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公开(公告)号:CN1333030C
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN01803966.9
申请日:2001-11-21
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , B29C47/86 , B29C47/06 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/381 , C09J7/385 , C09J2203/326 , C09J2423/00 , C09J2423/006 , C09J2453/00 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/28
Abstract: 一种具有在基底层一面形成的粘结层的粘结带,当其所粘附的硅质晶片用切割机切成电路片时,利用其可以降低晶片上产生的豁口、凹痕或裂缝的尺寸。粘结带的粘结层的储存系数G″在15-35℃等于或大于1MPa,表示损失系数G″与储存系数G’之比的tanδ优选为小于或等于0.05。粘结层优选为基本由烯烃聚合物构成。
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公开(公告)号:CN1395602A
公开(公告)日:2003-02-05
申请号:CN01803966.9
申请日:2001-11-21
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , B29C47/86 , B29C47/06 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/381 , C09J7/385 , C09J2203/326 , C09J2423/00 , C09J2423/006 , C09J2453/00 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/28
Abstract: 一种具有在基底层一面形成的粘结层的粘结带,当其所粘附的硅质晶片用切割机切成电路片时,利用其可以降低晶片上产生的豁口、凹痕或裂缝的尺寸。粘结带的粘结层的储存系数G″在15-35℃等于或大于1MPa,表示损失系数G″与储存系数G’之比的tanδ优选为小于或等于0.05。粘结层优选为基本由石蜡聚合物构成。
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