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公开(公告)号：CN117070953A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310903964.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低锆含量的钨化学机械抛光液、制备方法及其应用，所述抛光液以商用电子级气相二氧化硅经研磨、除杂得到的纳米级气相二氧化硅为磨料，其中，所述钨化学机械抛光液中Zr含量为8ppb‑8ppm。本发明的纳米级气相二氧化硅通过球磨机研磨获得纳米级气相二氧化硅分散液，再利用溶剂萃取法去除分散液中的Zr杂质。利用本发明所得低Zr含量的纳米级气相二氧化硅分散液配制的钨化学机械抛光液具有抛光表面质量高、杂质残留量低等特点。
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公开(公告)号：CN116445084A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310409167.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种耐低温型硅抛光组合物及其应用，所述耐低温型硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有防冻剂和氨基酸型表面活性剂。本发明的耐低温型硅抛光组合物中同时添加防冻剂和氨基酸型表面活性剂作为耐低温助剂，可有效抑制组合物在低温环境下容易发生的冻结凝胶和平均粒径、大颗粒数显著上升的问题，可防止组合物在低温下变质失效，与现有技术相比，具有明显优势。
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公开(公告)号：CN116716047A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310729630.1
申请日：2023-06-20
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆化学机械抛光液、使用方法及其应用，其质量百分数组成包括10％～30％的高纯硅溶胶、0.1％～0.5％的pH调节剂、0.1％～1％的乙烯基吡咯烷酮‑季铵盐共聚物，余量为水。本发明的抛光液稀释20～39倍可应用于硅晶圆中抛光，抛光后晶圆表面无亲水性，可修复表面微划伤；抛光液稀释1～19倍可应用于硅晶圆精抛光，抛光后晶圆表面强亲水性，避免磨料粒子与空气杂质的沾污，从而获得低表面缺陷。
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公开(公告)号：CN116445085A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310409168.7
申请日：2023-04-18
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种宽去除速率选择比的抛光组合物及其应用，所述抛光组合物以表面固定有有机酸的纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加含有椰油基的疏水性表面活性剂和聚氧乙烯‑聚氧丙烯亲水性共聚物作为选择比调节剂，还添加有由丙烯酸单体聚合形成的重均分子量约1000～200000的丙烯酸均聚物及其盐以及丙烯酸共聚物。本发明的抛光组合物包括由两种表面活性剂组成的选择比抑制剂和水溶性聚合物，绿色低毒，能够实现更宽的氮化硅、氧化硅对多晶硅材料的抛光选择性，同时也能有效地抑制抛光缺陷的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116875194A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310558801.9
申请日：2023-05-18
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , C23F3/06
Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述钨化学机械抛光液包括磨料、催化剂、氧化剂、稳定剂、腐蚀抑制剂、速率抑制剂和水；其中，所述速率抑制剂为含氮的大环共轭分子且氮原子全部位于共轭环上。本发明的钨化学机械抛光液采用特定的速率抑制剂分子，可以使钨的化学机械抛光停止在阻挡层上，实现更高级制程节点的CMP应用。
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公开(公告)号：CN119592957A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311159718.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种减少Key hole的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述钨插塞化学机械抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％～20％的研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01％～0.05％的保护助剂，和去离子水；其中，所述保护助剂为含有共轭结构且含有氨基和羧基的化合物。本发明的钨插塞化学机械抛光液具有抛光速率快、Key hole缺陷少、表面质量好等特点。
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公开(公告)号：CN119592227A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311159720.8
申请日：2023-09-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种氧化层抛光液及其应用，所述氧化层抛光液包含如下质量百分含量的组分：10％～20％研磨剂、0.2％‑1％的pH调节剂，0.01％～0.05％的助剂，和去离子水；其中，所述助剂为含有共轭结构且含有氨基和羧基的化合物。本发明的氧化层化学机械抛光液具有抛光速率快、腐蚀坑少、颗粒以及金属离子残留少等特点。
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公开(公告)号：CN119976929A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202311493409.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化铈纳米棒的制备方法、氧化铈纳米棒及其应用，通过碳酸铈高压均质、湿法球磨、高温煅烧和二次晶种生长，制备出氧化铈纳米棒颗粒。本发明的制备方法，二次晶种生长促使氧化铈颗粒表面光滑度增加，晶圆抛光损伤个数显著降低。本发明解决了氧化铈磨料在STI抛光中的抛光速率和晶圆抛光表面质量问题，提高了STI抛光选择比。
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公开(公告)号：CN119160926A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310723622.6
申请日：2023-06-19
Applicant: 万华化学集团股份有限公司
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种球形氧化铈的制备方法、氧化铈及其应用，通过高温煅烧、气流粉碎、低温二次煅烧、湿法球磨和二次晶种生长，制备类球形氧化铈颗粒。本发明的制备方法，提升了氧化铈湿法球磨过程的粒径均匀性和分散性，二次晶种生长促使氧化铈颗粒表面光滑度增加，棱角较少；同时，氧化铈形貌的改变也促进了氧化铈表面Ce3+含量的提高，从而提高氧化铈的氧空位和氧化还原性能，使得P‑TEOS抛光速率和抛光选择比提升。本发明解决了氧化铈磨料在STI抛光中的分散稳定性和晶圆抛光表面质量问题，提高了STI抛光选择比。
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