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公开(公告)号：CN118639331A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410727630.2
申请日：2024-06-06
Applicant: 深圳市铂科新材料股份有限公司 , 惠州铂科实业有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，公开了一种SiC长晶装置及方法。SiC长晶装置包括炉体、坩埚、用于对SiC原料单独加热或同时加热籽晶的第一加热装置以及用于对籽晶单独加热的第二加热装置，第一加热装置围绕炉体外侧设置，第一加热装置的加热高度不超过坩埚的顶部且能够沿炉体的轴向方向进行升降运动；第二加热装置的顶端加热高度高于坩埚的顶部，第一加热装置的第一加热功率大于第二加热装置的第二加热功率。本发明可以实现对SiC原料和籽晶的单独温度控制；通过第一加热装置的升降运动能够保持第一加热装置与SiC原料的相对位置不变，从而保障SiC原料升华速度与沉积速度基本保持一致，提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN118407134A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410542016.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 深圳市铂科新材料股份有限公司 , 惠州铂科实业有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法，碳化硅连续长晶设备包括固定轴、旋转升降机构、合成室、长晶室、热处理室、真空系统和调温系统。真空系统和调温系统为每一道工序提供所需要的压强和温度。合成室、长晶室和热处理室均设于固定轴，可实现单一设备即可完成碳化硅晶体生长的三道工序，节省占地面积以及加工成本。合成室能与长晶室连通；长晶室能与热处理室连通，坩埚能通过旋转升降机构进入每一道工序的腔室内，使得每一道工序形成的半成品能连续地进入下一道工序，简化了加工过程，节省人力，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118407133A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410542015.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 深圳市铂科新材料股份有限公司 , 惠州铂科实业有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法，碳化硅连续长晶设备包括固定轴、旋转升降机构、合成室、长晶室、热处理室、真空系统和调温系统。真空系统和调温系统为每一道工序提供所需要的压强和温度。在第一方向上，热处理室、长晶室和合成室依次设置，可实现单一设备即可完成碳化硅晶体生长的三道工序，节省占地面积以及加工成本。合成室能与长晶室连通；长晶室能与热处理室连通，坩埚能通过旋转升降机构进入每一道工序的腔室内，使得每一道工序形成的半成品能连续地进入下一道工序，简化了加工过程，节省人力，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN222700466U
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202421292075.7
申请日：2024-06-06
Applicant: 深圳市铂科新材料股份有限公司 , 惠州铂科实业有限公司
Abstract: 本实用新型属于半导体材料制备设备技术领域，公开了一种SiC长晶用坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖包括可拆卸式连接的第一盖体和固定座，第一盖体嵌入安装于坩埚本体并密封坩埚本体；固定座设有容置腔，容置腔的顶部开口用于放入籽晶和连接第一盖体，容置腔的底部设有通孔，籽晶设于容置腔内并覆盖于通孔处，籽晶固定后能够抵接于第一盖体的底端。本实用新型使得籽晶能够放置于固定座的容置腔中并于安装后抵接第一盖体的底端，实现对籽晶的安装和定位，籽晶均匀性好，且长晶后直接拆除固定座即可取晶，不需破坏第一盖体，解决了粘贴籽晶方式不易取出晶体的问题。
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