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公开(公告)号：CN117337309A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202280033845.3
申请日：2022-04-08
Applicant: 威廉马歇莱思大学
IPC: C08F2/36
Abstract: 本公开的一些实施例公开了一种用于将细胞、珠粒或颗粒粘附至材料的表面的方法。所述表面可以是平坦的或弯曲的，并且可以用于图案化或3D打印的中空通道的背景下，从而促进生理系统的某些方面的重现。在各种实施例中，通过在界面聚合之前将含有细胞悬浮液的载体沿着所述表面与掺入目标材料中的交联分子进行局部聚合来实现界面细胞接种。所述载体的聚合将所述细胞沿着所述表面包埋成受控构型。本文公开的技术可用于组织工程以构建适合植入活生物体的工程化器官/装置。
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公开(公告)号：CN106661627B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201580039304.1
申请日：2015-05-19
Applicant: 威廉马歇莱思大学
IPC: C12Q1/6858 , C40B30/04 , C07H21/04
Abstract: 本发明提供包含阻断剂和第一引物寡核苷酸的寡核苷酸组合物。所述阻断剂寡核苷酸包含具有靶中性子序列和阻断剂可变子序列的第一序列。非靶特异子序列在其3’和5’端被所述靶中性子序列侧接，并且与该靶中性子序列连续。所述第一引物寡核苷酸足以诱导酶促延伸；本文中，第一引物寡核苷酸包含第二序列。所述第二序列与该靶中性子序列的5’端重叠至少5个核苷酸；本文中，第二序列包含重叠子序列和非重叠子序列。所述第二序列不包含该非靶特异子序列。
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公开(公告)号：CN111867599A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201880082136.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 威廉马歇莱思大学 , 小利兰·斯坦福大学托管委员会 , 德克萨斯大学体系董事会
IPC: A61K31/661 , A61K45/06 , A61P35/00 , A61P35/04
Abstract: 本公开涉及使用放射治疗原发性和转移性癌症。具体地，本公开涉及提供在对肿瘤以一定剂量进行放射之前在与恶性肿瘤相邻的对放射敏感的组织和/或器官中选择性积聚细胞保护剂的方法，该剂量否则会对组织和/或器官有毒性，但对于在肿瘤上取得消融效果是必不可少的。
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公开(公告)号：CN108430996A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074140.0
申请日：2016-10-14
Applicant: 威廉马歇莱思大学
Inventor： 基里亚科斯·C·尼科拉乌 , D·罗德斯 , 王艳平 , S·托托科思普洛斯
IPC: C07D407/06 , C07D405/06 , A61K31/425
CPC classification number: C07D407/06 , A61K31/4155 , A61K31/427 , A61K31/428 , A61K31/4427 , A61K39/395 , A61K45/06 , C07D405/06 , C07D491/08 , C07D493/08 , A61K2300/00
Abstract: 在一方面，本公开提供式(I)的埃博霉素类似物，其中变量如本文所定义。另一方面，本公开还提供制备本文公开的化合物的方法。另一方面，本公开还提供本文公开的化合物的药物组合物和使用方法。另外，还提供了具有化合物的细胞靶向部分的药物缀合物。
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公开(公告)号：CN108348489A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680050079.6
申请日：2016-06-29
Applicant: 威廉马歇莱思大学
IPC: A61K31/192
CPC classification number: A61K45/06 , A61K47/6803 , C07H15/20
Abstract: 在一个方面，本公开提供下式的shishijimicin类似物： 其中变量如本文所定义。在另一方面，本公开还提供制备本文所公开的化合物的方法。在另一方面，本公开还提供药物组合物和使用本文所公开的化合物的方法。另外，还提供了化合物的抗体药物缀合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107431748A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019515.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 威廉马歇莱思大学
CPC classification number: H04N5/378 , G02B2207/129 , H04N5/225 , H04N5/30
Abstract: 一种用于生成场景图像的无透镜成像系统，包括：电磁(EM)辐射传感器；掩模，所述掩模布置在所述EM辐射传感器和所述场景之间；和图像处理器，所述图像处理器当所述EM辐射传感器暴露于所述场景时，从所述EM辐射传感器获得信号，并且至少部分地基于所述信号以及所述场景和所述EM辐射传感器之间的传递函数来估计所述场景图像。
