SiC长晶装置及方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118639331A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410727630.2

    申请日:2024-06-06

    Inventor: 孔令鸿 郭雄志

    Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域,公开了一种SiC长晶装置及方法。SiC长晶装置包括炉体、坩埚、用于对SiC原料单独加热或同时加热籽晶的第一加热装置以及用于对籽晶单独加热的第二加热装置,第一加热装置围绕炉体外侧设置,第一加热装置的加热高度不超过坩埚的顶部且能够沿炉体的轴向方向进行升降运动;第二加热装置的顶端加热高度高于坩埚的顶部,第一加热装置的第一加热功率大于第二加热装置的第二加热功率。本发明可以实现对SiC原料和籽晶的单独温度控制;通过第一加热装置的升降运动能够保持第一加热装置与SiC原料的相对位置不变,从而保障SiC原料升华速度与沉积速度基本保持一致,提高晶体生长质量。

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