形成在镀铟层表面;进行真空热处理,使镀铟层与镀金层完全扩散至铝锌铬合金中,铝锌铬合金的表面无残留镀层;本发明由上述方法有效制备一具耐磨耗、高导电率、高拉伸强度,以及高抗氧化特性的铝基线材。

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