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公开(公告)号：CN115605022A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211296176.7
申请日：2022-10-21
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供基底；于基底上形成多个沿第一方向延伸的半导体柱，半导体柱沿第二方向和第三方向间隔排列，半导体柱包括第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区位于沟道区的相对两侧，其中，沟道区包括与第三方向和第一方向所在平面平行的多个沟道层；形成多条沿第三方向延伸的字线，沿第三方向上每一字线连接多个半导体柱的沟道区，字线覆盖沟道层至少部分表面；第三方向垂直于基底表面，第一方向与第二方向相交且均平行于基底表面，至少有利于提高晶体管的栅控能力和降低功耗。
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公开(公告)号：CN115603716A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776217.1
申请日：2021-07-08
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 谷银川
IPC: H03K5/24
Abstract: 本申请提供一种比较器及判决反馈均衡电路，包括第一输入电路，用于在控制信号的控制下根据输入信号和第一参考信号生成第一差分信号；第一正反馈电路，用于加快第一差分信号之间的差值；第二输入电路，用于在控制信号的控制下根据输入信号和第二参考信号生成第二差分信号；其中，第一参考信号大于第二参考信号；第二正反馈电路，用于加快第二差分信号之间的差值；输出电路，其输入端与第一输入电路的输出端连接，用于在重生阶段对第一输入电路的输出端的电压信号或者第二输入电路输出端的电压信号进行放大处理和锁存处理，以输出比较结果。本申请中比较器的响应速率高，功耗小，工作电压低且可以消除码间干扰。
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公开(公告)号：CN115602610A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110779490.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 刘志拯
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括提供叠层结构，包括第一芯片及第二芯片；于所述叠层结构内形成硅通孔，包括第一部分及与所述第一部分相连通的第二部分，第一部分的侧壁为竖直侧壁，第二部分的侧壁为倾斜侧壁；于所述第一部分的侧壁上形成绝缘层；于所述硅通孔内形成导电层。本申请提供的半导体结构及其制备方法通过形成贯穿第二芯片及部分第一芯片的硅通孔，并于硅通孔内形成导电层，无需额外的导电结构即可实现第一芯片与第二芯片内各层金属层之间的电连接，可以简化半导体结构及工艺步骤；同时，由于第二部分的侧壁为倾斜侧壁，便于仅仅于第一部分的侧壁上形成绝缘层，简化工艺步骤，降低成本。
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公开(公告)号：CN115602560A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110773732.4
申请日：2021-07-08
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 许杞安
Abstract: 本发明实施例公开了一种闩锁结构的识别方法，所述方法包括：在芯片版图中，找出与接地焊盘相连接的，且位于P型衬底内的第一P型重掺杂区；找出与电源焊盘相连接的，且位于N阱内的第一N型重掺杂区；找出与所述第一P型重掺杂区相邻的，且位于所述P型衬底内的第二N型重掺杂区；找出与所述第一N型重掺杂区相邻的，且位于所述N阱内的第二P型重掺杂区；其中，所述N阱位于所述P型衬底上；所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述N阱以及所述P型衬底构成的区域即为识别出的闩锁结构。
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公开(公告)号：CN115602516A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110766666.8
申请日：2021-07-07
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 林宏祥
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种机台及晶圆制程设备，机台包括本体和调节部。本体用于对晶圆进行承托；调节部设置于所述本体，所述调节部利用真空吸力对制程中的晶圆的水平度进行调节。本申请中，利用调节部的调节可有效改善因抽气装置对等离子体气流的抽气效率不同，而导致等离子体在机台上分布不均的现象，从而有效解决晶圆的水平度不佳的问题。
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公开(公告)号：CN115602215A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110778540.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
IPC: G11C11/4063 , G11C11/4074
Abstract: 本申请实施例提供了一种使能控制电路以及半导体存储器，该使能控制电路包括：计数模块，用于对当前的时钟周期进行计数，确定时钟周期计数值；选择模块，用于根据第一设置信号，确定时钟周期计数目标值；控制模块，与计数模块和选择模块连接，用于在ODT引脚信号的电平状态发生翻转的情况下，控制ODT路径处于使能开启状态，并启动计数模块；以及当时钟周期计数值达到时钟周期计数目标值时，控制ODT路径由使能开启状态转换为关闭状态。这样，根据时钟周期计数值是否达到时钟周期计数目标值来控制ODT路径的使能状态，使得在不需要ODT路径工作的时候控制其关闭，从而可以避免电流浪费，达到节省功耗的目的。
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公开(公告)号：CN115599576A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110772368.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 杨柳
IPC: G06F11/07
Abstract: 本发明实施例涉及通信技术领域，公开了一种修补算法的验证方法、电子设备及存储介质，其中方法可应用于模拟软件平台，包括：配置模拟失效的动态随机存取存储器的失效地址；形成所述失效地址的Raw Data文档；将所述Raw Data文档经修补算法进行运算，得到所述失效地址的地址文档及修补方案文档；基于所述修补方案文档对所述地址文档中的失效地址进行修补，并展示修补结果。本方案能够有效提高RA算法的验证的效率、不会对wafer造成损坏，且验证完整。
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公开(公告)号：CN115597764A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110780077.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及一种压力侦测装置及压力侦测方法。所述压力侦测装置包括：光发射器、光接收器和处理器，光发射器设置于真空腔室的腔壁上，被配置为向真空腔室的腔内出射侦测光信号，光接收器设置于真空腔室的腔壁上且与光发射器相对，被配置为接收侦测光信号，处理器与光接收器相连，被配置为解析光接收器接收到的侦测光信号的光谱，并根据该光谱确定真空腔室内的压力。本公开提供的压力侦测装置及压力侦测方法，可以提高真空腔室内压力侦测的响应速度和侦测精准度，从而提高真空腔室内所制备产品的良率，以及降低半导体产品批量生产时生产成本。
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公开(公告)号：CN115597745A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110773837.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 林仕杰
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明涉及一种温度标定结构、温度标定系统及温度标定方法，温度标定结构的等效电路包括：第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；第一双极型晶体管的基极、第一双极型晶体管的集电极、第二双极型晶体管的基极及第二双极型晶体管的集电极均接地；第一电阻与第二电阻串联，且第一电阻远离第二电阻的一端与第一双极型晶体管的发射极相连接；第三电阻的一端与第二双极型晶体管的发射极相连接，另一端与第二电阻远离第一电阻的一端相连接。通过在标定结构中设置两个双极型晶体管，由于双极型晶体管对温度具有较高的灵敏性，且通过设置两个双极型晶体管可以使温度趋势进一步放大，从而提高温度标定的精准度。
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公开(公告)号：CN115597510A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110769250.1
申请日：2021-07-07
Applicant: 长鑫存储技术有限公司(CN)
Inventor： 李想
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明涉及一种量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法，量测装置包括治具晶圆，治具晶圆包括：晶圆；测距传感器，设置于晶圆的正面，用于在治具晶圆置于反应腔室的晶圆吸盘上后量测治具晶圆与位于反应腔室顶部的上电极之间的距离；水平传感器，设置于晶圆的正面，水平传感器用于在治具晶圆置于晶圆吸盘上后量测晶圆吸盘的水平状况；数据传送装置，与测距传感器及水平传感器相连接，用于传送测距传感器量测的数据及水平传感器量测的数据。本申请中的量测装置避免了人工测量产生的误差，准确性较高；无需打开反应腔室即可实时地获取晶圆吸盘的水平状况，能够提升反应腔室工作的安全性和可靠性。
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