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公开(公告)号：CN114430875B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080061680.1
申请日：2020-08-20
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： 彼得·马克西米兰·戈茨 , 塞巴斯蒂安·托马斯·鲍尔思科米特 , 帕特里克·塞巴斯蒂安·于贝尔 , 罗纳德·弗兰西斯克斯·赫尔曼·休格斯 , J·A·波尔 , E·J·C·博斯 , A·J·A·布朗兹 , V·普洛斯因特索夫 , 保罗·威廉·斯科尔特斯-范埃克 , 鲍拉斯·安东尼斯·安德里亚斯·特尤尼森 , M·U·阿杰盖恩卡尔
IPC: H01S3/00 , H01S3/0804 , G01B11/27 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01M11/00 , G03F7/20 , G02B1/00 , G02B6/02 , G02B6/42 , G02F1/365
Abstract: 公开了一种用于控制包括光子晶体光纤(PCF)的宽带光源的输出模式的模式控制系统和方法。模式控制系统包括：至少一个检测单元，被配置为测量从宽带光源发射的辐射的一个或多个参数以生成测量数据；和处理单元，被配置为通过所述测量数据评估从宽带光源发射的所述辐射的模式纯度。基于所述评估，所述模式控制系统被配置为生成用于优化所述宽带光源的一个或多个泵浦耦合条件的控制信号。所述泵浦耦合条件与泵浦激光束相对于所述光子晶体光纤的光纤芯部的所述耦合相关。
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公开(公告)号：CN113728277B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080031372.4
申请日：2020-04-14
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用以调节光刻装置中的束的交叉狭槽照射的照射调节装置包括多个指状物来调节交叉狭槽照射以符合选定的强度分布。每个指状物具有包括至少两个段的远端边缘。两个段形成远端边缘的凹痕。
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公开(公告)号：CN114207530B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202080055723.5
申请日：2020-08-05
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC: G03F9/00 , G01B9/02015
Abstract: 一种对准设备，包括照射系统，所述照射系统被配置成朝向对准目标引导一个或更多个照射束且从所述对准目标接收衍射束。所述对准设备也包括自参考干涉仪，所述自参考干涉仪被配置成产生两个衍射子束，其中所述两个衍射子束被正交地偏振、相对于彼此围绕对准轴线旋转180度且在空间上叠置。所述对准设备还包括：束分析器，所述束分析器被配置成产生所述衍射子束的叠置分量之间的干涉且产生两个正交偏振的光学支路；以及检测系统，所述检测系统被配置成基于所述光学支路的光强度测量确定所述对准目标的位置，其中所测量的光强度通过相位调制器在时间上调制。
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公开(公告)号：CN112997117B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201980071827.2
申请日：2019-10-21
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： R·C·卡卢里
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于使用气动传感器来测量掩模版变形的系统和方法，其中喷嘴沿掩模版的侧面被放置，并且气动传感器生成指示传感器与掩模版的侧面的部分之间的距离的输出信号。来自传感器的掩模版变形测量结果可以被用作掩模版加热控制的输入。
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公开(公告)号：CN118818920A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411200404.5
申请日：2019-12-12
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： J·J·隆巴尔多 , R·P·奥尔布赖特 , D·L·哈勒 , V·A·佩雷斯-福尔肯 , A·贾奇
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述了用于减少光刻系统中夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法和系统。诸如清洁用掩模版之类的衬底被压靠在夹持面上。在夹持发生之前或之后，所述衬底与所述夹持面之间建立温差，以促使粒子从所述夹持面转移到所述衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112955822B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980073815.3
申请日：2019-10-31
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。
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公开(公告)号：CN114174929B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080054578.9
申请日：2020-07-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： M·埃拉尔普
Abstract: 一种对准方法，包括：将具有变化的波长或频率的照射束引向对准目标，从对准目标收集衍射束并引向干涉仪。对准方法还包括通过干涉仪从衍射束产生两个衍射子束，其中衍射子束被正交偏振、围绕对准轴相对于彼此旋转180度，并且在空间上重叠。对准方法还包括基于时间相移测量衍射束的干涉强度，其中时间相移是照射束的变化的波长或频率和衍射束之间的固定光程差的函数。对准方法还包括根据测量的干涉强度确定对准目标的位置。
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公开(公告)号：CN113454535B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080014571.4
申请日：2020-01-27
Applicant: ASML控股股份有限公司
Abstract: 一种设备，包括第一基板、第二基板和设置在所述第一基板与所述第二基板之间的中间层。所述中间层被配置成作为在所述设备受到外力的情况下的第一失效点或破损点。所述设备还可以包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的结合层。所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和第二基板。所述设备还可以包括被联接至所述第一基板和所述第二基板的紧固件。所述紧固件被配置成将所述中间层固定到所述第一基板和所述第二基板。所述中间层可以包括涂覆至所述第一衬底或所述第二衬底的涂层。所述设备还可以包括设置在所述第一基板与所述紧固件之间或所述第二基板与所述紧固件之间的第二中间层。
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公开(公告)号：CN114450638B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202080067850.7
申请日：2020-09-23
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： M·斯维拉姆 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , S·鲁 , 林宇翔 , J·L·克鲁泽
Abstract: 一种系统包括辐射源、第一相控阵列和第二相控阵列以及检测器。第一相控阵列和第二相控阵列包括光学元件、多个端口、波导和相位调制器。光学元件辐射辐射波。波导将辐射从多个端口中的一个端口引导到光学元件。相位调制器调整辐射波的相位。第一相控阵列和第二相控阵列中的一者或两者基于被耦合到辐射源的端口来形成被引导朝向目标结构的第一辐射束和/或第二辐射束。检测器接收由目标结构散射的辐射并且基于接收到的辐射来生成测量信号。
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公开(公告)号：CN114450641B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080067961.8
申请日：2020-09-14
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种用于确定衬底的对准的设备和方法，其中，对对准标记进行照射的辐射源的强度是根据系统中的用于将模拟信号转换成数字信号的元件处于对所述信号进行采样的模式还是处于对所述信号进行转换并且因此对所述信号中的改变不敏感的模式而变化的，因而降低了所述衬底或系统光学部件暴露于所述照射辐射的量。
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