公开(公告)号：CN117270314A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311217958.1

申请日：2021-04-02

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  石川比佐子 ,  小川亮平 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎 ,  周英

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  C01B32/168 ,  C01B32/17 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。

公开(公告)号：CN115398334A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180027875.9

申请日：2021-04-02

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  石川比佐子 ,  小川亮平 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎 ,  周英

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。

公开(公告)号：CN117270313A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311217869.7

申请日：2021-04-02

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  石川比佐子 ,  小川亮平 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎 ,  周英

IPC: G03F1/62 ,  C01B32/168 ,  C01B32/17 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。

公开(公告)号：CN115398334B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202180027875.9

申请日：2021-04-02

Applicant: 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 小野阳介 ,  石川比佐子 ,  小川亮平 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎 ,  周英

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。

公开(公告)号：CN115004108A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009908.7

申请日：2021-02-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  高村一夫 ,  石川比佐子 ,  小野阳介 ,  藤井泰久 ,  吉川弥 ,  松本信子 ,  出口朋枝

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。

公开(公告)号：CN112088334A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980017088.9

申请日：2019-03-01

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  高村一夫 ,  大久保敦 ,  种市大树 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明

IPC: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有：防护膜(101)；支撑上述防护膜的支撑框(103)；设置于上述支撑框的突起部(105)；设置于上述突起部的第1粘接层(107)；以及无机物层，上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109)，上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。

公开(公告)号：CN112088334B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201980017088.9

申请日：2019-03-01

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野阳介 ,  高村一夫 ,  大久保敦 ,  种市大树 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明

IPC: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有：防护膜(101)；支撑上述防护膜的支撑框(103)；设置于上述支撑框的突起部(105)；设置于上述突起部的第1粘接层(107)；以及无机物层，上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109)，上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。

公开(公告)号：CN117916663A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280061262.1

申请日：2022-09-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤村真史 ,  石川彰 ,  石川比佐子 ,  大久保敦

IPC: G03F1/64

Abstract: 防护膜组件框具有设置可粘着于光掩模的粘着层的一个端面、以及支撑防护膜的另一个端面。防护膜组件框为矩形状的防护膜组件框(其中，不包括含有石英玻璃的防护膜组件框。)。上述一个端面的扭曲量Δd为10μm以下。上述一个端面的扭曲量Δd表示通过上述一个端面的四个角的4个位点中的3个位点的假想平面与剩余1个位点的距离的最大值。

公开(公告)号：CN110325908A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880012953.6

申请日：2018-02-09

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  小野阳介 ,  大久保敦 ,  种市大树 ,  石川比佐子 ,  美谷岛恒明

IPC: G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供EUV透射性高、释气少、污染少的EUV用防护膜组件及其制造方法。防护膜组件(100)的特征在于，具有防护膜(101)、支撑框(103)以及第1粘接层(109)，所述第1粘接层(109)设置于支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部，在第1粘接层的沿与防护膜面交叉的方向且处于吊挂防护膜一侧的侧面具有无机物层(111)，上述无机物层的质量吸收系数(μm)为5×103cm2/g～2×105cm2/g的范围。

公开(公告)号：CN103842399B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201280048389.6

申请日：2012-10-05

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 石川比佐子 ,  松田俊范 ,  小野阳介 ,  加贺山阳史

IPC: C08G18/38 ,  C08G18/20 ,  C09D175/04 ,  C09K3/10 ,  G02B1/00 ,  H01L33/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: C09K3/10 ,  C08G18/2081 ,  C08G18/3876 ,  C08G18/757 ,  C08G18/7621 ,  C08G18/7671 ,  C08G2190/00 ,  C09D175/04 ,  G02B1/04 ,  H01L51/5253 ,  C08L75/04 ,  C08L81/00

Abstract: 本发明的聚合性组合物含有（A）异氰酸酯化合物、（B）选自4，8或4，7或5，7－二巯基甲基－1，11－二巯基－3，6，9－三硫杂十一烷、4－巯基甲基－1，8－二巯基－3，6－二硫杂辛烷、季戊四醇四巯基乙酸酯、季戊四醇四巯基丙酸酯、2，5－双（巯基甲基）－1，4－二噻烷、双（巯基乙基）硫醚、1，1，3，3－四（巯基甲基硫基）丙烷、4，6－双（巯基甲基硫基）－1，3－二噻烷、2－（2，2－双（巯基甲基硫基）乙基）－1，3－二硫杂环丁烷中的至少一种的硫醇化合物、和（C）有机强碱盐。