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公开(公告)号:CN105874582B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201480069830.8
申请日:2014-12-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , C09J7/25 , C09J7/40 , C09J7/401 , C09J163/00 , C09J183/04 , C09J2203/326 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/12 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/32 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2221/68386 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种双面带有隔片的密封用片,其具备密封用片、层叠于密封用片的一个面的隔片A、和层叠于密封用片的另一个面的隔片B,在将密封用片与隔片A之间的剥离力设为F1,将密封用片与隔片B之间的剥离力设为F2,将除去密封用片以外的厚度设为t,将密封用片的面积设为A时,它们满足特定的关系。
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公开(公告)号:CN106409813B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201510611270.0
申请日:2015-09-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/535 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L21/52 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/823475 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/522 , H01L23/525 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/11849 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/81815 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/1434 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种多元件封装体及其制造方法,该多元件封装体包含基板、至少两个元件区域、第一重布局层、外部晶片、多个第一连接件与导电接触。此两个元件区域是自基板形成,且基板具有相对的第一表面与第二表面。第一重布局层设置于第一表面上并电性连接至此两个元件区域,而外部晶片设置于第一重布局层上。此些第一连接件设置于第一重布局层与外部晶片之间,以连接第一重布局层与外部晶片。导电接触则自基板的第二表面朝第一表面延伸以电性连接元件区域。借此,本发明的多元件封装体及其制造方法,多元件封装体中的基板与元件区域之间不具有任何界面使元件区域能直接集成,降低元件区域断线或损坏的风险。
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公开(公告)号:CN105283948B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201480002131.1
申请日:2014-09-10
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor: 小山太一
IPC: H01L23/488 , H01L23/29 , H01L25/065 , H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/60 , C09J7/40 , C09J11/06 , C09J133/16 , C09J163/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/4215 , C08L63/00 , C09D133/066 , C09J133/20 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/186 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2924/0549 , H01L2924/0532 , H01L2924/0102 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L21/78 , C08L33/16
Abstract: 提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料,其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物,在60℃以上100℃以下的任意温度,显示非宾厄姆流动性,动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E+02rad/s以下的角频率区域具有拐点,该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E+05Pa以上10E+06Pa以下。由此,能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。
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公开(公告)号:CN105273643B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201510315612.4
申请日:2015-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J7/30 , C09J183/10 , H01L21/68
CPC classification number: C09J183/14 , C08G77/442 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J125/08 , C09J153/005 , C09J153/025 , C09J183/10 , C09J2201/134 , C09J2203/326 , C09J2425/00 , C09J2453/003 , C09J2483/00 , H01L21/187 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y02P20/582 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2874 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明的目的是提供一种晶片加工用暂时粘着材料、晶片加工体及使用这些的薄型晶片的制造方法,晶片加工用暂时粘着材料能够较容易将具有电路的晶片与支撑基板暂时粘着,且对于硅通孔形成步骤、晶片背面配线步骤的步骤适应性较高,且还易于剥离,能够提高薄型晶片的生产性。本发明提供一种晶片加工用暂时粘着材料,用于将晶片与支撑基板暂时性地粘着,晶片的表面具有电路且背面需要加工,其具备第一暂时粘着层及第二暂时粘着层;第一暂时粘着层以能够剥离的方式粘着于晶片的表面,且是由热塑性硅酮改性苯乙烯类弹性体层(A)组成;第二暂时粘着层是层压于第一暂时粘着层,并且以能够剥离的方式粘着于支撑基板,且是由热固化性聚合物层(B)组成。
