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公开(公告)号：CN119922937A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411360424.9
申请日：2024-09-27
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 贝恩哈德·格罗特 , 布鲁斯·麦克雷·格林
Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底、在所述半导体衬底上方的表面钝化层以及在所述表面钝化层上方的第一层间电介质。栅极电极包括延伸穿过所述表面钝化层以接触所述半导体衬底的上表面的栅极沟道部分、具有上覆于所述表面钝化层的上表面的第一水平底部范围的第一栅极场板，以及具有比所述第一水平底部范围高的第二水平底部范围的第二栅极场板。导电场板包括具有上覆于并接触所述表面钝化层的所述上表面的第三水平底部范围的第一场板，以及具有与所述第一栅极场板的所述第一水平底部范围至少一样高的第四水平底部范围的第二场板。
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公开(公告)号：CN119905390A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411434120.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： D·M·雷伯
IPC: H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及用于形成尺寸减小的特征件的方法。一种用于在晶片上形成特征件的方法包括：在含碳层上方的第一层中形成第一开口；以及通过所述第一开口移除所述含碳层的材料以形成腔。所述方法包括利用材料形成工艺在所述腔中在所述含碳层的侧壁上形成间隔物材料，其中在所述材料形成工艺期间抑制所述间隔物材料形成在所述腔的底部表面部分上。所形成的所述间隔物材料形成了限定第二开口的间隔物，所述第二开口在第一横向方向上的横向尺寸小于所述第一开口。
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公开(公告)号：CN119891767A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411255581.3
申请日：2024-09-09
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 彼得·T·J·德根 , 威廉默斯·辛德里库斯·玛里亚·朗厄斯兰格
IPC: H02M3/335 , G01R19/165
Abstract: 一种用于开关模式电源的控制器包括初级绕组，所述初级绕组被配置成在所述初级绕组的第一端处接收输入电压。第一电容器串联耦合在所述初级绕组的第二端与被配置成耦合到参考电压的参考端之间。次级绕组被配置成基于所述输入电压提供所述SMPS的输出电压，且辅助绕组电感耦合到所述初级绕组和所述次级绕组中的一个或两个并被配置成至少基于所述第一电容器的电压来提供辅助电压。所述控制器被配置成基于所述SMPS的初级冲程期间的所述辅助电压与指示预定的最大第一电容器电压的阈值的比较来输出指示横跨所述第一电容器的过电压的过电压信号。
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公开(公告)号：CN119891688A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411444400.1
申请日：2024-10-16
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 一种用于谐振转换器的控制器。所述控制器被配置成：接收表示在所述谐振槽中流动的电流的所测量电流信号；接收表示所述谐振槽中的预定点处的电压的所测量电压信号；接收限定所述负载的所请求功率电平的功率设置信号；基于第一开关和第二开关中的一个的状态变化与所述所测量电流信号的后续过零之间的时间延迟而设置受保护功率信号；基于以下中的较低者而设置上限电压阈值和下限阈值：i)所述受保护功率信号；以及ii)所述功率设置信号；响应于所述所测量电压信号超过所述上限电压阈值，断开所述第一开关且闭合所述第二开关；并且响应于所述所测量电压信号下降到低于所述下限电压阈值，断开所述第二开关且闭合所述第一开关。
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公开(公告)号：CN119864332A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202311367880.1
申请日：2023-10-20
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本文公开一种QFN封装半导体装置，其具有第一主表面、相对的第二主表面和在其间的侧壁，且包括：引线框架，其具有引线框架下表面且包括中心管芯垫区和多个外围平台区；半导体管芯，其顶表面附接到所述管芯垫；多个接合线，其提供所述半导体管芯与所述多个外围平台区之间的电连接；以及包封材料，其包封所述半导体管芯和接合线；其中所述包封材料形成在所述引线框架下表面下方延伸且限定所述第二主表面的框架，所述框架在其在所述半导体管芯下方的中心区中具有开口，且其中所述侧壁与所述框架间隔开，由此在所述多个外围平台区处暴露所述引线框架下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119725286A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311279542.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本公开涉及封装半导体装置和其制作方法。公开一种封装半导体装置，所述封装半导体装置具有第一主封装表面和第二主封装表面并且包括：包封管芯，其第一主管芯表面上具有多个管芯接触垫；模塑料；以及多个暴露焊垫，每个暴露焊垫包括楔形接合线的平化下表面；其中所述多个暴露焊垫围绕所述第二主封装表面的外围区并由所述模塑料间隔开；并且其中所述多个焊垫通过至少一组接合线电连接到所述接触垫。还公开了对应的方法。
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公开(公告)号：CN119650512A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411281930.9
申请日：2024-09-13
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： D·M·雷伯
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , C01B32/184
Abstract: 本公开涉及具有暴露限定的石墨烯特征的半导体晶片制造。通过应用来自激光或光源的辐照选择性地处理形成于第一导电布线层上方的一个或多个聚合物层间电介质(ILD)层的暴露部分，以在所述一个或多个聚合物ILD层中形成直接电连接到所述第一导电布线层的石墨烯互连结构，而在具有所述一个或多个聚合物ILD层的集成电路结构上形成后道工艺集成电路。
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公开(公告)号：CN119510870A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411160179.7
申请日：2024-08-22
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 彼得·T·J·德根 , 威廉默斯·辛德里库斯·玛里亚·朗厄斯兰格 , 吉莫·佩特里·萨罗
IPC: G01R19/165 , H02M1/00
Abstract: 公开了一种在从第一目标输出电压到较高的第二目标输出电压的转变期间检测可变输出SMPS的输出的过电压的方法，以及对应的设备和控制器，包括：确定表示输出电压的信号，其中所述输出电压是所述SMPS的输出电压；确定表示最大允许输出电压的时变信号；将表示所述输出电压的所述信号与表示最大允许输出电压的所述信号的瞬时值进行比较；以及响应于表示所述输出电压的所述信号大于表示最大允许输出电压的所述信号的瞬时值，指示过电压。还公开了一种包括此类方法控制器或设备的对应SMPS。
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公开(公告)号：CN111708025B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010145444.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 吴浩云
Abstract: 本公开涉及具有交替式主雷达装置的分布式孔径汽车雷达系统。提供了一种分布式孔径双基地雷达系统、设备、架构和方法，其用于相干地组合物理分布的雷达以通过交替地选择第一小孔径装置和第二小孔径装置作为主单元操作使得雷达信号按顺序从所述第一小孔径装置和所述第二小孔径装置中的每一个发射天线发射，由此使得所述雷达控制处理单元能够相干地组合来自所述第一小孔径雷达装置和所述第二小孔径雷达装置的单基地虚拟阵列孔径和双基地虚拟阵列孔径来以相干的方式共同产生目标场景信息，以构造比由所述第一小孔径雷达装置和所述第二小孔径雷达装置产生的双基地MIMO虚拟阵列孔径大的经过扩展的双基地MIMO虚拟阵列孔径。
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公开(公告)号：CN111371437B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201811608068.2
申请日：2018-12-26
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 锁存比较器包括预放大器电路和锁存器电路。预放大器电路对差分输入信号对执行放大，并产生经预放大的差分信号对。锁存器电路接收经预放大的差分信号对，比较经预放大的差分信号对，以及产生经锁存的比较信号对。锁存器电路包括锁存器和开关电路。锁存器的第一和第二输入端接收经预放大的差分信号对。开关电路包括耦接在锁存器的第一和第二输入端中的一个的开关。开关接收经锁存的比较信号对中的一者以作为控制信号，以及响应于经锁存的比较信号对中的该者而切换。
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