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公开(公告)号：CN103796766B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280044531.X
申请日：2012-09-14
Applicant: 威廉马歇莱思大学
IPC: B05D5/12
CPC classification number: C08F112/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B32/178 , C01B32/18 , C01B32/184 , C01B32/194 , C01B2202/06 , C01B2204/06 , C07C2/76 , C07C15/56 , C07C29/32 , C07C67/035 , C07C69/76 , D01F9/12 , Y10S977/734 , Y10S977/846 , Y10S977/961
Abstract: 本发明提供了制备功能化石墨烯纳米带的方法。这种方法包括：（1）在非质子溶剂存在下，将多个碳纳米管(CNT)暴露于碱金属源，其中所述暴露打开该碳纳米管；以及（2）将所述打开的CNT暴露于亲电体以形成功能化石墨烯纳米带(GNR)。这种方法还可包括将所述打开的CNT暴露于质子溶剂的步骤，以淬灭在所述打开的碳纳米管上的任何反应性物质。其它方法包括通过下述步骤来制备未功能化GNR：（1）在非质子溶剂存在下，将多个CNT暴露于碱金属源，以打开所述碳纳米管；以及（2）将所述打开的CNT暴露于质子溶剂以形成未功能化GNR。
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公开(公告)号：CN106661627A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580039304.1
申请日：2015-05-19
Applicant: 威廉马歇莱思大学
CPC classification number: C12Q1/686 , C12Q1/6858 , C12Q2527/107 , C12Q2537/163
Abstract: 本发明提供包含阻断剂和第一引物寡核苷酸的寡核苷酸组合物。所述阻断剂寡核苷酸包含具有靶中性子序列和阻断剂可变子序列的第一序列。非靶特异子序列在其3’和5’端被所述靶中性子序列侧接，并且与该靶中性子序列连续。所述第一引物寡核苷酸足以诱导酶促延伸；本文中，第一引物寡核苷酸包含第二序列。所述第二序列与该靶中性子序列的5’端重叠至少5个核苷酸；本文中，第二序列包含重叠子序列和非重叠子序列。所述第二序列不包含该非靶特异子序列。
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公开(公告)号：CN105745754A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063104.5
申请日：2014-11-19
Applicant: 威廉马歇莱思大学
IPC: H01L29/04
CPC classification number: H01L45/1675 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/413 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1641
Abstract: 一种多孔隙存储器设备，诸如存储器或开关，可以提供顶部和底部电极，存储器材料层(例如，SiOx)被定位在电极之间。存储器材料层可以提供纳米多孔隙结构。在某些实施例中，纳米多孔隙结构可以电化学地形成，诸如通过阳极蚀刻。穿透存储器材料层的细丝的电铸可以以极低的电铸电压在内部发生而穿过该层，而不是在边缘处形成。多孔隙存储器设备也可以提供多位存储、高接通—断开比率、长高温寿命、优秀的循环耐久性、快速切换，和较低的功率消耗。
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公开(公告)号：CN105264654A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480004088.2
申请日：2014-01-07
Applicant: 威廉马歇莱思大学 , 洛克西德马丁有限公司
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01M4/134 , C01B33/02 , C01P2004/61 , C01P2006/16 , C25F3/12 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/621 , H01M4/622 , H01M4/626 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , Y02P20/133
Abstract: 本发明的实施方式涉及通过下述制备多孔硅微粒的方法：(a)电化学蚀刻硅基材,其中电化学蚀刻包括将硅基材暴露于电流密度,和其中电化学蚀刻在硅基材上制备多孔硅膜；(b)从硅基材分离多孔硅膜,其中该分离包括以连续增量逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b)；(d)根据步骤(a)电化学蚀刻硅基材以在硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻多孔硅膜和硅基材；和(f)裂解多孔硅膜和硅基材以形成多孔硅微粒。本发明的其它实施方式涉及形成的多孔硅微粒和包含它们的阳极材料。
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