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公开(公告)号:CN106796874B
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201480082590.5
申请日:2014-10-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B7/228 , B24B27/0023 , B24B49/12 , H01L21/30604 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 作为第1磨削工序,由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的外周部进行磨削而在外周部形成破碎层(19)。然后,作为第2磨削工序,将形成了破碎层(19)的外周部作为肋部(20)保留,并且由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的中央部进行磨削而形成凹部(21)。然后,作为第3磨削工序,使用与第1磨石(17)相比磨粒粒径小的第2磨石(22)对凹部(21)的底面进行磨削而将晶片(1)薄化。
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公开(公告)号:CN109148367A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810585752.7
申请日:2018-06-06
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/3043 , H01L21/67092 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: 提供被加工物的切削方法,抑制正面缺损的产生,防止在外周剩余区域形成端材芯片。板状的被加工物在正面上具有在由交叉的多条分割预定线划分的多个区域分别形成有器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域,该方法在被加工物的器件区域形成期望深度的切削槽,具有如下步骤:引导槽形成步骤,使切削刀具从被加工物的外周沿着分割预定线切入至卡盘工作台所保持的被加工物,在从外周到器件区域的一部分的范围内形成比期望深度浅的引导槽;和器件区域加工步骤,使切削刀具朝向器件区域的引导槽下降而切入引导槽,将切削刀具的刃尖定位于期望深度,然后沿着分割预定线超过器件区域的相反侧的端部而在外周剩余区域的一部分的范围内形成期望深度的槽。
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公开(公告)号:CN106057745B
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201610191252.6
申请日:2016-03-30
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L23/4334 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68386 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提出一种设有加强层且整合有双路由电路的半导体组件,半导体元件及第一路由电路位于加强层的贯穿开口中,而第二路由电路延伸进入加强层贯穿开口外的区域。该加强层所具有的机械强度可避免阻体发生弯翘情况。该第一路由电路可将半导体元件的垫尺寸及垫间距放大,而该第二路由电路不仅可提供进一步的扇出线路结构,其亦可将第一路由电路与加强层机械接合。
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公开(公告)号:CN108962820A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810469524.3
申请日:2018-05-16
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor: 戈登·M·格里芙尼亚 , 厚·宁·陈
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/324 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L21/3043
Abstract: 本发明提供了一种处理衬底的方法,包括提供衬底,所述衬底具有作为所述衬底的一部分形成并且通过空间彼此分离的管芯,其中所述衬底具有相对的第一主表面和第二主表面,并且其中材料层形成在所述第二主表面的顶上。所述方法包括将所述衬底放置到载体衬底上,以及通过所述空间移除所述衬底的部分以在邻接管芯之间形成间隙。所述间隙至少部分地穿过所述衬底朝向所述第二主表面延伸。所述方法包括将所述材料层暴露于降低的温度,同时所述衬底沿第一方向在板结构和支撑结构之间被约束,其中所述暴露步骤沿第二方向扩展所述邻接管芯之间的间隙以分离所述材料层的至少部分。所述方法提供了可靠且有效的方式来分批分离至少所述材料层。
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公开(公告)号:CN108878356A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201810425609.1
申请日:2018-05-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 上里昌充
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L21/78
Abstract: 提供片材粘贴方法,能够抑制器件之间的间隔的不均匀,并且能够抑制器件的生产率的降低。该片材粘贴方法包含如下的步骤:片材粘贴步骤,将片材粘贴在板状物上,并且将粘贴有板状物的片材安装在具有开口的环状框架上,从而形成由环状框架、收纳在环状框架的开口内的板状物以及粘贴在板状物上的片材构成的板状物单元;以及张力缓和步骤,在实施了片材粘贴步骤之后,对在片材粘贴步骤中产生于片材的张力进行缓和。
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公开(公告)号:CN108878355A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201810399315.6
申请日:2018-04-28
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 竹之内研二
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: 提供加工方法,将产生在分割预定线的交叉点附近的金属毛刺去除。该加工方法利用切削刀具对在分割预定线上具有金属的被加工物进行切削,该加工方法具有:第1切削步骤,沿着第1分割预定线对被加工物进行切削而形成第1切削槽;第2切削步骤,利用切削刀具沿着第2分割预定线对被加工物进行切削而形成第2切削槽;第1金属毛刺去除步骤,将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第1切削槽中通过;和第2金属毛刺去除步骤,将切削刀具的最下端定位于比金属的上端低的高度而使该切削刀具在该第2切削槽中通过,一边对被加工物提供含有有机酸和氧化剂的液体一边实施该第1金属毛刺去除步骤和该第2金属毛刺去除步骤。
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