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公开(公告)号：CN101231884B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810001947.9
申请日：2008-01-04
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 奇梦达股份有限公司
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 本发明涉及用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构。一种存储装置及读取该装置的方法，包含具有与其相关的数据状态的相变化元件，其特征在于在有读取电流存在时，将相变化元件的数据状态维持一致。存储电路包含定义感测节点的感测放大器。电路选择性地放置位线以与感测节点作数据通信，以定义所选位线。电流源产生读取电流，切换器选择性施加读取电流到感测节点。逻辑与感测节点作电通信以控制读取电流存在时相变化材料的总能量，使数据状态保持一致。
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公开(公告)号：CN102522374A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810074221.8
申请日：2008-02-13
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司 , 奇梦达股份有限公司
Inventor： 龙翔澜 , 陈介方 , 陈逸舟 , 陈士弘 , 蓝中弘 , 乔瑟夫,艾瑞克安德鲁 , 史克鲁特,亚历桑德罗加布里尔 , 马修J·布雷杜斯克 , 柏尔,杰弗里威廉 , 汉普D·汤玛斯 , 菲利普,骞鲍里斯
CPC classification number: H01L45/144 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种用来制造伞状相变化存储器的方法，在一衬底上制造一底电极材料柱，而该衬底包含一导电接点阵列与存取电路电性连接。沉积一电极材料层并与该导电接点阵列可靠的电性连结。刻蚀电极材料以在对应的导电接点上形成一电极材料柱图案。接着，在该图案上沉积一介电材料以及平面化，以提供一电极表面并裸露出该电极柱的顶表面。接着沉积一可编程电阻材料，例如：硫属化物或其它相变化材料，之后再沉积一顶电极材料层。本发明是描述一种底表面大于顶表面的电极柱的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102522374B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200810074221.8
申请日：2008-02-13
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司 , 奇梦达股份有限公司
Inventor： 龙翔澜 , 陈介方 , 陈逸舟 , 陈士弘 , 蓝中弘 , 乔瑟夫·艾瑞克安德鲁 , 史克鲁特·亚历桑德罗加布里尔 , 马修J·布雷杜斯克 , 柏尔·杰弗里威廉 , 汉普D·汤玛斯 , 菲利普·骞鲍里斯
CPC classification number: H01L45/144 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种用来制造伞状相变化存储器的方法，在一衬底上制造一底电极材料柱，而该衬底包含一导电接点阵列与存取电路电性连接。沉积一电极材料层并与该导电接点阵列可靠的电性连结。刻蚀电极材料以在对应的导电接点上形成一电极材料柱图案。接着，在该图案上沉积一介电材料以及平面化，以提供一电极表面并裸露出该电极柱的顶表面。接着沉积一可编程电阻材料，例如：硫属化物或其它相变化材料，之后再沉积一顶电极材料层。本发明是描述一种底表面大于顶表面的电极柱的装置。
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公开(公告)号：CN102024838B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910005846.3
申请日：2009-02-05
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 奇梦达股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C8/10
Abstract: 本发明公开了一种包含凹陷部位电极的集成电路。该集成电路包含一第一电极包含一刻蚀的凹陷部位；一第二电极；以及一电阻变化材料填充该凹陷部位并耦接至该第二电极。
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公开(公告)号：CN102024838A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910005846.3
申请日：2009-02-05
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 奇梦达股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C8/10
Abstract: 本发明公开了一种包含凹陷部位电极的集成电路。该集成电路包含一第一电极包含一刻蚀的凹陷部位；一第二电极；以及一电阻变化材料填充该凹陷部位并耦接至该第二电极。
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公开(公告)号：CN102013431A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910161601.X
申请日：2009-07-22
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 奇梦达股份有限公司 , 国际商用机器公司
Inventor： 龙翔澜 , 林仲汉 , 汤玛斯·D·汉普 , 马修·J·布雷杜斯克 , 亚历桑德罗·加布里尔·史克鲁特 , 杨明
IPC: H01L27/24 , H01L21/8229 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种具有自动对准底电极和二极管存取装置的伞状存储单元。在本发明所揭露的存储装置包含多条字线延伸至一第一方向，以及多条位线在该字线之上并延伸至一第二方向。该装置包含多个存储单元在该交点位置。每一存储单元包含一二极管具有第一及第二侧边并对准于该多条字线的一对应的字线的侧边。每一存储单元亦包含一底电极自我置中于该二极管，该底电极具有一顶表面，而该顶表面具有一表面积，其小于该二极管的该顶表面的表面积。每一存储单元包含一存储材料条在该底电极的该顶表面上，该存储材料条该多条位线的一对应位线的下方并与其电性连接。
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公开(公告)号：CN101231884A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810001947.9
申请日：2008-01-04
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 奇梦达股份有限公司
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 本发明涉及用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构。一种存储装置及读取该装置的方法，包含具有与其相关的数据状态的相变化元件，其特征在于在有读取电流存在时，将相变化元件的数据状态维持一致。存储电路包含定义感测节点的感测放大器。电路选择性地放置位线以与感测节点作数据通信，以定义所选位线。电流源产生读取电流，切换器选择性施加读取电流到感测节点。逻辑与感测节点作电通信以控制读取电流存在时相变化材料的总能量，使数据状态保持一致。
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