公开(公告)号：CN118516627A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410555866.2

申请日：2024-05-07

Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司 ,  云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司

Inventor： 沈月 ,  闻明 ,  王传军 ,  普志辉 ,  黄通 ,  李思勰 ,  唐可 ,  彭海 ,  许彦亭 ,  黎林根

IPC: C22F1/04 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768 ,  G01N29/06 ,  G01N23/2251

Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。