一种研磨用组合物及其在去除半导体芯片氮化钛层的应用

    公开(公告)号:CN119823717A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411950627.3

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种研磨用组合物及其在去除半导体芯片氮化钛层的应用,所述一种研磨用组合物包括如下质量份的组分:100份水、3‑10份氮化钛、3‑10份金属氧化物。本发明提供了一种研磨用组合物,主要由水、氮化钛、金属氧化物组成,通过使用与被研磨样品相同材质颗粒做成的研磨液,可以确保研磨液与被研磨样品的亲和力,从而提高研磨效率和均匀性,实现纳米级厚度氮化钛层的均匀去除,相比于现在的酸反应消除液腐蚀氮化钛层,本发明的研磨液用水不会产生腐蚀不均匀的问题,从而实现了单颗芯片纳米级厚度氮化钛层的均匀去除。

    一种算法模型性能评估方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119807000A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411849879.7

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本申请公开了一种算法模型性能评估方法、装置、电子设备及存储介质,涉及人工智能技术领域,方法包括:获取算法模型的功能清单;根据功能清单获取各项功能对应的映射场景;根据映射场景确定多个场景对应的各个行为特征和各个行为特征对应的影响权重;根据各个行为特征和各个行为特征对应的影响权重对算法模型进行性能评估。本申请获取算法模型各项功能的映射场景,将各项功能的场景拆解为各个特征行为,进而根据特征行为和特征行为的影响权重对算法模型进行全面、准确的评估,相比现有利用特定数据集对算法模型进行评估,本申请能够有效解决测试数据集不均衡所带来的片面评估的问题。

    一种尖峰电压抑制电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN118984042A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411090451.9

    申请日:2024-08-09

    Abstract: 本发明涉及电子电路技术领域,公开了一种尖峰电压抑制电路及其控制方法,通过采样检测模块检测电源是否出现尖峰电压,若是,则向比较器模块输出第一输出电压信号;利用比较器模块比较第一输出电压信号和预设参考电压,并根据比较结果向选通开关模块输出使能信号;选通开关模块在当使能信号为高电平时,向滤波吸收模块转发所述使能信号;滤波吸收模块在当接收到所述选通开关模块转发的使能信号时,对所述尖峰电压进行抑制处理。并且,当电源出现尖峰电压时,利用开关模块和显示模块通过点亮发光器件的方式显示尖峰电压状态。本发明有效检测和降低尖峰脉冲干扰信号,提高了电源模块的稳定性和可靠性,降低了因电磁兼容问题导致的故障概率。

    体积声源的校准装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113418593B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202110631130.5

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 本申请涉及一种体积声源的校准装置。所述装置包括:体积声源,用于产生声波;声波导管,所述声波导管的一端与所述体积声源连接,所述声波导管用于传导声波,所述体积声源的工作频率小于所述声波导管的截止频率;测量分析模块,所述测量分析模块与所述体积声源和所述声波导管连接,所述测量分析模块用于采集所述声波在所述声波导管中传导时的声压和声强以及所述体积声源通过所述声波导管传导声波时内置传感器的输出电压,所述声压、所述声强和所述输出电压联合用于校准所述体积声源的灵敏度与频率响应。采用本装置能够对体积声源进行校准。

Patent Agency Ranking